Fcc(Ⅲ)面层错结构下薄膜生长特性的模拟研究
| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-21页 |
| 1.1 薄膜研究背景和意义 | 第9-10页 |
| 1.2 薄膜晶体生长 | 第10-11页 |
| 1.3 薄膜晶体中的缺陷 | 第11-14页 |
| 1.3.1 点缺陷 | 第12页 |
| 1.3.2 线缺陷 | 第12-13页 |
| 1.3.3 面缺陷 | 第13-14页 |
| 1.4 薄膜缺陷研究现状 | 第14-18页 |
| 1.4.1 实验研究现状 | 第14-17页 |
| 1.4.2 模拟研究进展 | 第17-18页 |
| 1.5 本论文主要研究内容 | 第18-21页 |
| 第2章 薄膜生长基本理论 | 第21-33页 |
| 2.1 薄膜基本概念 | 第21-22页 |
| 2.2 薄膜生长物理过程 | 第22-28页 |
| 2.2.1 吸附过程 | 第23页 |
| 2.2.2 扩散过程 | 第23-26页 |
| 2.2.3 层间扩散 | 第26-28页 |
| 2.2.4 薄膜中的分形 | 第28页 |
| 2.3 薄膜形核与分布 | 第28-31页 |
| 2.4 薄膜生长影响因素 | 第31-33页 |
| 第3章 薄膜生长模拟方法及模型建立 | 第33-41页 |
| 3.1 薄膜生长模拟方法介绍 | 第33-35页 |
| 3.1.1 分子动力学方法 | 第33-34页 |
| 3.1.2 动力学蒙特卡洛方法 | 第34-35页 |
| 3.2 薄膜生长计算机模型建立 | 第35-39页 |
| 3.2.1 基底结构 | 第36页 |
| 3.2.2 边界处理 | 第36-37页 |
| 3.2.3 沉积方式 | 第37-38页 |
| 3.2.4 扩散 | 第38-39页 |
| 3.3 薄膜生长模拟流程图 | 第39-41页 |
| 第4章 模拟结果分析与讨论 | 第41-61页 |
| 4.1 层错形貌分析 | 第41-42页 |
| 4.2 层错实验对比 | 第42-46页 |
| 4.3 层错结构下三角形貌薄膜受生长条件影响 | 第46-53页 |
| 4.3.1 层错结构下薄膜受温度变化的影响 | 第46-49页 |
| 4.3.2 层错结构下薄膜受沉积速率变化的影响 | 第49-51页 |
| 4.3.3 层错结构下薄膜分形生长 | 第51-53页 |
| 4.4 层错结构下六角形貌薄膜受生长条件影响 | 第53-61页 |
| 4.4.1 孪晶结构生长 | 第53-56页 |
| 4.4.2 孪晶结构下薄膜受生长条件改变的影响 | 第56-58页 |
| 4.4.3 孪晶结构下薄膜分形生长 | 第58-61页 |
| 第5章 结论 | 第61-63页 |
| 参考文献 | 第63-67页 |
| 致谢 | 第67页 |
