摘要 | 第5-9页 |
Abstract | 第9-13页 |
第一章 绪论 | 第17-37页 |
1.1 引言 | 第17-18页 |
1.2 太阳能电池简介 | 第18-24页 |
1.2.1 太阳能电池原理和主要性能参数 | 第18-21页 |
1.2.2 太阳能电池发展概况 | 第21-24页 |
1.3 Cu_2MnSnS_4材料起源和研究现状 | 第24-27页 |
1.4 本论文薄膜和光电器件制备和表征手段 | 第27-29页 |
1.4.1 薄膜和光电器件制备系统 | 第27-29页 |
1.4.2 薄膜和电池器件测试表征手段 | 第29页 |
1.5 本论文主要研究内容 | 第29-33页 |
参考文献 | 第33-37页 |
第二章 溶胶凝胶法制备Cu_2MnSnS_4前驱体薄膜研究 | 第37-53页 |
2.1 引言 | 第37页 |
2.2 溶胶凝胶法基本原理 | 第37-38页 |
2.3 溶胶凝胶法制备Cu_2MnSnS_4前驱体薄膜 | 第38-42页 |
2.3.1 Cu_2MnSnS_4前驱体溶胶的配制 | 第39-40页 |
2.3.2 Cu_2MnSnS_4前驱体薄膜的制备 | 第40-42页 |
2.4 Cu_2MnSnS_4前驱体薄膜表征和性质研究 | 第42-46页 |
2.4.1 预退火工艺对薄膜的影响 | 第42-43页 |
2.4.2 Cu_2MnSnS_4前驱体薄膜物相研究 | 第43-44页 |
2.4.3 Cu_2MnSnS_4前驱体薄膜形貌和组分研究 | 第44-45页 |
2.4.4 Cu_2MnSnS_4前驱体薄膜光学性质研究 | 第45-46页 |
2.5 添加剂对Cu_2MnSnS_4溶胶和前驱体薄膜的影响 | 第46-48页 |
2.6 本章小结 | 第48-50页 |
参考文献 | 第50-53页 |
第三章 直接快速热退火工艺制备Cu_2MnSnS_4薄膜研究 | 第53-85页 |
3.1 引言 | 第53-54页 |
3.2 实验设计 | 第54-55页 |
3.3 旋涂工艺对Cu_2MnSnS_4薄膜质量的影响 | 第55-57页 |
3.4 退火时间对Cu_2MnSnS_4薄膜性质的影响 | 第57-65页 |
3.4.1 退火时间对Cu_2MnSnS_4薄膜结构性质的影响 | 第57-61页 |
3.4.2 退火时间对Cu_2MnSnS_4薄膜组分和形貌的影响 | 第61-63页 |
3.4.3 退火时间对Cu_2MnSnS_4薄膜光学性质的影响 | 第63-64页 |
3.4.4 Cu_2MnSnS_4薄膜X射线光电子能谱分析 | 第64-65页 |
3.5 退火温度对Cu_2MnSnS_4薄膜性质的影响 | 第65-72页 |
3.5.1 退火温度对Cu_2MnSnS_4薄膜结构性质的影响 | 第65-69页 |
3.5.2 退火温度对Cu_2MnSnS_4薄膜组分和形貌的影响 | 第69-71页 |
3.5.3 退火温度对Cu_2MnSnS_4薄膜光学性质的影响 | 第71-72页 |
3.6 Cu_2MnSnS_4薄膜中金属比例的调控 | 第72-77页 |
3.6.1 Cu含量对Cu_2MnSnS_4薄膜物相的影响 | 第72-73页 |
3.6.2 Cu含量对Cu_2MnSnS_4薄膜结构性质的影响 | 第73-76页 |
3.6.3 Cu含量对Cu_2MnSnS_4薄膜组分的影响 | 第76-77页 |
3.7 本章小结 | 第77-79页 |
参考文献 | 第79-85页 |
第四章 硫化退火工艺制备Cu_2MnSnS_4薄膜研究 | 第85-123页 |
4.1 引言 | 第85-86页 |
4.2 实验设计 | 第86-87页 |
4.3 底电极不同对Cu_2MnSnS_4薄膜性质的影响 | 第87-90页 |
4.4 硫化退火工艺对Cu_2MnSnS_4薄膜的影响-和直接快速热退火工艺对比. | 第90-96页 |
4.4.1 硫化退火工艺对Cu_2MnSnS_4薄膜组分的影响 | 第90-91页 |
4.4.2 硫化退火工艺对Cu_2MnSnS_4薄膜结构性质的影响 | 第91-93页 |
4.4.3 硫化退火工艺对Cu_2MnSnS_4薄膜光学性质和形貌的影响 | 第93-95页 |
4.4.4 硫化退火工艺对Cu_2MnSnS_4薄膜光伏器件性能的影响 | 第95-96页 |
4.5 硫化工艺参数对Cu_2MnSnS_4薄膜性质及其器件性能的影响 | 第96-109页 |
4.5.1 Cu_2MnSnS_4材料薄膜分层原因分析 | 第96-98页 |
