摘要 | 第4-5页 |
Abstract | 第5-6页 |
第1章 绪论 | 第9-25页 |
1.1 课题背景 | 第9-10页 |
1.2 CuS和PbTe基材料简述 | 第10-11页 |
1.2.1 CuS材料简述 | 第10页 |
1.2.2 PbTe材料简述 | 第10-11页 |
1.3 半导体纳米晶掺杂 | 第11-15页 |
1.4 液相体系中晶体生长 | 第15-19页 |
1.4.1 经典生长 | 第16-17页 |
1.4.2 非经典生长 | 第17-19页 |
1.5 纳米材料自组装 | 第19-24页 |
1.5.1 纳米材料的自组装驱动力 | 第19-22页 |
1.5.2 常用的自组装策略 | 第22-23页 |
1.5.3 自组装的研究总结 | 第23-24页 |
1.6 本文的主要研究内容及意义 | 第24-25页 |
第2章 实验材料及研究方法 | 第25-28页 |
2.1 实验材料及仪器设备 | 第25-26页 |
2.1.1 主要化学试剂 | 第25页 |
2.1.2 实验仪器 | 第25-26页 |
2.2 实验方法 | 第26页 |
2.3 材料表征与性能测试 | 第26-28页 |
2.3.1 物相分析 | 第26-27页 |
2.3.2 微观形貌分析 | 第27页 |
2.3.3 材料电池性能测试 | 第27-28页 |
第3章 CuMxSy(M=Pb, Sb, Bi)花球制备及其机理研究 | 第28-38页 |
3.1 引言 | 第28页 |
3.2 CuS(M=Pb, Sb, Bi)花球的溶剂热制备 | 第28-32页 |
3.2.1 样品的制备 | 第28-29页 |
3.2.2 样品的表征 | 第29-32页 |
3.3 不同反应条件对样品形貌的影响 | 第32-35页 |
3.3.1 碱量的影响 | 第32-33页 |
3.3.2 反应溶剂种类的影响 | 第33-34页 |
3.3.3 联氨量的作用 | 第34-35页 |
3.4 机理讨论 | 第35-37页 |
3.5 本章小结 | 第37-38页 |
第4章 Ag/Sb掺杂PbTe微米球制备及其机理研究 | 第38-59页 |
4.1 引言 | 第38页 |
4.2 PbTe基掺杂球样品的溶剂热法合成 | 第38-41页 |
4.2.1 样品的制备 | 第38-39页 |
4.2.2 样品的表征 | 第39-41页 |
4.3 不同反应条件对样品形貌的影响 | 第41-46页 |
4.3.1 KOH量的影响 | 第41-43页 |
4.3.2 联氨量的影响 | 第43页 |
4.3.3 反应溶剂比例和类型的影响 | 第43-45页 |
4.3.4 表面活性剂种类的影响 | 第45-46页 |
4.4 PbTe基掺杂球样品的化学反应路线和生长机理研究 | 第46-51页 |
4.4.1 溶液中化学反应路线 | 第46-47页 |
4.4.2 形貌演变的生长机理 | 第47-51页 |
4.5 PbTe基掺杂球样品的电化学性能 | 第51-57页 |
4.6 本章小结 | 第57-59页 |
结论 | 第59-60页 |
参考文献 | 第60-72页 |
攻读硕士学位期间发表的论文 | 第72-73页 |
致谢 | 第73页 |