| 摘要 | 第2-3页 |
| Abstract | 第3-4页 |
| 1 绪论 | 第7-18页 |
| 1.1 反铁电体概述 | 第7-8页 |
| 1.2 高密度储能电介质材料研究现状 | 第8-11页 |
| 1.2.1 静电电容器的研究意义 | 第8-9页 |
| 1.2.2 静电电容器的分类及储能计算方法 | 第9-10页 |
| 1.2.3 反铁电材料储能特性的研究现状 | 第10-11页 |
| 1.3 HfO_2基反铁电薄膜研究现状 | 第11-17页 |
| 1.3.1 HfO_2基薄膜反铁电性的来源 | 第11-13页 |
| 1.3.2 HfO_2基反铁电薄膜极化特性研究现状 | 第13-16页 |
| 1.3.3 HfO_2基反铁电薄膜储能特性研究现状 | 第16-17页 |
| 1.4 本文主要研究内容 | 第17-18页 |
| 2 实验样品及研究方法 | 第18-27页 |
| 2.1 实验样品制备 | 第18-20页 |
| 2.2 测试设备简介 | 第20-22页 |
| 2.2.1 液氦/液氮制冷型低温真空探针台 | 第20-21页 |
| 2.2.2 TFAnalyzer2000E铁电测试分析仪 | 第21-22页 |
| 2.3 实验原理 | 第22-27页 |
| 2.3.1 动态电滞回线测试(DHM)原理 | 第22-24页 |
| 2.3.2 疲劳测试(FM)原理 | 第24-25页 |
| 2.3.3 小信号电容测试(CV)原理 | 第25-27页 |
| 3 Si掺杂HfO_2反铁电薄膜储能特性的电场依赖性 | 第27-31页 |
| 3.1 外加电场对Si:HfO_2反铁电薄膜极化特性的影响 | 第27-28页 |
| 3.2 外加电场对Si:HfO_2反铁电薄膜储能特性的影响 | 第28-30页 |
| 3.3 本章小结 | 第30-31页 |
| 4 Si掺杂HfO_2反铁电薄膜储能特性的温度依赖性 | 第31-40页 |
| 4.1 温度对Si掺杂HfO_2反铁电薄膜极化特性的影响 | 第31-38页 |
| 4.2 温度对Si掺杂HfO_2反铁电薄膜储能特性的影响 | 第38-39页 |
| 4.3 本章小结 | 第39-40页 |
| 5 Si掺杂HfO_2反铁电薄膜储能特性的疲劳特性 | 第40-62页 |
| 5.1 铁电及反铁电薄膜疲劳机理研究现状 | 第40-44页 |
| 5.1.1 畴壁钉扎模型 | 第40-41页 |
| 5.1.2 形核抑制模型 | 第41-42页 |
| 5.1.3 局域印记模型 | 第42页 |
| 5.1.4 电畴反转诱发电荷注入模型 | 第42-44页 |
| 5.2 Si掺杂HfO_2反铁电薄膜双极疲劳特性研究 | 第44-55页 |
| 5.2.1 Si掺杂HfO_2反铁电薄膜双极疲劳特性的电场依赖性 | 第44-47页 |
| 5.2.2 Si掺杂HfO_2反铁电薄膜双极疲劳特性的频率依赖性 | 第47-50页 |
| 5.2.3 Si掺杂HfO_2反铁电薄膜疲劳机理分析 | 第50-55页 |
| 5.3 Si掺杂HfO_2反铁电薄膜单极疲劳特性研究 | 第55-59页 |
| 5.3.1 Si掺杂HfO_2反铁电薄膜单极疲劳特性的电场依赖性 | 第55-57页 |
| 5.3.2 Si掺杂HfO_2反铁电薄膜单极疲劳特性的频率依赖性 | 第57-58页 |
| 5.3.3 Si掺杂HfO_2反铁电薄膜单极疲劳特性的极性依赖性 | 第58-59页 |
| 5.4 疲劳对Si掺杂HfO_2反铁电薄膜储能特性的影响 | 第59-61页 |
| 5.5 本章小结 | 第61-62页 |
| 结论 | 第62-64页 |
| 参考文献 | 第64-70页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第70-71页 |
| 致谢 | 第71-73页 |
