| 1 摘要 | 第1-3页 |
| 2 ABSTRACT | 第3-5页 |
| 3 绪论:石墨烯纳米电子器件的发展背景与前景 | 第5-7页 |
| 4 非平衡态格林函数方法的第一性原理计算方案 | 第7-19页 |
| ·开放体系的推迟格林函数和Landauer-Butiker方程 | 第7-11页 |
| ·非平衡态格林函数数值算法 | 第11-12页 |
| ·开放体系的态密度和局域态密度 | 第12-15页 |
| ·表面格林函数的计算和紧束缚近似的验证 | 第15-19页 |
| 5 非平衡态输运性质的计算 | 第19-26页 |
| ·平衡态透射谱与能带结构的关系 | 第19-20页 |
| ·一维石墨烯条带对外电场的响应 | 第20-22页 |
| ·边界缺欠结的电极化作用对电流的调制 | 第22-26页 |
| 6 参考文献 | 第26-30页 |
| 7 论文发表情况 | 第30-31页 |
| 8 致谢 | 第31-32页 |