| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4页 |
| 1 绪论 | 第7-13页 |
| 1.1 研究背景与意义 | 第7-8页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第8-11页 |
| 1.2.1 宽带半导体的研究现状 | 第8-9页 |
| 1.2.2 GaN HEMT功率放大器的研究现状 | 第9-11页 |
| 1.3 本课题的主要工作 | 第11-13页 |
| 2 功率放大器的基本理论 | 第13-24页 |
| 2.1 功率放大器的主要技术指标 | 第13-17页 |
| 2.1.1 功率增益与增益平坦度 | 第13-14页 |
| 2.1.2 1dB功率压缩点(Power Out at 1dB Compression Point) | 第14-15页 |
| 2.1.3 效率 | 第15页 |
| 2.1.4 线性度 | 第15-16页 |
| 2.1.5 稳定性 | 第16-17页 |
| 2.2 功率放大器的分类及特点 | 第17-18页 |
| 2.3 GaN HEMT器件概述 | 第18-21页 |
| 2.3.1 GaN HEMT器件特性 | 第18-20页 |
| 2.3.2 影响GaN HEMT输出功率和效率性能的影响因素 | 第20-21页 |
| 2.4 功率放大器的设计流程 | 第21-23页 |
| 2.5 本章小结 | 第23-24页 |
| 3 高功率GaN HEMT功率放大器的设计 | 第24-45页 |
| 3.1 设计指标与方案确定 | 第24-26页 |
| 3.1.1 设计指标要求 | 第24页 |
| 3.1.2 方案设计 | 第24-26页 |
| 3.1.3 板材选取 | 第26页 |
| 3.2 匹配网络的设计 | 第26-30页 |
| 3.2.1 功率放大器匹配理论 | 第26-29页 |
| 3.2.2 匹配电路设计方法 | 第29-30页 |
| 3.3 射频电路设计与仿真 | 第30-37页 |
| 3.3.1 软件仿真 | 第30页 |
| 3.3.2 驱动级设计 | 第30-36页 |
| 3.3.3 功率级设计 | 第36-37页 |
| 3.4 控制电路设计 | 第37-40页 |
| 3.5 电路测试结果与分析 | 第40-44页 |
| 3.6 本章小结 | 第44-45页 |
| 4 宽带GaN HEMT功率放大器的设计 | 第45-68页 |
| 4.1 宽带功率放大器的实现方法 | 第45-49页 |
| 4.1.1 分布式放大器 | 第45-46页 |
| 4.1.2 负反馈放大器 | 第46页 |
| 4.1.3 平衡式放大器 | 第46-47页 |
| 4.1.4 有耗匹配式放大器 | 第47-48页 |
| 4.1.5 多支节匹配网络放大器 | 第48-49页 |
| 4.2 设计指标与方案确定 | 第49-51页 |
| 4.2.1 设计指标要求 | 第49-50页 |
| 4.2.2 方案设计 | 第50-51页 |
| 4.2.3 板材选取 | 第51页 |
| 4.3 单级宽带功率放大器的设计 | 第51-57页 |
| 4.3.1 稳定性分析 | 第51-52页 |
| 4.3.2 宽带匹配设计 | 第52-53页 |
| 4.3.3 整体原理图与版图仿真 | 第53-56页 |
| 4.3.4 版图与壳体设计 | 第56-57页 |
| 4.4 平衡式宽带功率放大器的设计 | 第57-63页 |
| 4.4.1 宽带功分网络的设计 | 第57-61页 |
| 4.4.2 平衡式放大器的设计 | 第61-63页 |
| 4.5 电路测试结果与分析 | 第63-67页 |
| 4.6 本章小结 | 第67-68页 |
| 5 总结与展望 | 第68-69页 |
| 5.1 本文的主要工作 | 第68页 |
| 5.2 后续工作与展望 | 第68-69页 |
| 致谢 | 第69-70页 |
| 参考文献 | 第70-74页 |
| 攻读硕士期间已发表的论文和获奖情况 | 第74页 |