| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-24页 |
| 1.1 研究背景与意义 | 第8-9页 |
| 1.2 使用电子显微学表征低维纳米材料原子结构的研究进展 | 第9-23页 |
| 1.2.1 二硫化钼纳米薄片的电子显微学研究进展 | 第9-20页 |
| 1.2.2 纳米管的电子显微学研究进展 | 第20-23页 |
| 1.3 本文主要研究内容 | 第23-24页 |
| 第二章 电子显微学理论基础 | 第24-38页 |
| 2.1 衬度及衬度的分类 | 第24-27页 |
| 2.1.1 振幅衬度 | 第24-25页 |
| 2.1.2 相位衬度 | 第25-27页 |
| 2.2 电子衍射的理论基础 | 第27-32页 |
| 2.2.1 布拉格公式 | 第27-28页 |
| 2.2.2 劳厄方程 | 第28-29页 |
| 2.2.3 埃瓦尔德球 | 第29-30页 |
| 2.2.4 结构因子 | 第30-32页 |
| 2.3 电子显微镜成像特性 | 第32-37页 |
| 2.3.1 球差、像散 | 第33-35页 |
| 2.3.2 辐照损伤、色差 | 第35-36页 |
| 2.3.3 球差校正器 | 第36-37页 |
| 2.4 小结 | 第37-38页 |
| 第三章 应用电子显微学表征低维纳米材料的结构 | 第38-52页 |
| 3.1 碳纳米管结构因子的数学推导 | 第38-41页 |
| 3.1.1 对单壁碳纳米管的几何描述 | 第39页 |
| 3.1.2 单壁碳纳米管的选择定则 | 第39-41页 |
| 3.2 各种晶体能卷成纳米管的条件 | 第41-43页 |
| 3.2.1 二维晶体的分类 | 第41页 |
| 3.2.2 不同类型点阵的约束条件 | 第41-43页 |
| 3.3 二硫化钼二维纳米薄片的电子衍射分析 | 第43-51页 |
| 3.3.1 二硫化钼的研究背景 | 第43-44页 |
| 3.3.2 实验方法 | 第44页 |
| 3.3.3 结果与分析 | 第44-45页 |
| 3.3.4 讨论 | 第45-51页 |
| 3.3.5 结论 | 第51页 |
| 3.4 小结 | 第51-52页 |
| 第四章 低维纳米材料的合成和应用 | 第52-82页 |
| 4.1 水热法结合化学气相沉积法合成二硫化钼纳米管 | 第52-65页 |
| 4.1.1 水热法合成三氧化钼纳米条带 | 第52-59页 |
| 4.1.2 化学气相沉积法合成二硫化钼纳米管 | 第59-65页 |
| 4.2 化学气相沉积法合成二硫化钼纳米薄片 | 第65-75页 |
| 4.2.1 实验方法 | 第65-67页 |
| 4.2.2 二硫化钼纳米薄片的表征 | 第67-75页 |
| 4.3 Hummer’s法合成氧化石墨烯/二硫化钨插层共混物 | 第75-80页 |
| 4.3.1 实验方法 | 第76-77页 |
| 4.3.2 石墨烯/二硫化钨插层共混物的表征 | 第77-80页 |
| 4.4 小结 | 第80-82页 |
| 第五章 结论与展望 | 第82-84页 |
| 5.1 论文的主要结论 | 第82页 |
| 5.2 展望 | 第82-84页 |
| 参考文献 | 第84-90页 |
| 致谢 | 第90-92页 |
| 个人简历、在学期间发表的学术论文与研究成果 | 第92-96页 |
