| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第11-13页 |
| 第二章 文献综述 | 第13-35页 |
| 2.1 陷光结构的原理 | 第13-18页 |
| 2.1.1 几何陷光原理 | 第13-14页 |
| 2.1.2 增透膜陷光原理 | 第14-16页 |
| 2.1.3 固体浸润性理论 | 第16-18页 |
| 2.2 增透膜的研究历程及现状 | 第18-25页 |
| 2.2.1 增透膜的研究历程 | 第18-19页 |
| 2.2.2 目前增透膜的常用的制备方法 | 第19-25页 |
| 2.3 晶硅太阳电池中的陷光结构 | 第25-34页 |
| 2.3.1 晶硅太阳电池简介 | 第25-27页 |
| 2.3.2 光学损失 | 第27-28页 |
| 2.3.3 晶硅太阳电池中常用的减反射结构 | 第28-29页 |
| 2.3.4 金刚线切割多晶硅片的制绒 | 第29-34页 |
| 2.4 本文研究的目的及内容 | 第34-35页 |
| 第三章 实验 | 第35-41页 |
| 3.1 实验内容 | 第35-36页 |
| 3.1.1 酸液雾化腐蚀法制备硅酸盐玻璃表面陷光结构及其浸润性改性 | 第35页 |
| 3.1.2 金刚线切割多晶硅片表面线痕的去除与雾化腐蚀法制备多孔陷光结构 | 第35页 |
| 3.1.3 铜离子辅助刻蚀法制备金刚线切割多晶硅片表面陷光结构 | 第35-36页 |
| 3.1.4 主要创新点 | 第36页 |
| 3.2 实验试剂 | 第36页 |
| 3.3 实验设备 | 第36-38页 |
| 3.3.1 雾化器 | 第36-37页 |
| 3.3.2 激光划片机 | 第37-38页 |
| 3.3.3 其他实验设备 | 第38页 |
| 3.4 测试设备 | 第38-41页 |
| 3.4.1 紫外-可见-近红外分光光度计(UV/VIS/NIR) | 第38-39页 |
| 3.4.2 扫描电子显微镜(SEM) | 第39页 |
| 3.4.3 少子寿命测试仪 | 第39页 |
| 3.4.4 原子力显微镜(AFM) | 第39页 |
| 3.4.5 接触角测试仪 | 第39-41页 |
| 第四章 酸液雾化腐蚀法制备硅酸盐玻璃表面陷光结构及其浸润性改性 | 第41-55页 |
| 4.1 引言 | 第41页 |
| 4.2 实验 | 第41-43页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第43-53页 |
| 4.3.1 酸雾腐蚀液浓度对玻璃表面多孔陷光结构和透光性的影响 | 第43-46页 |
| 4.3.2 酸雾腐蚀温度对玻璃表面多孔陷光结构和透光性的影响 | 第46-49页 |
| 4.3.3 酸雾腐蚀时间对玻璃表面多孔陷光结构和透光性的影响 | 第49-52页 |
| 4.3.4 玻璃表面浸润性及防雾性能表征 | 第52-53页 |
| 4.4 本章小结 | 第53-55页 |
| 第五章 金刚线切割多晶硅片表面线痕的去除与酸液雾化腐蚀法制备多孔陷光结构 | 第55-65页 |
| 5.1 引言 | 第55-57页 |
| 5.2 实验 | 第57页 |
| 5.3 结果与讨论 | 第57-63页 |
| 5.3.1 反应温度、氢氟酸浓度和反应时间对线痕去除的影响 | 第57-59页 |
| 5.3.2 去线痕效果展示 | 第59-60页 |
| 5.3.3 酸雾腐蚀温度对样品表面反射率的影响 | 第60-61页 |
| 5.3.4 酸雾腐蚀时间对样品表面形貌和反射率的影响 | 第61-63页 |
| 5.4 本章小结 | 第63-65页 |
| 第六章 铜离子辅助刻蚀法制备金刚线切割多晶硅片表面陷光结构 | 第65-75页 |
| 6.1 引言 | 第65页 |
| 6.2 铜离子辅助一步法制备金刚线切割多晶硅片表面陷光结构与表征 | 第65-69页 |
| 6.2.1 前言 | 第65页 |
| 6.2.2 实验 | 第65-66页 |
| 6.2.3 结果与讨论 | 第66-69页 |
| 6.3 铜离子辅助两步法制备金刚线切割多晶硅片表面陷光结构与表征 | 第69-74页 |
| 6.3.1 前言 | 第69页 |
| 6.3.2 实验 | 第69-70页 |
| 6.3.3 结果与讨论 | 第70-74页 |
| 6.4 本章小结 | 第74-75页 |
| 第七章 结论 | 第75-77页 |
| 参考文献 | 第77-83页 |
| 致谢 | 第83-85页 |
| 个人简历 | 第85-87页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文与取得的其他研究成果 | 第87页 |
