0.13μm EEPROM器件测试分析
| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-17页 |
| ·热载流子注入效应 | 第8-11页 |
| ·漏端编程 | 第9-10页 |
| ·源端注入 | 第10页 |
| ·分裂栅单元 | 第10-11页 |
| ·F-N 隧道效应 | 第11-12页 |
| ·带带隧道效应 | 第12-13页 |
| ·紫外光擦除 | 第13-14页 |
| ·数据读取 | 第14-17页 |
| ·二进制存储读取 | 第15-16页 |
| ·多级存储读取 | 第16-17页 |
| 第二章 不易失存储器件结构及目标存储单元介绍 | 第17-47页 |
| ·EPROM 常见结构 | 第17-22页 |
| ·T-cell 结构 | 第17-18页 |
| ·X-cell 结构 | 第18-19页 |
| ·交错虚地结构 | 第19-21页 |
| ·金属交替虚地结构 | 第21-22页 |
| ·EEPROM 常见结构 | 第22-26页 |
| ·隧道氧化层定位于漏极扩展结构 | 第23页 |
| ·隧道氧化层定位于浮栅沟道与漏极重叠区结构 | 第23-24页 |
| ·隧道氧化层定位于沟道区结构 | 第24页 |
| ·纹理多晶结构 | 第24-26页 |
| ·FLASH 常见结构 | 第26-42页 |
| ·T-cell 闪存结构 | 第26-30页 |
| ·源极耦合分裂栅结构 | 第30-31页 |
| ·电场增强型隧道注入结构 | 第31-34页 |
| ·三层多晶虚地结构 | 第34-35页 |
| ·NAND 结构 | 第35-39页 |
| ·DiNOR 结构 | 第39-42页 |
| ·目标EEPROM 单元相关描述 | 第42-47页 |
| ·EEPROM 单元 | 第43-44页 |
| ·EEPROM 字节及阵列 | 第44-47页 |
| 第三章 NB0401 测试系统 | 第47-51页 |
| ·系统简介 | 第47-48页 |
| ·系统框图 | 第48页 |
| ·主要功能 | 第48-49页 |
| ·操作界面 | 第49-51页 |
| 第四章 测试环境介绍 | 第51-61页 |
| ·单元擦、写、读操作说明 | 第51页 |
| ·测试设备 | 第51-52页 |
| ·测试板硬件 | 第52-57页 |
| ·电源模块 | 第52-53页 |
| ·主控模块 | 第53-56页 |
| ·通讯模块 | 第56-57页 |
| ·测试单元 | 第57页 |
| ·测试软件 | 第57-61页 |
| ·通信协议 | 第57-60页 |
| ·测试流程 | 第60-61页 |
| 第五章 测试要求、测试项目、测试数据 | 第61-69页 |
| ·单元阈值电压初始化及Wakeup 测试 | 第61-62页 |
| ·单元阈值VPP 测试 | 第62页 |
| ·单元阈值TEW 测试 | 第62-63页 |
| ·单元Endurance 测试 | 第63-65页 |
| ·Endurance 测试阈值退化 | 第64页 |
| ·Endurance 测试IV 退化 | 第64-65页 |
| ·数据保持测试 | 第65-66页 |
| ·温度测试 | 第66-69页 |
| ·阈值VPP 温度测试 | 第66-67页 |
| ·阈值TEW 温度测试 | 第67页 |
| ·Endurance 温度测试 | 第67-69页 |
| 第六章 测试结论及改进方案 | 第69-71页 |
| 致谢 | 第71-72页 |
| 参考文献 | 第72-75页 |
| 攻读硕士学位期间取得的研究成果 | 第75-76页 |
