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利用归中反应制备n/p型氧化亚铜薄膜及其导电机制研究

摘要第4-5页
ABSTRACT第5-6页
第一章 绪论第9-17页
    1.1 氧化亚铜的基本性质第9页
    1.2 氧化亚铜的应用现状第9-10页
    1.3 氧化亚铜薄膜的制备方法第10-12页
    1.4 氧化亚铜薄膜的导电类型调控及其研究现状第12-14页
    1.5 氧化亚铜薄膜的导电机制第14-15页
    1.6 本论文的研究目的和研究思路第15-17页
第二章 实验方法和设备第17-23页
    2.1 实验试剂及仪器第17-18页
        2.1.1 实验所用试剂第17页
        2.1.2 实验所用仪器第17-18页
    2.2 现代物理表征方法第18页
        2.2.1 结构和组成表征第18页
        2.2.2 形貌表征第18页
        2.2.3 吸收光谱和带隙表征第18页
    2.3 光电化学性能测试第18-19页
        2.3.1 光电化学测试系统第18-19页
        2.3.2 零偏压下的光电流测试第19页
    2.4 电化学测试第19-23页
        2.4.1 载流子密度及平带电势测试第19-20页
        2.4.2 线性扫描伏安测试第20页
        2.4.3 开路电势测试第20页
        2.4.4 电化学阻抗谱测试第20-23页
第三章 氧化亚铜薄膜的导电性能调控及机理第23-41页
    3.1 引言第23-24页
    3.2 实验第24页
    3.3 结果与讨论第24-40页
        3.3.1 Cu_2O薄膜的晶相分析和组成分析第24-26页
        3.3.2 Cu_2O薄膜的形貌分析第26-28页
        3.3.3 Cu_2O薄膜的吸收光谱和带隙计算第28-30页
        3.3.4 Cu_2O薄膜的光电化学性能第30-33页
        3.3.5 Cu_2O薄膜的生长机制第33-36页
        3.3.6 KNO_3调控Cu_2O薄膜导电类型的机制第36-40页
    3.4 小结第40-41页
第四章 n型和p型氧化亚铜薄膜的导电机制研究第41-61页
    4.1 引言第41页
    4.2 实验第41页
    4.3 结果与讨论第41-60页
        4.3.1 Cu_2O薄膜的晶相分析第41-43页
        4.3.2 Cu_2O薄膜的形貌分析第43-46页
        4.3.3 反应时间对Cu_2O薄膜导电类型的影响第46-48页
        4.3.4 电化学阻抗谱测试及分析第48-60页
    4.4 Cu_2O的导电机制分析第60页
    4.5 小结第60-61页
结论第61-63页
参考文献第63-71页
攻读硕士学位期间取得的科研成果第71-73页
致谢第73-74页

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