| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 目录 | 第9-12页 |
| 第1章 理论方法简介 | 第12-36页 |
| 1.1 电子结构理论 | 第12-18页 |
| 1.1.1 Hartree-Fock理论及post-HF方法简介 | 第12页 |
| 1.1.2 DFT理论 | 第12-17页 |
| 1.1.3 常用软件包简介 | 第17页 |
| 1.1.4 几何结构与可视化工具 | 第17-18页 |
| 1.2 反应动力学 | 第18-20页 |
| 1.2.1 过渡态理论 | 第18-19页 |
| 1.2.2 过渡态搜寻 | 第19-20页 |
| 1.3 STM理论和实验简介 | 第20-29页 |
| 1.3.1 一维隧穿的理论处理方法 | 第20-24页 |
| 1.3.2 修改的Bardeen微扰方法 | 第24-26页 |
| 1.3.3 Tersoff-Hamann近似 | 第26-27页 |
| 1.3.4 扫描隧道显微镜仪器的物理原理 | 第27-29页 |
| 1.4 参考文献 | 第29-36页 |
| 第2章 ZnO(000±1)极性表面生长机理 | 第36-66页 |
| 2.1 背景介绍 | 第36-38页 |
| 2.2 计算细节 | 第38-39页 |
| 2.3 结果与讨论 | 第39-54页 |
| 2.3.1 (0001)以Zn为终端的极性表面团簇吸附生长 | 第39-46页 |
| 2.3.2 (0001)以O为终端的极性表面团簇吸附生长 | 第46-52页 |
| 2.3.3 两极性表面平台单原子扩散研究 | 第52-54页 |
| 2.3.4 小结 | 第54页 |
| 2.4 附录 | 第54-61页 |
| 2.5 参考文献 | 第61-66页 |
| 第3章 台阶对ZnO生长的影响 | 第66-84页 |
| 3.1 研究背景 | 第66页 |
| 3.2 计算方法 | 第66-67页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第67-81页 |
| 3.3.1 阶梯稳定性研究 | 第67-73页 |
| 3.3.2 (0001)以Zn为终端表面阶梯附近吸附Zn/O原子扩散研究 | 第73-77页 |
| 3.3.3 0001以O为终端表面阶梯附近吸附Zn/O原子扩散研究 | 第77-81页 |
| 3.4 本章小结 | 第81-82页 |
| 3.5 参考文献 | 第82-84页 |
| 第4章 碳化物形成对石墨烯生长的影响 | 第84-96页 |
| 4.1 研究背景 | 第84页 |
| 4.2 计算细节 | 第84-85页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第85-92页 |
| 4.3.1 碳在Mo_2C体相中的扩散 | 第85-88页 |
| 4.3.2 碳在Mo_2C表面的扩散研究 | 第88-92页 |
| 4.4 讨论与小结 | 第92页 |
| 4.5 参考文献 | 第92-96页 |
| 第5章 Cu(110)表面石墨烯生长的中间物种 | 第96-106页 |
| 5.1 背景介绍 | 第96-97页 |
| 5.2 实验结果 | 第97页 |
| 5.3 计算细节 | 第97-99页 |
| 5.4 结果与讨论 | 第99-102页 |
| 5.5 小结 | 第102页 |
| 5.6 参考文献 | 第102-106页 |
| 第6章 VOPC分子在石墨烯上的可逆转换 | 第106-118页 |
| 6.1 背景介绍 | 第106页 |
| 6.2 计算细节 | 第106-107页 |
| 6.3 结果和讨论 | 第107-112页 |
| 6.4 小结 | 第112页 |
| 6.5 参考文献 | 第112-118页 |
| 致谢 | 第118-119页 |
| 在读期间发表的学术论文与取得的其他研究成果 | 第119页 |
