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铜锰锡硫薄膜材料制备及其性质研究

摘要第5-9页
Abstract第9-13页
第一章 绪论第17-37页
    1.1 引言第17-18页
    1.2 太阳能电池简介第18-24页
        1.2.1 太阳能电池原理和主要性能参数第18-21页
        1.2.2 太阳能电池发展概况第21-24页
    1.3 Cu_2MnSnS_4材料起源和研究现状第24-27页
    1.4 本论文薄膜和光电器件制备和表征手段第27-29页
        1.4.1 薄膜和光电器件制备系统第27-29页
        1.4.2 薄膜和电池器件测试表征手段第29页
    1.5 本论文主要研究内容第29-33页
    参考文献第33-37页
第二章 溶胶凝胶法制备Cu_2MnSnS_4前驱体薄膜研究第37-53页
    2.1 引言第37页
    2.2 溶胶凝胶法基本原理第37-38页
    2.3 溶胶凝胶法制备Cu_2MnSnS_4前驱体薄膜第38-42页
        2.3.1 Cu_2MnSnS_4前驱体溶胶的配制第39-40页
        2.3.2 Cu_2MnSnS_4前驱体薄膜的制备第40-42页
    2.4 Cu_2MnSnS_4前驱体薄膜表征和性质研究第42-46页
        2.4.1 预退火工艺对薄膜的影响第42-43页
        2.4.2 Cu_2MnSnS_4前驱体薄膜物相研究第43-44页
        2.4.3 Cu_2MnSnS_4前驱体薄膜形貌和组分研究第44-45页
        2.4.4 Cu_2MnSnS_4前驱体薄膜光学性质研究第45-46页
    2.5 添加剂对Cu_2MnSnS_4溶胶和前驱体薄膜的影响第46-48页
    2.6 本章小结第48-50页
    参考文献第50-53页
第三章 直接快速热退火工艺制备Cu_2MnSnS_4薄膜研究第53-85页
    3.1 引言第53-54页
    3.2 实验设计第54-55页
    3.3 旋涂工艺对Cu_2MnSnS_4薄膜质量的影响第55-57页
    3.4 退火时间对Cu_2MnSnS_4薄膜性质的影响第57-65页
        3.4.1 退火时间对Cu_2MnSnS_4薄膜结构性质的影响第57-61页
        3.4.2 退火时间对Cu_2MnSnS_4薄膜组分和形貌的影响第61-63页
        3.4.3 退火时间对Cu_2MnSnS_4薄膜光学性质的影响第63-64页
        3.4.4 Cu_2MnSnS_4薄膜X射线光电子能谱分析第64-65页
    3.5 退火温度对Cu_2MnSnS_4薄膜性质的影响第65-72页
        3.5.1 退火温度对Cu_2MnSnS_4薄膜结构性质的影响第65-69页
        3.5.2 退火温度对Cu_2MnSnS_4薄膜组分和形貌的影响第69-71页
        3.5.3 退火温度对Cu_2MnSnS_4薄膜光学性质的影响第71-72页
    3.6 Cu_2MnSnS_4薄膜中金属比例的调控第72-77页
        3.6.1 Cu含量对Cu_2MnSnS_4薄膜物相的影响第72-73页
        3.6.2 Cu含量对Cu_2MnSnS_4薄膜结构性质的影响第73-76页
        3.6.3 Cu含量对Cu_2MnSnS_4薄膜组分的影响第76-77页
    3.7 本章小结第77-79页
    参考文献第79-85页
第四章 硫化退火工艺制备Cu_2MnSnS_4薄膜研究第85-123页
    4.1 引言第85-86页
    4.2 实验设计第86-87页
    4.3 底电极不同对Cu_2MnSnS_4薄膜性质的影响第87-90页
    4.4 硫化退火工艺对Cu_2MnSnS_4薄膜的影响-和直接快速热退火工艺对比.第90-96页
        4.4.1 硫化退火工艺对Cu_2MnSnS_4薄膜组分的影响第90-91页
        4.4.2 硫化退火工艺对Cu_2MnSnS_4薄膜结构性质的影响第91-93页
        4.4.3 硫化退火工艺对Cu_2MnSnS_4薄膜光学性质和形貌的影响第93-95页
        4.4.4 硫化退火工艺对Cu_2MnSnS_4薄膜光伏器件性能的影响第95-96页
    4.5 硫化工艺参数对Cu_2MnSnS_4薄膜性质及其器件性能的影响第96-109页
        4.5.1 Cu_2MnSnS_4材料薄膜分层原因分析第96-98页
