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射频前端抗强电磁脉冲关键技术研究

摘要第5-6页
ABSTRACT第6-7页
符号对照表第12-14页
缩略语对照表第14-17页
第一章 绪论第17-23页
    1.1 研究背景及意义第17-18页
    1.2 国内外研究现状第18-20页
    1.3 论文主要研究内容第20-23页
第二章 强电磁脉冲对射频前端的耦合与损伤研究第23-37页
    2.1 几种常见的强电磁脉冲第23-28页
    2.2 射频前端的耦合研究第28-32页
        2.2.1 前门耦合计算第28-31页
        2.2.2 典型射频前端的传输链路及敏感电路第31-32页
    2.3 半导体器件的EMP作用效应与机理第32-33页
    2.4 射频前端防护措施分析第33-35页
    2.5 本章小结第35-37页
第三章 PIN二极管的基本特性与建模研究第37-53页
    3.1 PIN二极管的基本特性第37-41页
        3.1.1 直流作用下特性第37-38页
        3.1.2 交流作用下特性第38-40页
        3.1.3 交直流作用下特性第40-41页
    3.2 PIN二极管的主要参数第41-44页
    3.3 PIN二极管的建模研究第44-52页
        3.3.1 稳态等效模型第44-45页
        3.3.2 瞬态等效电路建模理论第45-48页
        3.3.3 瞬态模型的建立及验证第48-52页
    3.4 本章小结第52-53页
第四章 射频前端微带结构防护模块设计第53-73页
    4.1 PIN限幅器的设计基础第53-58页
        4.1.1 限幅器主要技术指标第53-55页
        4.1.2 限幅器指标与二极管参数的关系第55-56页
        4.1.3 限幅器指标与入射波幅频特性的关系第56-58页
    4.2 瞬态PIN限幅器的仿真设计第58-63页
        4.2.1 PIN限幅器设计方法第58-60页
        4.2.2 PIN限幅器仿真设计第60-63页
    4.3 稳态微带滤波器的仿真设计第63-68页
        4.3.1 微带带通滤波器设计理论与方法第64-67页
        4.3.2 微带带通滤波器仿真设计第67-68页
    4.4 防护模块整体设计第68-71页
        4.4.1 一体化两级限幅设计第68-70页
        4.4.2 一体化三级限幅设计第70-71页
    4.5 本章小结第71-73页
第五章 射频前端波导PIN限幅器设计第73-91页
    5.1 波导PIN限幅器原理第73-75页
    5.2 谐振单元的结构设计第75-81页
        5.2.1 谐振窗单元的设计第75-78页
        5.2.2 膜片和金属杆组成谐振单元的设计第78-81页
    5.3 限幅器单元的结构设计第81-86页
    5.4 波导PIN限幅器的仿真实现第86-90页
    5.5 本章小结第90-91页
第六章 总结与展望第91-93页
    6.1 全文总结第91-92页
    6.2 工作展望第92-93页
参考文献第93-97页
致谢第97-99页
作者简介第99-100页

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