| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第11-24页 |
| 1.1 信息显示技术 | 第11页 |
| 1.2 新型显示技术 | 第11-19页 |
| 1.2.1 薄膜晶体管 | 第12-17页 |
| 1.2.2 透明导电薄膜 | 第17-19页 |
| 1.3 掺杂氧化锌体系的研究进展 | 第19-22页 |
| 1.3.1 氧化锌的基本性质 | 第19-20页 |
| 1.3.2 镁掺杂氧化锌 | 第20-21页 |
| 1.3.3 锡掺杂氧化锌 | 第21页 |
| 1.3.4 其它掺杂体系氧化锌 | 第21-22页 |
| 1.4 我们的工作内容和意义 | 第22-24页 |
| 第二章 实验设备、原理、器件制备以及性能表征 | 第24-30页 |
| 2.1 引言 | 第24页 |
| 2.2 薄膜制备 | 第24-27页 |
| 2.2.1 物理气相沉积 | 第24-25页 |
| 2.2.2 化学气相沉积 | 第25页 |
| 2.2.3 原子层沉积 | 第25-26页 |
| 2.2.4 溶液加工法 | 第26-27页 |
| 2.3 表征方法 | 第27-30页 |
| 2.3.1 薄膜厚度 | 第27-28页 |
| 2.3.2 薄膜表面形貌及成分分析 | 第28页 |
| 2.3.3 薄膜光学及电学性能 | 第28-29页 |
| 2.3.4 稳定性 | 第29页 |
| 2.3.5 薄膜晶体管性能表征 | 第29-30页 |
| 第三章 溶液法ZTO在背沟道刻蚀薄膜晶体管的应用 | 第30-53页 |
| 3.1 引言 | 第30-31页 |
| 3.2 薄膜及器件制备 | 第31-33页 |
| 3.2.1 ZTO薄膜制备 | 第31-32页 |
| 3.2.2 BCE结构MOTFT的制备 | 第32-33页 |
| 3.3 不同比例锡掺杂对薄膜晶体管的影响 | 第33-36页 |
| 3.3.1 TFT器件基本性能 | 第33-34页 |
| 3.3.2 不同比例ZTO薄膜表征 | 第34-35页 |
| 3.3.3 Mo/ZTO/a-IZO的接触电阻 | 第35页 |
| 3.3.4 背沟道结构a-IZO TFT的稳定性 | 第35-36页 |
| 3.4 不同固化温度对薄膜晶体管性能影响 | 第36-41页 |
| 3.4.1 短沟道效应 | 第37-38页 |
| 3.4.2 不同固化温度下偏压稳定性的分析 | 第38-40页 |
| 3.4.3 ZTO薄膜分析 | 第40-41页 |
| 3.5 ZTO薄膜抗刻蚀机理分析 | 第41-42页 |
| 3.6 ZTO薄膜在不同有源层体系下的应用 | 第42-44页 |
| 3.7 ZTO对薄膜晶体管稳定性影响的机理分析 | 第44-46页 |
| 3.8 钝化层沉积对薄膜晶体管影响 | 第46-48页 |
| 3.9 背沟道刻蚀薄膜晶体管在AMOLED的应用 | 第48-52页 |
| 3.9.1 AMOLED基本结构 | 第48-49页 |
| 3.9.2 驱动背板工艺路线 | 第49-50页 |
| 3.9.3 MOTFT版图设计 | 第50-51页 |
| 3.9.4 AMOLED单色显示屏 | 第51-52页 |
| 3.10 本章小结 | 第52-53页 |
| 第四章 掺杂氧化锌与银纳米线复合柔性透明导电薄膜 | 第53-69页 |
| 4.1 柔性透明导电薄膜的简介 | 第53-54页 |
| 4.2 掺杂氧化锌与银纳米线复合透明导电薄膜的制备 | 第54-55页 |
| 4.2.1 银纳米线透明导电薄膜的制备 | 第54页 |
| 4.2.2 掺杂氧化锌薄膜的制备 | 第54-55页 |
| 4.3 银纳米线透明导电薄膜基本性能 | 第55-56页 |
| 4.4 铝掺杂氧化锌对复合透明导电薄膜的影响 | 第56-57页 |
| 4.5 镁掺杂氧化锌对复合透明导电薄膜的影响 | 第57-65页 |
| 4.5.1 AgNW/ZMO薄膜的光学特性和电学特性 | 第58-59页 |
| 4.5.2 AgNW/ZMO薄膜的耐温性能 | 第59-60页 |
| 4.5.3 AgNW/ZMO薄膜的稳定性 | 第60页 |
| 4.5.4 AgNW/ZMO薄膜的弯折性能 | 第60-62页 |
| 4.5.5 AgNW/ZMO的性能分析 | 第62-65页 |
| 4.6 透明导电薄膜在OLED器件的应用 | 第65-66页 |
| 4.7 溶液法ZTO图形化银纳米线透明导电薄膜 | 第66-68页 |
| 4.8 本章小结 | 第68-69页 |
| 结论 | 第69-71页 |
| 参考文献 | 第71-81页 |
| 攻读硕士学位期间取得的研究成果 | 第81-83页 |
| 致谢 | 第83-84页 |
| 附件 | 第84页 |