| 致谢 | 第7-8页 |
| 摘要 | 第8-9页 |
| ABSTRACT | 第9页 |
| 第一章 绪论 | 第15-32页 |
| 1.1 引言 | 第15-16页 |
| 1.2 半导体纳米材料简介 | 第16-19页 |
| 1.2.1 纳米材料及特性 | 第16-18页 |
| 1.2.2 一维半导体纳米材料 | 第18-19页 |
| 1.3 一维半导体纳米材料的制备方法 | 第19-24页 |
| 1.3.1 气相制备法 | 第19-22页 |
| 1.3.2 液相制备法 | 第22-23页 |
| 1.3.3 模板制备法 | 第23-24页 |
| 1.4 Ⅱ—Ⅵ族一维纳米材料的应用 | 第24-30页 |
| 1.4.1 基于Ⅱ-Ⅵ纳米材料的异质结及肖特基结 | 第24-25页 |
| 1.4.2 纳米光电探测器 | 第25-26页 |
| 1.4.3 纳米太阳能电池 | 第26-28页 |
| 1.4.4 纳米发光二极管 | 第28-29页 |
| 1.4.5 纳米存储器 | 第29-30页 |
| 1.5 本课题的研究背景、目的、意义及现状 | 第30-32页 |
| 第二章 实验所用药品与设备 | 第32-41页 |
| 2.1 实验所用药品 | 第32-33页 |
| 2.2 实验设备 | 第33-41页 |
| 2.2.1 纳米材料的合成设备 | 第33-34页 |
| 2.2.2 纳米材料的表征设备 | 第34-38页 |
| 2.2.3 纳米材料器件的制备及测试设备 | 第38-41页 |
| 第三章 n-CdS：Ga/p-ZnTe：Sb的核壳结构的合成及表征 | 第41-51页 |
| 3.1 引言 | 第41页 |
| 3.2 CdS：Ga/ZnTe：Sb核壳纳米线的合成和表征 | 第41-49页 |
| 3.2.1 核壳结构材料的选择 | 第41-42页 |
| 3.2.2 CdS：Ga纳米线的合成 | 第42-43页 |
| 3.2.3 CdS：Ga/ZnTe：Sb核壳结构纳米线的合成 | 第43页 |
| 3.2.4 CdS：Ga/ZnTe：Sb核壳结构纳米线的表征 | 第43-49页 |
| 3.3 本章小结 | 第49-51页 |
| 第四章 n-CdS：Ga/p-ZnTe：Sb的核壳结构器件及电学表征 | 第51-60页 |
| 4.1 引言 | 第51页 |
| 4.2 n-CdS：Ga/p-ZnTe：Sb核壳结构异质结器件的制备 | 第51-58页 |
| 4.2.1 基于核CdS：Ga器件的制备及电学表征 | 第51-54页 |
| 4.2.2 基于壳层ZnTe：Sb器件的制备及电学表征 | 第54-55页 |
| 4.2.3 基于CdS：Ga/ZnTe：Sb核壳异质结器件的制备及电学表征 | 第55-58页 |
| 4.3 本章小结 | 第58-60页 |
| 第五章 总结 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-65页 |
| 攻读硕士学位期间的学术活动及成果情况 | 第65页 |
