用于片上集成相控阵收发芯片的毫米波移相器设计与研究
摘要 | 第5-6页 |
Abstract | 第6页 |
第1章 绪论 | 第13-19页 |
1.1 研究背景和意义 | 第13-15页 |
1.2 相控阵技术的国内外发展现状 | 第15-16页 |
1.3 移相器的国内外研究现状 | 第16-17页 |
1.4 本文主要内容与组织安排 | 第17-18页 |
1.5 本章小结 | 第18-19页 |
第2章 移相器概述 | 第19-37页 |
2.1 移相器的原理 | 第19-21页 |
2.1.1 相移的概念 | 第19-20页 |
2.1.2 移相器的基本原理 | 第20-21页 |
2.2 移相器的性能指标 | 第21-26页 |
2.2.1 工作频带 | 第21页 |
2.2.2 移相精度 | 第21页 |
2.2.3 相位误差 | 第21-22页 |
2.2.4 插入损耗 | 第22页 |
2.2.5 增益误差 | 第22-23页 |
2.2.6 线性度 | 第23-25页 |
2.2.7 其他性能指标 | 第25-26页 |
2.3 移相器的分类 | 第26-32页 |
2.3.1 反射型移相器 | 第26-27页 |
2.3.2 加载线型移相器 | 第27-29页 |
2.3.3 开关线型移相器 | 第29-30页 |
2.3.4 高通/低通滤波器型移相器 | 第30-32页 |
2.4 相控阵系统中的移相器 | 第32-36页 |
2.4.1 本振移相器 | 第34-35页 |
2.4.2 射频移相器 | 第35-36页 |
2.5 本章小结 | 第36-37页 |
第3章 有源矢量合成移相器结构设计 | 第37-51页 |
3.1 矢量合成移相的信号分析 | 第37-38页 |
3.2 有源矢量合成移相器的结构分析 | 第38-39页 |
3.3 正交信号产生单元 | 第39-44页 |
3.3.1 电压多相滤波器 | 第39-41页 |
3.3.2 电流模式滤波器 | 第41-42页 |
3.3.3 正交合成耦合器 | 第42-44页 |
3.4 可变增益放大器 | 第44-46页 |
3.5 信号合成/分配单元 | 第46-48页 |
3.6 匹配网络的实现 | 第48-49页 |
3.7 本章小结 | 第49-51页 |
第4章 片上无源器件的设计 | 第51-65页 |
4.1 兰格耦合器 | 第51-55页 |
4.1.1 兰格耦合器概述 | 第51-52页 |
4.1.2 兰格耦合器的理论分析 | 第52-55页 |
4.2 片上电感 | 第55-58页 |
4.2.1 片上电感的必要性 | 第55-56页 |
4.2.2 片上电感的基本结构 | 第56-58页 |
4.3 变压器概述 | 第58-63页 |
4.3.1 理想变压器原理 | 第59页 |
4.3.2 电感耦合变压器 | 第59-61页 |
4.3.3 变压器匹配 | 第61-62页 |
4.3.4 片上变压器的设计 | 第62-63页 |
4.4 本章小结 | 第63-65页 |
第5章 有源矢量合成移相器芯片设计 | 第65-83页 |
5.1 主要设计性能指标 | 第65-66页 |
5.2 整体结构 | 第66页 |
5.3 单元模块电路设计 | 第66-71页 |
5.3.1 移相器核心电路 | 第66-69页 |
5.3.2 兰格耦合器 | 第69页 |
5.3.3 电压偏置电路 | 第69-70页 |
5.3.4 阻抗匹配网络 | 第70-71页 |
5.4 版图设计 | 第71-77页 |
5.4.1 版图设计流程 | 第71-72页 |
5.4.2 整体版图设计 | 第72-74页 |
5.4.3 移相器核心电路版图设计 | 第74-75页 |
5.4.4 无源器件 | 第75-77页 |
5.5 电路仿真结果 | 第77-82页 |
5.5.1 移相误差 | 第77页 |
5.5.2 插入损耗以及增益一致性 | 第77-78页 |
5.5.3 阻抗匹配 | 第78-79页 |
5.5.4 线性度 | 第79-80页 |
5.5.5 直流功耗 | 第80-81页 |
5.5.6 温度影响 | 第81-82页 |
5.6 本章小结 | 第82-83页 |
第6章 有源矢量合成移相器芯片测试 | 第83-91页 |
6.1 测试方案 | 第83-85页 |
6.2 测试结果 | 第85-89页 |
6.2.1 测试情景一 | 第85-88页 |
6.2.2 测试情景二 | 第88-89页 |
6.3 本章小结 | 第89-91页 |
结论 | 第91-93页 |
1、 总结 | 第91页 |
2、 下一步工作 | 第91-93页 |
参考文献 | 第93-97页 |
致谢 | 第97页 |