| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-18页 |
| 1.1 石墨烯与类石墨烯二维材料 | 第10-11页 |
| 1.2 过渡金属硫族化合物（Transition metal dichalcogenides） | 第11-12页 |
| 1.3 范德瓦尔斯异质结 | 第12-14页 |
| 1.4 本论文的研究内容及意义 | 第14-18页 |
| 1.4.1 IVB-VIA以及VIIB-VIA过渡金属硫族化合物的研究现状 | 第14-15页 |
| 1.4.2 本文的创新性和意义 | 第15-18页 |
| 第二章 理论计算方法 | 第18-32页 |
| 2.1 第一性原理计算（First-principle calculation）方法介绍 | 第18-19页 |
| 2.2 多粒子体系的薛定谔方程 | 第19-20页 |
| 2.3 玻恩-奥本海默近似（Born–Oppenheimer approximation） | 第20-21页 |
| 2.4 密度泛函理论（Density functional theory）简介 | 第21-26页 |
| 2.4.1 奥昂贝格-科恩理论 （Hohenberg–Kohn theorems） | 第21-23页 |
| 2.4.2 科恩-沈吕九方程（Kohn–Sham equations） | 第23-24页 |
| 2.4.3 交换关联泛函（Exchange-Correlation Functional） | 第24-26页 |
| 2.5 Vienna Ab initio Simulation Package简介 | 第26-27页 |
| 2.6 本文主要计算内容 | 第27-30页 |
| 2.6.1 多粒子体系的电荷密度 | 第27页 |
| 2.6.2 有关多粒子体系光学介电函数 | 第27-28页 |
| 2.6.3 计算方法验证 | 第28-30页 |
| 2.7 本章小结 | 第30-32页 |
| 第三章 IVB-VIA族过渡金属硫族化合物的光电特性 | 第32-50页 |
| 3.1 引言 | 第32-34页 |
| 3.2 计算方法 | 第34-35页 |
| 3.3 计算结果与相关讨论 | 第35-48页 |
| 3.3.1 IVB-VIA族过渡金属硫族化合物的基态结构 | 第35-37页 |
| 3.3.2 IVB-VIA族过渡金属硫族化合物的电子特性 | 第37-42页 |
| 3.3.3 IVB-VIA族过渡金属硫族化合物的光学介电特性 | 第42-48页 |
| 3.4 本章小结 | 第48-50页 |
| 第四章 具有柔性、面内各向异性特征的过渡金属硫族化合物MX_2 (M = Tc, Re; X = S, Se)的光电性质 | 第50-72页 |
| 4.1. 引言 | 第50-52页 |
| 4.2. 理论计算方法与参数设置 | 第52页 |
| 4.3. 理论计算结果与讨论 | 第52-71页 |
| 4.3.1 VIIB-VIA二维过渡金属硫族化合物的机械特性 | 第52-54页 |
| 4.3.2 VIIB-VIA二维过渡金属硫族化合物最优晶格参数的选定 | 第54-56页 |
| 4.3.3 VIIB-VIA二维过渡金属硫族化合物的电子结构 | 第56-62页 |
| 4.3.4 VIIB-VIA二维过渡金属硫族化合物单层结构的光学介电特性 | 第62-71页 |
| 4.4. 本章小结 | 第71-72页 |
| 第五章 过渡金属二硫化物MX_2 (M = Tc, Re; X = S, Se)及过渡金属三硫化物MX_3(M = Zr, Hf; X = S, Se)异质结界面的能带排列特征与应用 | 第72-88页 |
| 5.1 引言 | 第72-74页 |
| 5.2 计算方法与参数设置 | 第74-75页 |
| 5.3 计算结果与讨论 | 第75-86页 |
| 5.3.1 研究体系的晶体结构及稳定性 | 第75-78页 |
| 5.3.2 不同材料之间的能带排列特征 | 第78-82页 |
| 5.3.3 利用两类过渡金属硫族化合物分别形成的第二类异质结的电子结构特征 | 第82-85页 |
| 5.3.4 两类过渡金属硫族化合物形成的异质结的光能转化效率 | 第85-86页 |
| 5.4 本章小结 | 第86-88页 |
| 总结与展望 | 第88-90页 |
| 参考文献 | 第90-105页 |
| 附录 | 第105-108页 |
| 致谢 | 第108-110页 |
| 攻读博士学位期间取得的科研成果 | 第110-112页 |
| 作者简介 | 第112-113页 |
