| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第13-22页 |
| 1.1 钙钛矿太阳电池发展进程 | 第13-15页 |
| 1.2 钙钛矿太阳电池工作原理 | 第15-18页 |
| 1.2.1 钙钛矿太阳电池结构 | 第15页 |
| 1.2.2 钙钛矿材料结构 | 第15-16页 |
| 1.2.3 钙钛矿太阳电池工作原理 | 第16-17页 |
| 1.2.4 钙钛矿太阳能电池的等效电路 | 第17-18页 |
| 1.3 电子传输材料 | 第18-19页 |
| 1.3.1 电子传输材料在钙钛矿太阳电池中的应用简介 | 第18页 |
| 1.3.2 低温TiO_2的制备方法及其应用简介 | 第18-19页 |
| 1.4 钙钛矿光活性层成分的演变 | 第19页 |
| 1.5 CuInSe_2系列纳米粒子在钙钛矿电池中的应用研究进展 | 第19-20页 |
| 1.5.1 CuInSe_2纳米粒子简介 | 第19-20页 |
| 1.5.2 CuInSe_2纳米粒子在钙钛矿电池中的应用研究现状 | 第20页 |
| 1.6 本文选题目的和研究内容 | 第20-22页 |
| 第二章 实验原材料和表征方法 | 第22-27页 |
| 2.1 实验试剂和设备 | 第22-23页 |
| 2.2 表征方法 | 第23-27页 |
| 2.2.1 XRD表征 | 第23-24页 |
| 2.2.2 SEM表征 | 第24页 |
| 2.2.3 TEM表征 | 第24页 |
| 2.2.4 UV-Vis光谱表征 | 第24-25页 |
| 2.2.5 PL谱表征 | 第25页 |
| 2.2.6 EIS阻抗谱表征 | 第25页 |
| 2.2.7 I-V特性曲线表征 | 第25-27页 |
| 第三章 钙钛矿太阳能电池基本工艺参数调研 | 第27-40页 |
| 3.1 正向平面结构的钙钛矿太阳能电池的制备 | 第27-29页 |
| 3.1.1 ITO导电玻璃的清洗处理 | 第27-28页 |
| 3.1.2 TiO_2空穴阻挡层薄膜的制备 | 第28页 |
| 3.1.3 钙钛矿光吸收层的制备方法 | 第28-29页 |
| 3.1.4 Spiro-OMeTAD空穴传输层的制备 | 第29页 |
| 3.1.5 Ag顶电极的制备 | 第29页 |
| 3.2 两步溶液旋涂法制取钙钛矿的工艺调研 | 第29-38页 |
| 3.2.1 PbI_2前驱体薄膜干燥温度和时间对钙钛矿薄膜的影响 | 第30-33页 |
| 3.2.2 PbI_2前驱体与碘甲脒/碘甲胺/氯甲胺混合溶液转速配比的影响 | 第33-37页 |
| 3.2.3 钙钛矿光吸收层的不同退火工艺的差异 | 第37-38页 |
| 3.3 本章小结 | 第38-40页 |
| 第四章 TiO_2纳米晶薄膜工艺对钙钛矿太阳电池性能的影响 | 第40-60页 |
| 4.1 TiO_2纳米晶工艺和性能的探究 | 第41-50页 |
| 4.1.1 TiO_2纳米晶胶液的合成 | 第41页 |
| 4.1.2 TiO_2纳米晶薄膜的制备 | 第41页 |
| 4.1.3 TiO_2纳米晶结构表征 | 第41-44页 |
| 4.1.4 TiO_2纳米晶薄膜厚度随旋涂工艺的变化 | 第44-45页 |
| 4.1.5 TiO_2纳米晶薄膜厚度对光透射性能的影响 | 第45-46页 |
| 4.1.6 TiO_2纳米晶薄膜的退火温度对光透射性能的影响 | 第46-47页 |
| 4.1.7 TiO_2纳米晶薄膜制作工艺对钙钛矿光致荧光性能的影响 | 第47-50页 |
| 4.2 TiO_2纳米晶对钙钛矿太阳能电池性能的影响 | 第50-59页 |
| 4.2.1 基于不同TiO_2纳米晶退火温度的电池性能的差异分析 | 第50-54页 |
| 4.2.2 基于不同TiO_2纳米晶薄膜厚度的电池性能的差异分析 | 第54-59页 |
| 4.3 本章小结 | 第59-60页 |
| 第五章 CuInSe_2系列纳米粒子的掺杂对钙钛矿太阳能电池性能的影响 | 第60-81页 |
| 5.1 CuInSe_2系列纳米粒子的合成与表征 | 第60-68页 |
| 5.1.1 CuInSe_2系列纳米粒子的合成 | 第60-62页 |
| 5.1.2 CuInSe_2系列纳米粒子的XRD分析 | 第62-65页 |
| 5.1.3 CuInS_2纳米粒子的TEM分析 | 第65页 |
| 5.1.4 CuInSe_2系列纳米粒子的光学性能分析 | 第65-66页 |
| 5.1.5 CuInSe_2系列纳米粒子的络合剂置换分析 | 第66-68页 |
| 5.2 掺杂CuIn(S_xSe_(1-x))_2钙钛矿吸光层的合成与表征 | 第68-73页 |
| 5.2.1 掺杂CuIn(S_xSe_(1-x))_2钙钛矿吸光层的制备 | 第68-69页 |
| 5.2.2 掺杂CuIn(S_xSe_(1-x))_2钙钛矿吸光层的UV-Vis表征 | 第69-70页 |
| 5.2.3 掺杂CuIn(S_xSe_(1-x))_2钙钛矿吸光层的PL表征 | 第70-73页 |
| 5.3 掺杂CuIn(S_xSe_(1-x))_2的钙钛矿吸光层对其器件性能的影响 | 第73-80页 |
| 5.3.1 掺杂CuIn(S_xSe_(1-x))_2的钙钛矿吸光层对其器件电学性能的影响 | 第74-78页 |
| 5.3.2 基于掺杂含不同络合剂的CuIn(S_xSe_(1-x))_2的钙钛矿器件性能差异 | 第78-80页 |
| 5.4 本章小结 | 第80-81页 |
| 第六章 思考与总结 | 第81-83页 |
| 参考文献 | 第83-91页 |
| 致谢 | 第91页 |
