射频前端抗强电磁脉冲关键技术研究
摘要 | 第5-6页 |
ABSTRACT | 第6-7页 |
符号对照表 | 第12-14页 |
缩略语对照表 | 第14-17页 |
第一章 绪论 | 第17-23页 |
1.1 研究背景及意义 | 第17-18页 |
1.2 国内外研究现状 | 第18-20页 |
1.3 论文主要研究内容 | 第20-23页 |
第二章 强电磁脉冲对射频前端的耦合与损伤研究 | 第23-37页 |
2.1 几种常见的强电磁脉冲 | 第23-28页 |
2.2 射频前端的耦合研究 | 第28-32页 |
2.2.1 前门耦合计算 | 第28-31页 |
2.2.2 典型射频前端的传输链路及敏感电路 | 第31-32页 |
2.3 半导体器件的EMP作用效应与机理 | 第32-33页 |
2.4 射频前端防护措施分析 | 第33-35页 |
2.5 本章小结 | 第35-37页 |
第三章 PIN二极管的基本特性与建模研究 | 第37-53页 |
3.1 PIN二极管的基本特性 | 第37-41页 |
3.1.1 直流作用下特性 | 第37-38页 |
3.1.2 交流作用下特性 | 第38-40页 |
3.1.3 交直流作用下特性 | 第40-41页 |
3.2 PIN二极管的主要参数 | 第41-44页 |
3.3 PIN二极管的建模研究 | 第44-52页 |
3.3.1 稳态等效模型 | 第44-45页 |
3.3.2 瞬态等效电路建模理论 | 第45-48页 |
3.3.3 瞬态模型的建立及验证 | 第48-52页 |
3.4 本章小结 | 第52-53页 |
第四章 射频前端微带结构防护模块设计 | 第53-73页 |
4.1 PIN限幅器的设计基础 | 第53-58页 |
4.1.1 限幅器主要技术指标 | 第53-55页 |
4.1.2 限幅器指标与二极管参数的关系 | 第55-56页 |
4.1.3 限幅器指标与入射波幅频特性的关系 | 第56-58页 |
4.2 瞬态PIN限幅器的仿真设计 | 第58-63页 |
4.2.1 PIN限幅器设计方法 | 第58-60页 |
4.2.2 PIN限幅器仿真设计 | 第60-63页 |
4.3 稳态微带滤波器的仿真设计 | 第63-68页 |
4.3.1 微带带通滤波器设计理论与方法 | 第64-67页 |
4.3.2 微带带通滤波器仿真设计 | 第67-68页 |
4.4 防护模块整体设计 | 第68-71页 |
4.4.1 一体化两级限幅设计 | 第68-70页 |
4.4.2 一体化三级限幅设计 | 第70-71页 |
4.5 本章小结 | 第71-73页 |
第五章 射频前端波导PIN限幅器设计 | 第73-91页 |
5.1 波导PIN限幅器原理 | 第73-75页 |
5.2 谐振单元的结构设计 | 第75-81页 |
5.2.1 谐振窗单元的设计 | 第75-78页 |
5.2.2 膜片和金属杆组成谐振单元的设计 | 第78-81页 |
5.3 限幅器单元的结构设计 | 第81-86页 |
5.4 波导PIN限幅器的仿真实现 | 第86-90页 |
5.5 本章小结 | 第90-91页 |
第六章 总结与展望 | 第91-93页 |
6.1 全文总结 | 第91-92页 |
6.2 工作展望 | 第92-93页 |
参考文献 | 第93-97页 |
致谢 | 第97-99页 |
作者简介 | 第99-100页 |