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手征特异材料和拓扑绝缘体结构附近原子自发辐射特性研究

摘要第5-6页
ABSTRACT第6-7页
第1章 绪论第10-14页
    1.1 自由空间中原子的自发辐射第10-11页
    1.2 自发辐射的研究进展第11-13页
    1.3 本文的主要内容和文章结构安排第13-14页
第2章 特殊材料综述第14-24页
    2.1 手征特异材料第14-17页
        2.1.1 特异材料第14-15页
        2.1.2 手征特异材料简介第15页
        2.1.3 手征特异材料的研究第15-17页
    2.2 拓扑绝缘体第17-21页
        2.2.1 拓扑绝缘体简介第17-18页
        2.2.2 拓扑绝缘体的研究第18-21页
        2.2.3 拓扑场论第21页
    2.3 陈绝缘体第21-23页
    2.4 本章小结第23-24页
第3章 二能级原子的自发辐射理论第24-32页
    3.1 电磁场量子化第24-26页
    3.2 原子与场相互作用第26-27页
    3.3 原子自发辐射率第27-31页
    3.4 本章小结第31-32页
第4章 手征特异材料以及含陈绝缘体层覆盖的界面附近原子的自发辐射效应第32-42页
    4.1 模型与计算第32-35页
        4.1.1 手征特异材料界面反射系数第32-34页
        4.1.2 被陈绝缘体覆盖的手征特异材料界面反射系数第34-35页
    4.2 仿真与分析第35-41页
        4.2.1 手征特异材料界面附近原子自发辐射第35-38页
        4.2.2 被陈绝缘体覆盖的手征特异材料界面附近原子自发辐射第38-41页
    4.3 本章小结第41-42页
第5章 拓扑绝缘体板附近以及拓扑绝缘体构成的腔内原子的自发辐射特性研究第42-50页
    5.1 模型与计算第42-44页
    5.2 拓扑绝缘体板附近二能级原子的自发辐射第44-47页
    5.3 拓扑绝缘体板构成的腔内二能级原子的自发辐射第47-49页
    5.4 本章小结第49-50页
第六章 总结与展望第50-51页
    6.1 总结第50页
    6.2 展望第50-51页
致谢第51-52页
参考文献第52-56页
附录第56页

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