| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-16页 |
| 1.1 研究背景及意义 | 第8页 |
| 1.2 有机结晶薄膜及应用的发展现状 | 第8-14页 |
| 1.2.1 有机结晶薄膜修饰方法 | 第8-9页 |
| 1.2.2 有机半导体薄膜加工方法 | 第9-11页 |
| 1.2.3 有机半导体材料的应用 | 第11-14页 |
| 1.3 本论文研究的主要内容 | 第14-16页 |
| 第二章 红荧烯结晶薄膜的制备和表征方法 | 第16-23页 |
| 2.1 红荧烯的结构及性质 | 第16-17页 |
| 2.2 实验材料与设备 | 第17-18页 |
| 2.3 样品制备 | 第18-20页 |
| 2.4 薄膜表征方法 | 第20-23页 |
| 第三章 PVP为界面修饰层的红荧烯结晶薄膜的制备和性能研究 | 第23-30页 |
| 3.1 Si/SiO2基底上PVP界面修饰层的研究 | 第23-24页 |
| 3.2 PVP界面修饰层对红荧烯结晶的作用 | 第24-28页 |
| 3.2.1 PVP浓度对红荧烯结晶的影响 | 第24-25页 |
| 3.2.2 成膜温度对晶体生长的影响 | 第25-26页 |
| 3.2.3 PVP诱导的红荧烯结晶薄膜的晶体结构 | 第26-28页 |
| 3.3 红荧烯晶体生长机制 | 第28页 |
| 3.4 本章小结 | 第28-30页 |
| 第四章 PS为界面修饰层的红荧烯结晶薄膜的制备及性能研究 | 第30-37页 |
| 4.1 PS界面修饰层上红荧烯薄膜的晶体形貌 | 第30-31页 |
| 4.2 PS浓度对红荧烯结晶的影响 | 第31-32页 |
| 4.3 成膜温度对晶体生长的影响 | 第32-33页 |
| 4.4 PS诱导的红荧烯结晶薄膜的晶体结构 | 第33-35页 |
| 4.5 红荧烯晶体生长机制 | 第35-36页 |
| 4.6 本章小结 | 第36-37页 |
| 第五章 红荧烯结晶薄膜的光电性能 | 第37-46页 |
| 5.1 PVP诱导的红荧烯结晶薄膜的光电性能 | 第37-40页 |
| 5.1.1 PVP对红荧烯薄膜的紫外-可见吸收光谱的影响 | 第37-38页 |
| 5.1.2 成膜温度对红荧烯薄膜的紫外-可见吸收光谱的影响 | 第38-39页 |
| 5.1.3 红荧烯结晶薄膜的电性能 | 第39-40页 |
| 5.2 PS诱导的红荧烯结晶薄膜的光电性能 | 第40-42页 |
| 5.2.1 PS对红荧烯薄膜的紫外-可见吸收光谱的影响 | 第40-41页 |
| 5.2.2 成膜温度对红荧烯薄膜的紫外-可见吸收光谱的影响 | 第41页 |
| 5.2.3 红荧烯结晶薄膜的电性能 | 第41-42页 |
| 5.3 红荧烯薄膜晶体管的光开关特性 | 第42-45页 |
| 5.3.1 光辐照度对光开关特性的影响 | 第42-44页 |
| 5.3.2 电压对光开关特性的影响 | 第44-45页 |
| 5.4 本章小结 | 第45-46页 |
| 结论与展望 | 第46-48页 |
| 致谢 | 第48-49页 |
| 参考文献 | 第49-52页 |
| 攻读硕士期间的研究成果 | 第52页 |
