| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-15页 |
| 1.1 SiC基本材料特性 | 第9-10页 |
| 1.2 SiC器件发展状况 | 第10-12页 |
| 1.3 SiC BJT国内外发展概况 | 第12-14页 |
| 1.4 本文主要内容 | 第14-15页 |
| 第二章 仿真模型与 4H-Si C BJT基本工作原理 | 第15-27页 |
| 2.1 二维仿真基本模型简介 | 第15-20页 |
| 2.1.1 杂质不完全离化模型 | 第15-16页 |
| 2.1.2 载流子迁移率模型 | 第16-17页 |
| 2.1.3 带隙模型 | 第17-18页 |
| 2.1.4 载流子复合模型 | 第18-19页 |
| 2.1.5 碰撞电离模型 | 第19-20页 |
| 2.2 4H-SiC BJT的基本工作原理 | 第20-26页 |
| 2.2.1 电流增益 | 第21-23页 |
| 2.2.2 击穿电压 | 第23-26页 |
| 2.3 本章小结 | 第26-27页 |
| 第三章 4H-SiC BJT基本特性仿真与结终端设计 | 第27-49页 |
| 3.1 4H-SiC BJT基本结构 | 第27-28页 |
| 3.2 直流特性仿真研究 | 第28-30页 |
| 3.3 反向特性仿真研究 | 第30-32页 |
| 3.4 4H-SiC BJT结终端设计 | 第32-47页 |
| 3.4.1 场限环终端结构 | 第32-40页 |
| 3.4.1.1 单个场限环的仿真与优化 | 第33-37页 |
| 3.4.1.3 多个场限环结构的优化与仿真 | 第37-40页 |
| 3.4.2 场板终端结构 | 第40-47页 |
| 3.4.2.1 单层场板设计优化 | 第40-44页 |
| 3.4.2.2 台阶型场板设计与优化 | 第44-47页 |
| 3.5 本章小结 | 第47-49页 |
| 第四章 4H-SiC BJT新结构研究 | 第49-63页 |
| 4.1 界面态对BJT电流增益的影响 | 第49-52页 |
| 4.2 抑制界面态的研究现状 | 第52-53页 |
| 4.3 抑制界面复合电流的新结构 | 第53-62页 |
| 4.3.1 外基区表面重掺杂结构 | 第54-59页 |
| 4.3.2 氟离子注入结构 | 第59-62页 |
| 4.4 本章小结 | 第62-63页 |
| 第五章 4H-SiC BJT实验设计 | 第63-76页 |
| 5.1 4H-SiC BJT实验设计 | 第63-68页 |
| 5.1.1 实验具体步骤 | 第64-66页 |
| 5.1.2 实验版图设计 | 第66-68页 |
| 5.1.2.1 版图说明 | 第66-67页 |
| 5.1.2.2 对准标记 | 第67-68页 |
| 5.2 SiC关键实验步骤研究 | 第68-74页 |
| 5.2.1 离子注入 | 第69-72页 |
| 5.2.2 欧姆接触 | 第72-74页 |
| 5.3 本章小结 | 第74-76页 |
| 第六章 结论 | 第76-78页 |
| 致谢 | 第78-79页 |
| 参考文献 | 第79-84页 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 | 第84-85页 |