背点接触式薄膜硅光电池的研究
| 摘要 | 第5-6页 |
| abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-18页 |
| 1.1 引言 | 第10-11页 |
| 1.2 太阳能电池分类 | 第11页 |
| 1.3 背接触式太阳能电池的研究意义 | 第11-13页 |
| 1.4 背接触式太阳能电池的研究进展 | 第13-16页 |
| 1.5 研究背点接触式硅光电池的意义 | 第16页 |
| 1.6 本论文的组织结构 | 第16-18页 |
| 第二章 晶硅电池的基本原理 | 第18-29页 |
| 2.1 光生伏特效应 | 第18-19页 |
| 2.2 硅光电池参数 | 第19-23页 |
| 2.2.1 短路电流 | 第20-21页 |
| 2.2.2 开路电压 | 第21-22页 |
| 2.2.3 填充因子 | 第22页 |
| 2.2.4 转换效率 | 第22-23页 |
| 2.3 影响硅光电池效率因素 | 第23-28页 |
| 2.3.1 光学损失 | 第23-26页 |
| 2.3.2 电学损失 | 第26-28页 |
| 2.4 本章小节 | 第28-29页 |
| 第三章 背点接触式硅光电池的建模分析与优化设计 | 第29-39页 |
| 3.1 SilvacoTCAD介绍 | 第29页 |
| 3.2 厚度对电池效率的影响 | 第29-31页 |
| 3.3 背点接触式硅光电池的优化设计 | 第31-38页 |
| 3.3.1 P区接触宽度优化 | 第31-33页 |
| 3.3.2 N区接触宽度优化 | 第33-34页 |
| 3.3.3 P、N间距的优化 | 第34-35页 |
| 3.3.4 掺杂时间的优化 | 第35-36页 |
| 3.3.5 P接触孔深度的优化 | 第36-38页 |
| 3.4 本章小结 | 第38-39页 |
| 第四章 背点接触式薄膜电池的制备工艺研究 | 第39-65页 |
| 4.1 技术方案 | 第39-40页 |
| 4.2 工艺步骤 | 第40-64页 |
| 4.2.1 硅片清洗 | 第40-41页 |
| 4.2.2 高温扩散 | 第41-44页 |
| 4.2.3 热氧化 | 第44-48页 |
| 4.2.4 光刻 | 第48-52页 |
| 4.2.5 湿法腐蚀 | 第52-56页 |
| 4.2.6 镀金属电极 | 第56-58页 |
| 4.2.7 刻蚀金属电极 | 第58-61页 |
| 4.2.8 退火 | 第61页 |
| 4.2.9 干法刻蚀 | 第61-64页 |
| 4.3 本章小结 | 第64-65页 |
| 第五章 电池性能测试和分析 | 第65-70页 |
| 5.1 厚硅电池性能研究 | 第65-66页 |
| 5.2 氮化硅减反膜的薄膜电池性能研究 | 第66-69页 |
| 5.2.1 氮化硅减反膜的制备 | 第67-68页 |
| 5.2.2 氮化硅减反膜的性能研究 | 第68-69页 |
| 5.3 本章小结 | 第69-70页 |
| 第六章 全文总结与展望 | 第70-72页 |
| 6.1 论文工作总结 | 第70页 |
| 6.2 研究工作展望 | 第70-72页 |
| 致谢 | 第72-73页 |
| 参考文献 | 第73-76页 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 | 第76页 |
