| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5页 |
| 创新点摘要 | 第6-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-22页 |
| 1.1 正庚烷异构化反应概述 | 第9-12页 |
| 1.1.1 正庚烷异构化的意义 | 第9-10页 |
| 1.1.2 正庚烷异构化反应的机理 | 第10-12页 |
| 1.2 正庚烷异构化反应催化剂的研究进展 | 第12-15页 |
| 1.2.1 正庚烷异构化反应催化剂载体的研究现状 | 第12-14页 |
| 1.2.2 正庚烷异构化反应催化剂活性组分的研究现状 | 第14-15页 |
| 1.3 三元复合氧化物的研究进展 | 第15-20页 |
| 1.3.1 三元复合氧化物的制备方法 | 第15-16页 |
| 1.3.2 影响三元复合氧化物性能的因素 | 第16-18页 |
| 1.3.3 三元复合氧化物在催化领域中的应用 | 第18-20页 |
| 1.4 本文研究内容 | 第20-22页 |
| 第二章 实验部分 | 第22-27页 |
| 2.1 实验试剂及仪器 | 第22-23页 |
| 2.1.1 实验试剂 | 第22页 |
| 2.1.2 实验仪器 | 第22-23页 |
| 2.2 催化剂的制备 | 第23-24页 |
| 2.2.1 溶胶-凝胶法制备SiO_2-TiO_2-ZrO_2复合氧化物载体 | 第23页 |
| 2.2.2 共沉淀法制备SiO_2-TiO_2-ZrO_2复合氧化物载体 | 第23-24页 |
| 2.2.3 Ni-W/SiO_2-TiO_2-ZrO_2催化剂的制备 | 第24页 |
| 2.3 催化剂的表征 | 第24-25页 |
| 2.3.1 X射线衍射(XRD) | 第24页 |
| 2.3.2 N_2吸附-脱附 | 第24页 |
| 2.3.3 扫描电子显微镜(SEM) | 第24-25页 |
| 2.3.4 NH_3程序升温脱附(NH_3-TPD) | 第25页 |
| 2.4 催化剂的正庚烷异构化性能评价 | 第25页 |
| 2.5 催化剂反应转化率与选择性的计算方法 | 第25-27页 |
| 第三章 载体制备方法对催化剂结构及性能的影响 | 第27-34页 |
| 3.1 催化剂的表征 | 第27-31页 |
| 3.1.1 XRD分析 | 第27-29页 |
| 3.1.2 N_2吸附-脱附分析 | 第29页 |
| 3.1.3 SEM分析 | 第29-30页 |
| 3.1.4 NH_3-TPD分析 | 第30-31页 |
| 3.2 正庚烷异构化反应测试结果 | 第31-33页 |
| 3.3 本章小结 | 第33-34页 |
| 第四章 Ni-W/SiO_2-TiO_2-ZrO_2催化剂的制备及异构化性能研究 | 第34-49页 |
| 4.1 制备条件对载体及催化剂结构的影响 | 第34-38页 |
| 4.1.1 焙烧温度对SiO_2-TiO_2-ZrO_2复合氧化物的影响 | 第34-35页 |
| 4.1.2 焙烧时间对SiO_2-TiO_2-ZrO_2复合氧化物结构的影响 | 第35-36页 |
| 4.1.3 硅含量对SiO_2-TiO_2-ZrO_2复合氧化物结构的影响 | 第36-37页 |
| 4.1.4 负载Ni、W对催化剂结构的影响 | 第37-38页 |
| 4.2 制备条件对Ni-W/SiO_2-TiO_2-ZrO_2催化剂异构化性能的影响 | 第38-43页 |
| 4.2.1 模板剂使用量的影响 | 第38页 |
| 4.2.2 硅含量的影响 | 第38-39页 |
| 4.2.3 焙烧温度对催化剂正庚烷异构化性能的影响 | 第39-41页 |
| 4.2.4 W负载量对催化剂正庚烷异构化性能的影响 | 第41-42页 |
| 4.2.5 Ni负载量对催化剂正庚烷异构化性能的影响 | 第42-43页 |
| 4.3 还原条件与反应条件对催化剂异构化性能的影响 | 第43-47页 |
| 4.3.1 还原温度的影响 | 第43-44页 |
| 4.3.2 反应温度的影响 | 第44-45页 |
| 4.3.3 重时空速(WHSV)的影响 | 第45-46页 |
| 4.3.4 H_2流量的影响 | 第46-47页 |
| 4.4 本章小结 | 第47-49页 |
| 结论 | 第49-50页 |
| 参考文献 | 第50-57页 |
| 文章发表目录 | 第57-58页 |
| 致谢 | 第58-59页 |