4.5.2 硫化时间对Cu_2MnSnS_4薄膜结构和形貌的影响 | 第98-100页 |
4.5.3 硫化温度对Cu_2MnSnS_4薄膜结构和形貌的影响 | 第100-103页 |
4.5.4 升温速率对Cu_2MnSnS_4薄膜结构和形貌的影响 | 第103-105页 |
4.5.5 硫化工艺参数对Cu_2MnSnS_4薄膜光伏器件性能的影响 | 第105-109页 |
4.6 溶液组成对Cu_2MnSnS_4薄膜生长及结构性质的影响 | 第109-115页 |
4.6.1 溶液组成对Cu_2MnSnS_4薄膜微结构和生长的影响 | 第109-112页 |
4.6.2 溶液组成对Cu_2MnSnS_4薄膜组分和形貌的影响 | 第112-114页 |
4.6.3 溶液组成对Cu_2MnSnS_4薄膜光学性质的影响 | 第114-115页 |
4.7 本章小结 | 第115-117页 |
参考文献 | 第117-123页 |
第五章 硒化退火工艺制备Cu_2MnSn(S,Se)_4薄膜研究 | 第123-155页 |
5.1 引言 | 第123-124页 |
5.2 实验设计 | 第124-126页 |
5.3 硒化时间对Cu_2MnSn(S,Se)_4薄膜性质和器件性能的影响 | 第126-133页 |
5.3.1 硒化时间对Cu_2MnSn(S,Se)_4薄膜结构性质的影响 | 第126-128页 |
5.3.2 硒化时间对Cu_2MnSn(S,Se)_4薄膜形貌和组分的影响 | 第128-130页 |
5.3.3 硒化时间对Cu_2MnSn(S,Se)_4薄膜光学性质的影响 | 第130-131页 |
5.3.4 硒化时间对Cu_2MnSn(S,Se)_4薄膜光伏器件性能的影响 | 第131-133页 |
5.4 硒化温度对Cu_2MnSn(S,Se)_4薄膜性质和器件性能的影响 | 第133-139页 |
5.4.1 硒化温度对Cu_2MnSn(S,Se)_4薄膜结构性质的影响 | 第133-135页 |
5.4.2 硒化温度对Cu_2MnSn(S,Se)_4薄膜形貌和组分的影响 | 第135-137页 |
5.4.3 硒化温度对Cu_2MnSn(S,Se)_4薄膜光学性质的影响 | 第137-138页 |
5.4.4 硒化温度对Cu_2MnSn(S,Se)_4薄膜光伏器件性能的影响 | 第138-139页 |
5.5 Cu_2MnSn(S,Se)_4薄膜中Se/S组分比调控研究 | 第139-148页 |
5.5.1 硒粉量对Cu_2MnSn(S,Se)_4薄膜中S/Se组分比的影响 | 第139-140页 |
5.5.2 硒粉量对Cu_2MnSn(S,Se)_4薄膜结构性质和形貌的影响 | 第140-144页 |
5.5.3 硒化气压对Cu_2MnSn(S,Se)_4薄膜中S/Se组分比的影响 | 第144-145页 |
5.5.4 硒化气压对Cu_2MnSn(S,Se)_4薄膜结构性质和形貌的影响 | 第145-148页 |
5.6 本章小结 | 第148-150页 |
参考文献 | 第150-155页 |
第六章 金属元素(Zn和K)掺杂对Cu_2MnSnS_4薄膜研究 | 第155-179页 |
6.1 引言 | 第155-156页 |
6.2 实验设计 | 第156页 |
6.3 重掺杂Zn元素对Cu_2(Mn,Zn)SnS4薄膜性质的影响 | 第156-167页 |
6.3.1 重掺杂Zn元素对Cu_2(Mn,Zn)SnS4薄膜生长的影响 | 第156-159页 |
6.3.2 重掺杂Zn元素对Cu_2(Mn,Zn)SnS4薄膜结构的影响 | 第159-162页 |
6.3.3 重掺杂Zn元素结构畸变研究 | 第162-165页 |
6.3.4 重掺杂Zn元素对Cu_2(Mn,Zn)SnS4薄膜带宽调制作用 | 第165-167页 |
6.4 轻掺杂K元素对Cu_2MnSnS_4薄膜性质及器件性能的影响 | 第167-172页 |
6.4.1 轻掺杂K元素对Cu_2MnSnS_4薄膜微结构性质的影响 | 第167-170页 |
6.4.2 轻掺杂K元素对Cu_2MnSnS_4薄膜晶粒生长的影响 | 第170-171页 |
6.4.3 轻掺杂K元素对Cu_2MnSnS_4电池器件性能影响 | 第171-172页 |
6.5 本章小结 | 第172-174页 |
参考文献 | 第174-179页 |
第七章 总结与展望 | 第179-183页 |
7.1 总结 | 第179-182页 |
7.2 展望 | 第182-183页 |
附录I 攻读博士学位期间科研成果清单 | 第183-187页 |
附录II 致谢 | 第187-188页 |