| 中文摘要 | 第10-12页 |
| ABSTRACT | 第12-13页 |
| 第一章 绪论 | 第14-34页 |
| 1.1 石墨烯简介 | 第14-17页 |
| 1.1.1 石墨烯的结构 | 第14-16页 |
| 1.1.2 石墨烯的性质 | 第16-17页 |
| 1.2 石墨烯的制备方法 | 第17-21页 |
| 1.2.1 微机械剥离法 | 第18页 |
| 1.2.2 碳化硅热解法 | 第18-19页 |
| 1.2.3 氧化还原法 | 第19-20页 |
| 1.2.4 化学气相沉积法 | 第20-21页 |
| 1.3 石墨烯的转移方法 | 第21-23页 |
| 1.3.1 基底刻蚀转移法 | 第21-22页 |
| 1.3.2 鼓泡转移法 | 第22页 |
| 1.3.3 热胶带剥离转移法 | 第22-23页 |
| 1.4 石墨烯的应用 | 第23-24页 |
| 1.4.1 石墨烯太阳能电池 | 第23页 |
| 1.4.2 石墨烯透明电极 | 第23页 |
| 1.4.3 石墨烯电子器件 | 第23-24页 |
| 1.4.4 石墨烯电化学传感器 | 第24页 |
| 1.5 国内外研究现状 | 第24-26页 |
| 1.6 选题依据与研究内容 | 第26-27页 |
| 参考文献 | 第27-34页 |
| 第二章 CVD方法制备石墨烯 | 第34-45页 |
| 2.1 石墨烯的制备工艺 | 第34-38页 |
| 2.1.1 铜衬底预处理 | 第34-36页 |
| 2.1.2 石墨烯生长 | 第36页 |
| 2.1.3 石墨烯的转移 | 第36-38页 |
| 2.2 石墨烯的表征 | 第38-43页 |
| 2.2.1 光学显微镜 | 第38-39页 |
| 2.2.2 原子力显微镜 | 第39页 |
| 2.2.3 透射电子显微镜 | 第39-40页 |
| 2.2.4 扫描电子显微镜 | 第40-41页 |
| 2.2.5 拉曼光谱 | 第41-43页 |
| 2.3 本章小结 | 第43页 |
| 参考文献 | 第43-45页 |
| 第三章 CuO纳米晶对铜衬底上石墨烯成核及生长的影响 | 第45-58页 |
| 3.1 实验方法 | 第45-47页 |
| 3.1.1 实验原料与设备 | 第45-46页 |
| 3.1.2 石墨烯制备工艺与参数 | 第46-47页 |
| 3.2 结果与讨论 | 第47-56页 |
| 3.2.1 氧化层分析 | 第47-49页 |
| 3.2.2 衬底表面的形貌 | 第49-52页 |
| 3.2.3 成核位点的组分 | 第52-53页 |
| 3.2.4 石墨烯的表面形貌分析 | 第53-54页 |
| 3.2.5 石墨烯的生长质量分析 | 第54-56页 |
| 3.3 本章小结 | 第56页 |
| 参考文献 | 第56-58页 |
| 第四章 铜衬底上氮化硼诱导生长石墨烯研究 | 第58-73页 |
| 4.1 氮化硼诱导生长石墨烯 | 第58-64页 |
| 4.1.1 实验过程 | 第58-59页 |
| 4.1.2 氮化硼不同转移方法对石墨烯的影响 | 第59-60页 |
| 4.1.3 甲烷流量对石墨烯的影响 | 第60-62页 |
| 4.1.4 温度对石墨烯的影响 | 第62-63页 |
| 4.1.5 石墨烯表面形貌分析 | 第63-64页 |
| 4.2 单一晶向石墨烯的可控生长 | 第64-70页 |
| 4.2.1 实验过程 | 第64-65页 |
| 4.2.2 铜衬底单晶化分析 | 第65-67页 |
| 4.2.3 石墨烯表面形貌分析 | 第67-70页 |
| 4.2.4 石墨烯拉曼分析 | 第70页 |
| 4.3 本章小结 | 第70-71页 |
| 参考文献 | 第71-73页 |
| 第五章 主要结论、创新点及有待开展的工作 | 第73-76页 |
| 5.1 论文工作结论 | 第73-74页 |
| 5.2 主要创新点 | 第74页 |
| 5.3 有待开展的工作 | 第74-76页 |
| 致谢 | 第76-78页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文和参加科研情况 | 第78-79页 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 | 第79页 |