| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-18页 |
| 1.1 课题背景和意义 | 第9-10页 |
| 1.2 氧化镓基本性质 | 第10-11页 |
| 1.3 国内外研究现状及分析 | 第11-16页 |
| 1.3.1 国内研究现状 | 第11-13页 |
| 1.3.2 国外研究现状 | 第13-15页 |
| 1.3.3 国内外文献综述 | 第15-16页 |
| 1.4 本论文的主要研究内容 | 第16-18页 |
| 第2章 样品制备及表征方法 | 第18-25页 |
| 2.1 薄膜制备 | 第18-20页 |
| 2.1.1 磁控溅射设备及原理 | 第18-19页 |
| 2.1.2 后退火处理 | 第19页 |
| 2.1.3 实验所需材料 | 第19-20页 |
| 2.2 薄膜日盲紫外探测器制备 | 第20-22页 |
| 2.2.1 器件结构及原理 | 第20-21页 |
| 2.2.2 器件的制备 | 第21-22页 |
| 2.3 实验表征技术 | 第22-25页 |
| 2.3.1 X射线衍射(XRD) | 第22页 |
| 2.3.2 扫描电子显微镜(SEM) | 第22-23页 |
| 2.3.3 紫外-可见光谱(UV-VIS) | 第23页 |
| 2.3.4 光致发光光谱(PL) | 第23页 |
| 2.3.5 光谱响应测试 | 第23-24页 |
| 2.3.6 伏安特性测试(I-V) | 第24-25页 |
| 第3章 蓝宝石衬底上氧化镓薄膜制备及其性质研究 | 第25-45页 |
| 3.1 引言 | 第25页 |
| 3.2 氧化镓薄膜的表征及分析 | 第25-43页 |
| 3.2.1 溅射功率对薄膜的影响 | 第25-30页 |
| 3.2.2 工作压强对薄膜的影响 | 第30-34页 |
| 3.2.3 氧氩比对薄膜的影响 | 第34-38页 |
| 3.2.4 退火温度对薄膜的影响 | 第38-41页 |
| 3.2.5 退火时间对薄膜的影响 | 第41-43页 |
| 3.3 本章小结 | 第43-45页 |
| 第4章 硅衬底上氧化镓薄膜制备及其性质研究 | 第45-59页 |
| 4.1 引言 | 第45页 |
| 4.2 氧化镓薄膜的表征及分析 | 第45-57页 |
| 4.2.1 低氧缓冲层对薄膜的影响 | 第45-48页 |
| 4.2.2 溅射功率对薄膜的影响 | 第48-50页 |
| 4.2.3 工作压强对薄膜的影响 | 第50-52页 |
| 4.2.4 氧氩比对薄膜的影响 | 第52-53页 |
| 4.2.5 溅射时间对薄膜的影响 | 第53-55页 |
| 4.2.6 退火温度对薄膜的影响 | 第55-57页 |
| 4.3 本章小结 | 第57-59页 |
| 第5章 氧化镓基日盲紫外探测器制备及其性质研究 | 第59-68页 |
| 5.1 引言 | 第59页 |
| 5.2 非晶a-GaO_x和β-Ga_2O_3薄膜性质比较分析 | 第59-62页 |
| 5.3 非晶氧化镓薄膜的器件性能分析 | 第62-64页 |
| 5.4 掺Sn氧化镓薄膜的器件性能分析 | 第64-67页 |
| 5.4.1 Ga_2O_3:Sn薄膜晶体结构分析 | 第64-65页 |
| 5.4.2 Ga_2O_3:Sn薄膜光学性质分析 | 第65-66页 |
| 5.4.3 Ga_2O_3:Sn薄膜器件光谱响应度分析 | 第66-67页 |
| 5.5 本章小结 | 第67-68页 |
| 结论 | 第68-69页 |
| 参考文献 | 第69-73页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文及其他成果 | 第73-75页 |
| 致谢 | 第75页 |