| 摘要 | 第8-9页 |
| ABSTRACT | 第9-10页 |
| 第一章 绪论 | 第11-21页 |
| 1.1 研究背景 | 第11-16页 |
| 1.1.1 基于经典浮栅结构的Flash及其发展瓶颈 | 第11-14页 |
| 1.1.2 新型非挥发性存储器 | 第14-16页 |
| 1.2 阻变存储器及其研究现状 | 第16-18页 |
| 1.3 论文选题意义 | 第18-21页 |
| 第二章 阻变存储器制备工艺及测试分析 | 第21-33页 |
| 2.1 阻变层材料体系 | 第21-22页 |
| 2.1.1 固态电解质材料 | 第21-22页 |
| 2.1.2 二元金属氧化物 | 第22页 |
| 2.2 导电细丝主导的阻变机制 | 第22-25页 |
| 2.2.1 ECM机制 | 第23-24页 |
| 2.2.2 VCM机制 | 第24-25页 |
| 2.3 氧基阻变存储器的制备 | 第25-27页 |
| 2.4 电学性能测试及分析 | 第27-33页 |
| 2.4.1 器件的初始状态及Forming过程 | 第27-28页 |
| 2.4.2 SET过程 | 第28-29页 |
| 2.4.3 RESET过程 | 第29-30页 |
| 2.4.4 循环测试 | 第30-32页 |
| 2.4.5 器件性能指标 | 第32-33页 |
| 第三章 基于氧离子Hopping理论的阻变机理研究 | 第33-46页 |
| 3.1 电场对阻变过程的影响 | 第33-38页 |
| 3.2 电场控制下的基于氧离子Hopping理论的RESET模型建立 | 第38-42页 |
| 3.3 实验验证 | 第42-44页 |
| 3.4 温度对t-F关系的影响 | 第44-46页 |
| 第四章 RRAM器件耐久性失效机理研究 | 第46-55页 |
| 4.1 RRAM器件耐久性失效概述 | 第46-48页 |
| 4.2 基于HfO_2器件的耐久性失效机理分析 | 第48-53页 |
| 4.2.1 氧离子在Ti层流失 | 第48-49页 |
| 4.2.2 器件的负向击穿 | 第49-51页 |
| 4.2.3 失效器件修复实验 | 第51-53页 |
| 4.3 器件耐久性能改善方法 | 第53-55页 |
| 第五章 结论与展望 | 第55-57页 |
| 5.1 结论 | 第55-56页 |
| 5.2 对未来工作的展望 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-61页 |
| 致谢 | 第61-63页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第63-64页 |
| 附件 | 第64页 |
