摘要 | 第4-6页 |
ABSTRACT | 第6-7页 |
第一章 绪论 | 第9-21页 |
1.1 引言 | 第9-12页 |
1.2 GaN材料特性 | 第12-14页 |
1.3 石墨烯的材料特性 | 第14-16页 |
1.4 欧姆接触原理 | 第16-17页 |
1.5 紫外LED器件的研究现状 | 第17-18页 |
1.6 本论文的研究意义和主要内容 | 第18-21页 |
第二章 Ag激活下石墨烯与p-GaN的欧姆接触 | 第21-28页 |
2.1 研究背景 | 第21页 |
2.2 Ag激活下石墨烯/GaN接触研究 | 第21-24页 |
2.2.1 Ag激活下石墨烯/GaN接触研究实验流程 | 第21-23页 |
2.2.2 Ag激活下石墨烯/GaN接触的实验结果 | 第23-24页 |
2.3 Ag退火物理机制研究 | 第24-27页 |
2.4 本章小结 | 第27-28页 |
第三章 不同厚度Ag对近紫外LED光学、电学性能的影响 | 第28-42页 |
3.1 研究背景 | 第28页 |
3.2 石墨烯/AgNDs电极正装近紫外LED的工艺制备过程 | 第28-30页 |
3.3 石墨烯/Ag纳米点电极正装近紫外LED的光学性能 | 第30-36页 |
3.3.1 实验结果 | 第30-31页 |
3.3.2 FDTD仿真对比 | 第31-35页 |
3.3.3 探究透射率极值位置的调节方法 | 第35-36页 |
3.4 石墨烯/Ag纳米点电极正装近紫外LED的电学性能 | 第36-38页 |
3.5 石墨烯/Ag纳米点电极正装近紫外LED的微观结构 | 第38-41页 |
3.6 本章小结 | 第41-42页 |
第四章 总结与展望 | 第42-45页 |
4.1 论文总结 | 第42-43页 |
4.2 工作展望 | 第43-45页 |
参考文献 | 第45-49页 |
发表论文目录 | 第49-50页 |
致谢 | 第50-51页 |