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SF6替代气体的蒙特卡罗模拟与实验研究

摘要第3-5页
ABSTRACT第5-7页
第一章 绪论第11-19页
    1.1 SF_6绝缘气体的优缺点第11-12页
    1.2 c-C_4F_8气体的性质第12-15页
    1.3 研究绝缘气体电子崩发展的方法第15-17页
        1.3.1 实验方法第16-17页
        1.3.2 理论计算方法第17页
    1.4 本文的研究内容第17-19页
第二章 电子崩中的基本碰撞过程第19-29页
    2.1 电子崩中的基本碰撞过程第19-23页
        2.1.1 电子和正离子的形成第19-20页
        2.1.2 负离子的形成和转化第20-21页
        2.1.3 去附着过程第21页
        2.1.4 中和第21-22页
        2.1.5 均匀电场中电子和离子的漂移和扩散第22-23页
    2.2 考虑电离和附着过程的电子崩发展模型第23-27页
    2.3 气体电子崩放电参数的确定方法第27页
    2.4 本章小结第27-29页
第三章 气体电子崩发展的蒙特卡罗计算模型第29-46页
    3.1 蒙特卡罗方法简介第29-30页
    3.2 气体电子崩发展的蒙特卡罗模拟模型第30-35页
        3.2.1 单一气体电子崩发展的蒙特卡罗模拟模型第31-34页
        3.2.2 二元混合气体电子崩发展的蒙特卡罗模拟模型第34-35页
    3.3 单一气体电子崩发展的蒙特卡罗模型的建立第35-42页
        3.3.1 模拟电子的初始化第36-37页
        3.3.2 空碰撞技术(Null Technique)第37-38页
        3.3.3 确定碰撞类型第38-39页
        3.3.4 碰撞后的运动方向和能量第39-41页
        3.3.5 记录数据的抽样和计算第41-42页
    3.4 二元混合气体电子崩发展的蒙特卡罗模型的建立第42-45页
    3.5 本章小结第45-46页
第四章 气体电子崩参数的蒙特卡罗计算第46-82页
    4.1 碰撞截面的选取及单一气体模拟的电子崩参数第46-66页
        4.1.1 N_2的碰撞截面第47-48页
        4.1.2 N_2模拟的电子崩参数第48-49页
        4.1.3 CF_4的碰撞截面第49-51页
        4.1.4 CF_4模拟的电子崩参数第51-53页
        4.1.5 CO_2 的碰撞截面第53-56页
        4.1.6 CO_2 模拟的电子崩参数第56-57页
        4.1.7 SF_6 的碰撞截面第57-59页
        4.1.8 SF_6 模拟的电子崩参数第59-60页
        4.1.9 c-C_4F_8 的碰撞截面第60-63页
        4.1.10 c-C_4F_8 模拟的电子崩参数第63-66页
    4.2 c-C_4F_8 与CF_4, N_2, CO_2 及SF_6/CF_4 混合气体模拟的电子崩参数第66-80页
        4.2.1 c-C_4F_8/CF_4 混合气体模拟的电子崩参数第66-69页
        4.2.2 SF_6/CF_4 混合气体模拟的电子崩参数第69-70页
        4.2.3 c-C_4F_8/N_2 混合气体模拟的电子崩参数第70-74页
        4.2.4 c-C_4F_8/CO_2 混合气体模拟的电子崩参数第74-77页
        4.2.5 c-C_4F_8 混合气体耐电强度和温室效应的比较第77-80页
    4.3 本章小结第80-82页
第五章 脉冲汤逊放电法(PT)的原理和实验装置第82-99页
    5.1 实验原理概述第82-84页
    5.2 实验装置第84-89页
    5.3 激光器的选取第89-98页
        5.3.1 氮分子激光器第90-91页
        5.3.2 Blumlein 电路简介第91-92页
        5.3.3 氮分子激光器的设计第92-98页
    5.4 本章小结第98-99页
第六章 实验结果和讨论第99-121页
    6.1 概述第99-101页
    6.2 N_2、CO_2、CF_4c、-C_4F_8、N_2O 和CHF_3的电子崩过程第101-117页
        6.2.1 N_2的电子崩过程第101-104页
        6.2.2 CO_2 的电子崩过程第104-107页
        6.2.3 CF_4的电子崩过程第107-109页
        6.2.4 c-C_4F_8 的电子崩过程第109-111页
        6.2.5 N_2O 的电子崩过程第111-114页
        6.2.6 CHF_3 的电子崩过程第114-117页
    6.3 蒙特卡罗模拟与PT 实验的比较第117-119页
    6.4 本章小结第119-121页
第七章 结论与展望第121-124页
    7.1 主要结论第121-122页
    7.2 展望第122-124页
参考文献第124-131页
致谢第131-132页
攻读博士学位期间已发表或录用的论文第132页

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