| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 目录 | 第7-9页 |
| 1 绪论 | 第9-16页 |
| 1.1 引言 | 第9-10页 |
| 1.2 石墨烯与二硫化钼 | 第10-12页 |
| 1.2.1 石墨烯的结构与性质 | 第10-11页 |
| 1.2.2 单层二硫化钼的结构与性质 | 第11-12页 |
| 1.3 量子反点与量子反点石墨烯 | 第12-14页 |
| 1.4 纳米带与二硫化钼纳米带 | 第14-16页 |
| 2 理论基础与研究方法 | 第16-26页 |
| 2.1 引言 | 第16-17页 |
| 2.2 第一性原理方法 | 第17-19页 |
| 2.2.1 Born-Oppenheimer近似 | 第18页 |
| 2.2.2 非相对论近似 | 第18-19页 |
| 2.3 密度泛函理论 | 第19-24页 |
| 2.3.1 Hohenberg-Kohn定理 | 第20-21页 |
| 2.3.2 Kohn-Sham方程 | 第21-22页 |
| 2.3.3 交换关联势 | 第22-24页 |
| 2.4 平面波方法与赝势方法 | 第24-25页 |
| 2.4.1 平面波方法 | 第24页 |
| 2.4.2 赝势方法 | 第24-25页 |
| 2.5 计算软件简介 | 第25-26页 |
| 3 量子反点石墨烯的电子性质 | 第26-33页 |
| 3.1 引言 | 第26-27页 |
| 3.2 计算模型与参数 | 第27-28页 |
| 3.3 计算结果与讨论 | 第28-32页 |
| 3.3.1 量子反点石墨烯的能带对称性 | 第28-29页 |
| 3.3.2 量子反点形状对电子结构的影响 | 第29-31页 |
| 3.3.3 晶格参数对电子结构的影响 | 第31-32页 |
| 3.4 本章小结 | 第32-33页 |
| 4 扶手椅型二硫化钼纳米带的边缘氢修饰 | 第33-42页 |
| 4.1 引言 | 第33-34页 |
| 4.2 计算模型与参数 | 第34-35页 |
| 4.3 计算结果与讨论 | 第35-41页 |
| 4.3.1 氢修饰方式对纳米带结构及其稳定性的影响 | 第35-36页 |
| 4.3.2 氢修饰方式对纳米带电子结构的影响 | 第36-38页 |
| 4.3.3 纳米带宽度对带隙的影响 | 第38-39页 |
| 4.3.4 氢修饰方式对纳米带磁性的影响 | 第39-41页 |
| 4.4 本章小结 | 第41-42页 |
| 5 总结与展望 | 第42-44页 |
| 5.1 总结 | 第42页 |
| 5.2 展望 | 第42-44页 |
| 参考文献 | 第44-53页 |
| 个人简历与攻读学位期间主要的研究成果 | 第53-55页 |
| 致谢 | 第55页 |