        4.5.2 硫化时间对Cu_2MnSnS_4薄膜结构和形貌的影响第98-100页
        4.5.3 硫化温度对Cu_2MnSnS_4薄膜结构和形貌的影响第100-103页
        4.5.4 升温速率对Cu_2MnSnS_4薄膜结构和形貌的影响第103-105页
        4.5.5 硫化工艺参数对Cu_2MnSnS_4薄膜光伏器件性能的影响第105-109页
    4.6 溶液组成对Cu_2MnSnS_4薄膜生长及结构性质的影响第109-115页
        4.6.1 溶液组成对Cu_2MnSnS_4薄膜微结构和生长的影响第109-112页
        4.6.2 溶液组成对Cu_2MnSnS_4薄膜组分和形貌的影响第112-114页
        4.6.3 溶液组成对Cu_2MnSnS_4薄膜光学性质的影响第114-115页
    4.7 本章小结第115-117页
    参考文献第117-123页
第五章 硒化退火工艺制备Cu_2MnSn(S,Se)_4薄膜研究第123-155页
    5.1 引言第123-124页
    5.2 实验设计第124-126页
    5.3 硒化时间对Cu_2MnSn(S,Se)_4薄膜性质和器件性能的影响第126-133页
        5.3.1 硒化时间对Cu_2MnSn(S,Se)_4薄膜结构性质的影响第126-128页
        5.3.2 硒化时间对Cu_2MnSn(S,Se)_4薄膜形貌和组分的影响第128-130页
        5.3.3 硒化时间对Cu_2MnSn(S,Se)_4薄膜光学性质的影响第130-131页
        5.3.4 硒化时间对Cu_2MnSn(S,Se)_4薄膜光伏器件性能的影响第131-133页
    5.4 硒化温度对Cu_2MnSn(S,Se)_4薄膜性质和器件性能的影响第133-139页
        5.4.1 硒化温度对Cu_2MnSn(S,Se)_4薄膜结构性质的影响第133-135页
        5.4.2 硒化温度对Cu_2MnSn(S,Se)_4薄膜形貌和组分的影响第135-137页
        5.4.3 硒化温度对Cu_2MnSn(S,Se)_4薄膜光学性质的影响第137-138页
        5.4.4 硒化温度对Cu_2MnSn(S,Se)_4薄膜光伏器件性能的影响第138-139页
    5.5 Cu_2MnSn(S,Se)_4薄膜中Se/S组分比调控研究第139-148页
        5.5.1 硒粉量对Cu_2MnSn(S,Se)_4薄膜中S/Se组分比的影响第139-140页
        5.5.2 硒粉量对Cu_2MnSn(S,Se)_4薄膜结构性质和形貌的影响第140-144页
        5.5.3 硒化气压对Cu_2MnSn(S,Se)_4薄膜中S/Se组分比的影响第144-145页
        5.5.4 硒化气压对Cu_2MnSn(S,Se)_4薄膜结构性质和形貌的影响第145-148页
    5.6 本章小结第148-150页
    参考文献第150-155页
第六章 金属元素(Zn和K)掺杂对Cu_2MnSnS_4薄膜研究第155-179页
    6.1 引言第155-156页
    6.2 实验设计第156页
    6.3 重掺杂Zn元素对Cu_2(Mn,Zn)SnS4薄膜性质的影响第156-167页
        6.3.1 重掺杂Zn元素对Cu_2(Mn,Zn)SnS4薄膜生长的影响第156-159页
        6.3.2 重掺杂Zn元素对Cu_2(Mn,Zn)SnS4薄膜结构的影响第159-162页
        6.3.3 重掺杂Zn元素结构畸变研究第162-165页
        6.3.4 重掺杂Zn元素对Cu_2(Mn,Zn)SnS4薄膜带宽调制作用第165-167页
    6.4 轻掺杂K元素对Cu_2MnSnS_4薄膜性质及器件性能的影响第167-172页
        6.4.1 轻掺杂K元素对Cu_2MnSnS_4薄膜微结构性质的影响第167-170页
        6.4.2 轻掺杂K元素对Cu_2MnSnS_4薄膜晶粒生长的影响第170-171页
        6.4.3 轻掺杂K元素对Cu_2MnSnS_4电池器件性能影响第171-172页
    6.5 本章小结第172-174页
    参考文献第174-179页
第七章 总结与展望第179-183页
    7.1 总结第179-182页
    7.2 展望第182-183页
附录I 攻读博士学位期间科研成果清单第183-187页
附录II 致谢第187-188页

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