| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-8页 |
| 第1章 绪论 | 第14-36页 |
| 1.1 课题研究目的和意义 | 第14-15页 |
| 1.2 Si_3N_4简介 | 第15-16页 |
| 1.3 准一维Si_3N_4纳米材料 | 第16-35页 |
| 1.3.1 准一维Si_3N_4纳米材料的制备 | 第17-26页 |
| 1.3.2 准一维Si_3N_4纳米材料的生长机理 | 第26-29页 |
| 1.3.3 准一维Si_3N_4纳米材料的性能 | 第29-35页 |
| 1.4 研究目的及主要研究内容 | 第35-36页 |
| 第2章 试验材料及方法 | 第36-44页 |
| 2.1 原材料及仪器 | 第36-37页 |
| 2.1.1 原材料 | 第36-37页 |
| 2.1.2 仪器设备 | 第37页 |
| 2.2 试验方法 | 第37-39页 |
| 2.2.1 准一维Si_3N_4纳米材料的制备 | 第37-38页 |
| 2.2.2 宏量准一维Si_3N_4纳米材料的制备 | 第38-39页 |
| 2.3 材料组织结构分析与方法 | 第39-40页 |
| 2.3.1 扫描电子显微镜和X射线能谱仪 | 第39页 |
| 2.3.2 X-射线衍射 | 第39页 |
| 2.3.3 透射电子显微镜 | 第39-40页 |
| 2.3.4 傅里叶变换红外光谱 | 第40页 |
| 2.4 准一维Si_3N_4纳米材料的性能测试方法 | 第40-44页 |
| 2.4.1 力学性能测试 | 第40-42页 |
| 2.4.2 光学性能测试 | 第42页 |
| 2.4.3 吸波性能测试 | 第42-44页 |
| 第3章 准一维Si_3N_4纳米材料的制备与表征 | 第44-78页 |
| 3.1 原材料与制备方法的选择 | 第44-49页 |
| 3.1.1 原材料的选择 | 第44-47页 |
| 3.1.2 制备方法的选择 | 第47-49页 |
| 3.2 工艺参数的选择 | 第49-60页 |
| 3.2.1 反应温度 | 第50-55页 |
| 3.2.2 保温时间 | 第55-56页 |
| 3.2.3 气体流速 | 第56-60页 |
| 3.3 宏量准一维Si_3N_4纳米材料的制备 | 第60-66页 |
| 3.3.1 组分的选择 | 第62-63页 |
| 3.3.2 反应温度的选择 | 第63-64页 |
| 3.3.3 保温时间的选择 | 第64-65页 |
| 3.3.4 反应气氛的影响 | 第65-66页 |
| 3.3.5 气体流速的选择 | 第66页 |
| 3.4 准一维Si_3N_4纳米材料的表征 | 第66-75页 |
| 3.4.1 组织形貌观测与分析 | 第67-69页 |
| 3.4.2 物相表征与分析 | 第69-71页 |
| 3.4.3 微结构表征与分析 | 第71-72页 |
| 3.4.4 元素组成与分析 | 第72页 |
| 3.4.5 物相成键状态与分析 | 第72-75页 |
| 3.5 石墨纸基Si_3N_4纳米纤维薄膜 | 第75-77页 |
| 3.6 本章小结 | 第77-78页 |
| 第4章 准一维Si_3N_4纳米材料的生长机理 | 第78-88页 |
| 4.1 Si_3N_4纳米带的生长机理 | 第78-84页 |
| 4.2 宏量Si_3N_4纳米线的生长机理 | 第84-86页 |
| 4.3 石墨纸基Si_3N_4纳米纤维薄膜的生长机理 | 第86-87页 |
| 4.4 本章小结 | 第87-88页 |
| 第5章 准一维Si_3N_4纳米材料的性能 | 第88-118页 |
| 5.1 准一维Si_3N_4纳米材料的力学性能 | 第88-96页 |
| 5.1.1 Si_3N_4纳米带的力学性能 | 第88-93页 |
| 5.1.2 Si_3N_4纳米线的力学性能 | 第93-96页 |
| 5.2 准一维Si_3N_4纳米材料的光学性能 | 第96-103页 |
| 5.2.1 Si_3N_4纳米带的光学性能 | 第97-102页 |
| 5.2.2 Si_3N_4纳米线的光学性能 | 第102-103页 |
| 5.3 含准一维Si_3N_4纳米材料的多孔坯体吸波性能 | 第103-117页 |
| 5.4 本章小结 | 第117-118页 |
| 结论 | 第118-120页 |
| 参考文献 | 第120-136页 |
| 攻读博士学位期间发表的论文及其它成果 | 第136-140页 |
| 致谢 | 第140-142页 |
| 个人简历 | 第142页 |
