| 摘要 | 第2-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-21页 |
| 1.1 引言 | 第8-9页 |
| 1.2 应变对几何形状各异的样品性能的影响 | 第9-13页 |
| 1.2.1 应变对起皱的二硒化铼光学,磁学等特性的影响 | 第9-10页 |
| 1.2.2 应变对铰链状黑磷热电特性的影响 | 第10-11页 |
| 1.2.3 应变对卷曲的GaAs/AlGaAs纳米薄膜光学特性的影响 | 第11-13页 |
| 1.3 纳米微管的应用 | 第13-16页 |
| 1.3.1 应变传感器 | 第13-14页 |
| 1.3.2 薄膜晶体管 | 第14-15页 |
| 1.3.3 红外探测器 | 第15-16页 |
| 1.3.4 其他应用 | 第16页 |
| 1.4 制作微管的方法 | 第16-20页 |
| 1.4.1 电弧放电法 | 第17页 |
| 1.4.2 模板合成法 | 第17-18页 |
| 1.4.3 3D技术打印法 | 第18-19页 |
| 1.4.4 自卷曲技术 | 第19-20页 |
| 1.5 本论文研究目的和主要内容 | 第20-21页 |
| 第二章 纳米薄膜的制备,分析与表征 | 第21-34页 |
| 2.1 引言 | 第21页 |
| 2.2 纳米薄膜材料的选取 | 第21-24页 |
| 2.3 材料生长及样品制备方法 | 第24-26页 |
| 2.3.1 薄膜材料生长 | 第25页 |
| 2.3.2 卷曲微管制备方法 | 第25-26页 |
| 2.4 理论分析 | 第26-32页 |
| 2.4.1 薄膜的内应力释放 | 第26-27页 |
| 2.4.2 分析计算材料中的应力 | 第27-31页 |
| 2.4.3 应变对能带的影响 | 第31-32页 |
| 2.5 样品的表征——微区光致发光 | 第32-33页 |
| 2.6 本章小结 | 第33-34页 |
| 第三章 卷曲微管的制备与应变特性分析 | 第34-55页 |
| 3.1 引言 | 第34页 |
| 3.2 材料结构的选取 | 第34-37页 |
| 3.3 理论支持 | 第37-44页 |
| 3.3.1 线性应变理论计算微管内的应变分布 | 第37-40页 |
| 3.3.2 应变对量子阱带间跃迁的影响 | 第40-41页 |
| 3.3.3 薛定谔方程/数值分析方法计算带间跃迁能量 | 第41-44页 |
| 3.4 微管的制备,测试及数据处理 | 第44-48页 |
| 3.4.1 微管的制备 | 第44-46页 |
| 3.4.2 微管的测试 | 第46-47页 |
| 3.4.3 微管的数据处理 | 第47-48页 |
| 3.5 改变刻蚀液浓度后样品的实验现象及讨论 | 第48-54页 |
| 3.5.1 改变刻蚀液浓度后样品的实验现象 | 第49-51页 |
| 3.5.2 改变刻蚀液浓度后样品的讨论 | 第51-54页 |
| 3.6 结果讨论 | 第54页 |
| 3.7 本章小结 | 第54-55页 |
| 第四章 总结与展望 | 第55-56页 |
| 参考文献 | 第56-61页 |
| 附录 | 第61-64页 |
| 攻读硕士期间的研究成果 | 第64-65页 |
| 致谢 | 第65-66页 |
