磁性隧道结的特性及其在直线位移传感器中的应用
| 中文摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-19页 |
| 1.1 介绍 | 第9页 |
| 1.2 磁电阻效应 | 第9-14页 |
| 1.2.1 正常磁电阻(OMR) | 第9页 |
| 1.2.2 各向异性磁电阻(AMR) | 第9-10页 |
| 1.2.3 巨磁电阻(GMR) | 第10-12页 |
| 1.2.4 庞磁电阻(CMR) | 第12页 |
| 1.2.5 隧道磁电阻(TMR) | 第12-14页 |
| 1.3 交换偏置 | 第14-15页 |
| 1.4 磁性隧道结的应用 | 第15-19页 |
| 1.4.1 MTJ在MARM中的应用 | 第16-17页 |
| 1.4.2 MTJ在硬盘读头中的应用 | 第17页 |
| 1.4.3 磁性传感器 | 第17-19页 |
| 第二章 MTJ的制备与性能测试 | 第19-27页 |
| 2.1 磁控溅射镀膜设备 | 第19-20页 |
| 2.2 MTJ的微纳加工过程 | 第20-23页 |
| 2.2.1 图形转移技术 | 第20-21页 |
| 2.2.2 激光直写光刻技术 | 第21页 |
| 2.2.3 MTJ的电极制备 | 第21-23页 |
| 2.3 退火 | 第23-24页 |
| 2.4 静态磁性的测量 | 第24-25页 |
| 2.5 MTJ的电学性能测试 | 第25-27页 |
| 第三章 TMR的性能研究 | 第27-48页 |
| 3.1 MTJ结构原理 | 第27-28页 |
| 3.2 自由层厚度对MTJ磁性能的影响 | 第28-30页 |
| 3.3 退火温度对MTJ磁性能的影响 | 第30-36页 |
| 3.4 PM磁场对MTJ性能的影响 | 第36-38页 |
| 3.5 MTJ噪声的测量与分析 | 第38-46页 |
| 3.5.1 MTJ的噪声来源及物理模型 | 第38-41页 |
| 3.5.2 低频噪声的测试系统 | 第41-42页 |
| 3.5.3 MTJ低频噪声的分布 | 第42-43页 |
| 3.5.4 电流对MTJ低频噪声影响 | 第43-46页 |
| 3.5.5 外界磁场对MTJ噪声的影响 | 第46页 |
| 3.6 本章小结 | 第46-48页 |
| 第四章 MTJ在直线位移传感器中的应用 | 第48-61页 |
| 4.1 TMR直线位移传感器设计 | 第48-49页 |
| 4.2 TMR芯片制备与设计 | 第49-52页 |
| 4.2.1 TMR芯片的制备 | 第49-50页 |
| 4.2.2 惠斯通电桥 | 第50-52页 |
| 4.3 空间磁场计算 | 第52-54页 |
| 4.4 磁路仿真分析 | 第54-57页 |
| 4.4.1 单调磁场仿真设计 | 第54-56页 |
| 4.4.2 均匀磁场仿真设计 | 第56-57页 |
| 4.5 TMR直线位移传感器测试结果及性能分析 | 第57-59页 |
| 4.6 本章小结 | 第59-61页 |
| 第五章 结论 | 第61-63页 |
| 参考文献 | 第63-68页 |
| 在学期间的研究成果 | 第68-69页 |
| 致谢 | 第69页 |
