| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-20页 |
| 1.1 引言 | 第9-10页 |
| 1.2 中红外半导体激光器 | 第10-12页 |
| 1.2.1 中红外半导体激光器材料选择 | 第10-11页 |
| 1.2.2 1.9 μm中红外锑化物半导体激光器 | 第11-12页 |
| 1.3 GaSb基半导体激光器材料研究进展 | 第12-18页 |
| 1.3.1 GaSb材料性质 | 第12-13页 |
| 1.3.2 锑化物合金薄膜材料研究进展 | 第13-15页 |
| 1.3.3 锑化物I型半导体激光器材料研究进展 | 第15-18页 |
| 1.4 本论文选题依据和主要研究内容 | 第18-20页 |
| 第二章 半导体材料生长技术及表征手段 | 第20-29页 |
| 2.1 分子束外延(MBE)技术 | 第20-23页 |
| 2.1.1 分子束外延的基本原理 | 第20-22页 |
| 2.1.2 分子束外延生长系统及工艺流程 | 第22-23页 |
| 2.2 半导体材料物性表征技术 | 第23-28页 |
| 2.2.1 X射线衍射技术(XRD) | 第23-26页 |
| 2.2.2 光致发光(PL) | 第26-28页 |
| 2.3 本章小结 | 第28-29页 |
| 第三章 锑化物合金薄膜材料外延生长及物性研究 | 第29-46页 |
| 3.1 GaSb材料的MBE外延生长及物性研究 | 第29-32页 |
| 3.2 GaAsSb三元合金材料的MBE外延生长及物性研究 | 第32-35页 |
| 3.3 InGaAsSb四元合金材料的MBE外延生长及物性研究 | 第35-41页 |
| 3.4 AlGaAsSb四元合金材料的MBE外延生长及物性研究 | 第41-45页 |
| 3.5 本章小结 | 第45-46页 |
| 第四章 锑化物I型量子阱材料的MBE生长及物性研究 | 第46-61页 |
| 4.1 锑化物I型量子阱结构子带跃迁的近似计算 | 第46-50页 |
| 4.2 结构参数的改变对InGaAsSb/AlGaAsSb量子阱材料的影响 | 第50-56页 |
| 4.2.1 势阱层厚度变化对量子阱结构的影响 | 第51-54页 |
| 4.2.2 势垒层厚度变化对量子阱结构的影响 | 第54-56页 |
| 4.3 1.9 μmInGaAsSb/AlGaAsSb量子阱材料的MBE外延生长 | 第56-59页 |
| 4.4 本章小结 | 第59-61页 |
| 第五章 结论与展望 | 第61-63页 |
| 致谢 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-67页 |
| 硕士期间的学术成果 | 第67页 |
