| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 自旋电子学概论 | 第11-30页 |
| 1.1 引言 | 第11-12页 |
| 1.2 自旋电子学物理基础 | 第12-15页 |
| 1.2.1 自旋极化输运 | 第12-13页 |
| 1.2.2 自旋流 | 第13-14页 |
| 1.2.3 自旋弛豫 | 第14页 |
| 1.2.4 自旋极化注入 | 第14-15页 |
| 1.3 自旋相关的散射与磁电阻效应 | 第15-20页 |
| 1.3.1 各向异性磁电阻（AMR）效应 | 第16-17页 |
| 1.3.2 巨磁阻（Giant Magneto-resistance）效应 | 第17-18页 |
| 1.3.3 自旋霍尔磁电阻（SMR） | 第18-20页 |
| 1.4 自旋‐热电子学（Spin caloritronics）概论 | 第20-28页 |
| 1.4.1 自旋依赖的塞贝克效应和帕尔贴效应。 | 第21-23页 |
| 1.4.2 基于自旋的隧道磁塞贝克效应 | 第23页 |
| 1.4.3 自旋塞贝克效应 | 第23-28页 |
| 1.5 主要研究目的及方法 | 第28-30页 |
| 第二章 实验测量系统与设计 | 第30-36页 |
| 2.1 引言 | 第30-31页 |
| 2.2 自旋塞贝克效应实验系统设计 | 第31-36页 |
| 2.2.1 自旋塞贝克效应测试系统 | 第32-33页 |
| 2.2.2 横向自旋塞贝克效应实验装置 | 第33-34页 |
| 2.2.3 径向自旋塞贝克效应实验装置 | 第34页 |
| 2.2.4 自旋霍尔磁电阻测试 | 第34-36页 |
| 第三章 Pt/Py结构的自旋塞贝克效应 | 第36-54页 |
| 3.1 研究背景与意义 | 第36-37页 |
| 3.1.1 研究背景 | 第36-37页 |
| 3.1.2 研究意义 | 第37页 |
| 3.2 自旋塞贝克效应理论分析及短路效应计算 | 第37-44页 |
| 3.2.1 自旋塞贝克效应理论分析 | 第37-41页 |
| 3.2.2 短路效应理论分析 | 第41-44页 |
| 3.3 Pt/Py自旋塞贝克效应实验及有限元分析 | 第44-49页 |
| 3.3.1 试验样品 | 第44-45页 |
| 3.3.2 短路效应有限元模拟计算 | 第45-47页 |
| 3.3.3 Pt/Py自旋塞贝克效应实验 | 第47-49页 |
| 3.4 实验结果 | 第49-52页 |
| 3.4.1 Pt/Py结构的横向电压 | 第49-51页 |
| 3.4.2 Pt/Py结构的自旋塞贝克效应 | 第51-52页 |
| 3.5 本章小结 | 第52-54页 |
| 第四章 Pt/YIG结构的自旋塞贝克效应和自旋霍尔磁电阻 | 第54-69页 |
| 4.1 研究背景与意义 | 第54-57页 |
| 4.1.1 研究背景 | 第54-56页 |
| 4.1.2 研究意义 | 第56-57页 |
| 4.2 实验部分 | 第57-59页 |
| 4.2.1 实验样品 | 第57-58页 |
| 4.2.2 实验装置及测量 | 第58-59页 |
| 4.3 结果分析 | 第59-68页 |
| 4.3.1 YIG薄膜磁性测量 | 第59-60页 |
| 4.3.2 金属薄膜电阻测量 | 第60页 |
| 4.3.3 自旋塞贝克效应和自旋霍尔磁电阻信号分离 | 第60-63页 |
| 4.3.4 径向自旋塞贝克效应 | 第63-64页 |
| 4.3.5 角度关系 | 第64-65页 |
| 4.3.6 自旋流计算 | 第65-68页 |
| 4.4 本章小结 | 第68-69页 |
| 第五章 结论和展望 | 第69-71页 |
| 5.1 结论 | 第69-70页 |
| 5.2 展望 | 第70-71页 |
| 致谢 | 第71-72页 |
| 参考文献 | 第72-78页 |
| 硕士期间已发表论文 | 第78页 |
