| 摘要 | 第4-5页 |
| abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-12页 |
| 1.1 引言 | 第9-10页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第10-11页 |
| 1.3 本文的研究内容 | 第11-12页 |
| 第二章 理论基础 | 第12-19页 |
| 2.1 γ射线与物质的相互作用 | 第12-14页 |
| 2.1.1 光电效应 | 第12-13页 |
| 2.1.2 康普顿散射 | 第13页 |
| 2.1.3 电子对效应 | 第13-14页 |
| 2.2 带电粒子与物质相互作用 | 第14-16页 |
| 2.2.1 带电粒子与核外电子的非弹性碰撞 | 第14-15页 |
| 2.2.2 带电粒子与原子核的非弹性碰撞(韧致辐射) | 第15页 |
| 2.2.3 带电粒子与原子核的弹性碰撞 | 第15-16页 |
| 2.2.4 带电粒子与原子核的核反应 | 第16页 |
| 2.3 γ射线在物质中的衰减规律 | 第16-17页 |
| 2.3.1 窄束与宽束 | 第16页 |
| 2.3.2 窄束γ射线的衰减规律 | 第16-17页 |
| 2.3.3 宽束γ射线的减弱规律 | 第17页 |
| 2.4 积累因子 | 第17-19页 |
| 2.4.1 积累因子定义 | 第17-18页 |
| 2.4.2 积累因子的影响因素 | 第18-19页 |
| 第三章 方法与模型 | 第19-27页 |
| 3.1 蒙特卡罗方法 | 第19页 |
| 3.2 MCNP模拟程序 | 第19-27页 |
| 3.2.1 几何结构 | 第20-21页 |
| 3.2.2 材料 | 第21页 |
| 3.2.3 物理特性 | 第21-23页 |
| 3.2.4 源(Sdef) | 第23页 |
| 3.2.5 记数(Tally) | 第23-25页 |
| 3.2.6 输出控制 | 第25页 |
| 3.2.7 材料填充 | 第25-27页 |
| 第四章 模拟数据与结果分析 | 第27-35页 |
| 4.1 模拟内容 | 第27-29页 |
| 4.1.1 不同γ射线能量下宽束γ射线照射量与窄束γ射线照射量 | 第27页 |
| 4.1.2 不同屏蔽厚度下宽束γ射线照射量与窄束γ射线照射量 | 第27-28页 |
| 4.1.3 不同屏蔽材料下宽束γ射线照射量与窄束伽马与窄束γ射线照射量 | 第28-29页 |
| 4.2 数据处理与分析 | 第29-33页 |
| 4.2.1 不同能量γ射线下韧致辐射对积累因子的影响 | 第29-30页 |
| 4.2.2 不同屏蔽厚度下韧致辐射对积累因子的影响 | 第30-31页 |
| 4.2.3 不同屏蔽材料下韧致辐射对积累因子的影响 | 第31-33页 |
| 4.3 模拟结果验证 | 第33-35页 |
| 4.3.1 不考虑轫致辐射 | 第33页 |
| 4.3.2 考虑轫致辐射 | 第33-35页 |
| 第五章 结论与展望 | 第35-38页 |
| 5.1 结论 | 第35-36页 |
| 5.2 展望 | 第36-38页 |
| 参考文献 | 第38-40页 |
| 作者硕士期间论文发表情况 | 第40-41页 |
| 致谢 | 第41页 |
