CCD图像传感器模型仿真研究
| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-12页 |
| 1.1 课题的研究背景及意义 | 第9页 |
| 1.2 国内外CCD研究现状 | 第9-10页 |
| 1.3 本论文的研究内容与方法 | 第10页 |
| 1.4 章节安排 | 第10-12页 |
| 第二章 CCD理论基础 | 第12-21页 |
| 2.1 CCD原理 | 第12页 |
| 2.2 电荷存储原理 | 第12-15页 |
| 2.2.1 电荷耦合原理 | 第13-14页 |
| 2.2.2 CCD图像传感器原理 | 第14-15页 |
| 2.3 CCD的分类 | 第15-16页 |
| 2.4 CCD的性能指标 | 第16-17页 |
| 2.5 CCD噪声 | 第17-18页 |
| 2.6 新型CCD介绍 | 第18-20页 |
| 2.6.1 背照式CCD | 第18-19页 |
| 2.6.2 增强型CCD | 第19页 |
| 2.6.3 电子倍增CCD | 第19页 |
| 2.6.4 超级CCD | 第19-20页 |
| 2.7 本章小结 | 第20-21页 |
| 第三章 光电二极管 | 第21-33页 |
| 3.1 光电二极管分类 | 第21-22页 |
| 3.2 光电二极管的原理 | 第22-28页 |
| 3.2.1 N型衬底中的光生电流密度 | 第23-25页 |
| 3.2.2 氧化层中的空间电荷层 | 第25页 |
| 3.2.3 P区中的电流密度 | 第25-27页 |
| 3.2.4 耗尽区的电流密度 | 第27-28页 |
| 3.3 光电二极管模型仿真 | 第28-32页 |
| 3.3.1 结深对响应度的影响 | 第30-31页 |
| 3.3.2 掺杂对响应度的影响 | 第31页 |
| 3.3.3 表面复合速度对响应度的影响 | 第31-32页 |
| 3.4 本章小结 | 第32-33页 |
| 第四章 传感器MTF模型建立 | 第33-48页 |
| 4.1 MTF简介 | 第33-35页 |
| 4.1.1 MTF的定义 | 第33-34页 |
| 4.1.2 CCD像元积分采样过程 | 第34-35页 |
| 4.2 CCD像元的MTF | 第35-46页 |
| 4.2.1 像元积分采样MTF | 第35-42页 |
| 4.2.2 像元传输MTF | 第42-44页 |
| 4.2.3 像元扩散MTF | 第44-46页 |
| 4.3 CCD器件的总MTF | 第46-47页 |
| 4.4 本章小结 | 第47-48页 |
| 第五章 电荷转移效率模型 | 第48-59页 |
| 5.1 信号电荷传输模型的建立 | 第48-53页 |
| 5.1.1 热扩散对转移效率的影响 | 第49-50页 |
| 5.1.2 自感电场对转移效率的影响 | 第50-52页 |
| 5.1.3 边缘电场对转移效率的影响 | 第52-53页 |
| 5.1.4 总转移效率模型 | 第53页 |
| 5.2 转移效率仿真结果与分析 | 第53-57页 |
| 5.2.1 单独作用时的转移效率 | 第54-55页 |
| 5.2.2 栅长对于转移效率的影响 | 第55-56页 |
| 5.2.3 氧化层厚度对转移效率的影响 | 第56页 |
| 5.2.4 驱动电压对于转移效率的影响 | 第56页 |
| 5.2.5 载流子注入浓度对转移效率的影响 | 第56-57页 |
| 5.3 模型验证 | 第57页 |
| 5.4 本章小结 | 第57-59页 |
| 第六章 总结与展望 | 第59-60页 |
| 致谢 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-64页 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 | 第64-65页 |
