摘要 | 第3-5页 |
ABSTRACT | 第5-7页 |
第一章 绪论 | 第11-19页 |
1.1 SF_6绝缘气体的优缺点 | 第11-12页 |
1.2 c-C_4F_8气体的性质 | 第12-15页 |
1.3 研究绝缘气体电子崩发展的方法 | 第15-17页 |
1.3.1 实验方法 | 第16-17页 |
1.3.2 理论计算方法 | 第17页 |
1.4 本文的研究内容 | 第17-19页 |
第二章 电子崩中的基本碰撞过程 | 第19-29页 |
2.1 电子崩中的基本碰撞过程 | 第19-23页 |
2.1.1 电子和正离子的形成 | 第19-20页 |
2.1.2 负离子的形成和转化 | 第20-21页 |
2.1.3 去附着过程 | 第21页 |
2.1.4 中和 | 第21-22页 |
2.1.5 均匀电场中电子和离子的漂移和扩散 | 第22-23页 |
2.2 考虑电离和附着过程的电子崩发展模型 | 第23-27页 |
2.3 气体电子崩放电参数的确定方法 | 第27页 |
2.4 本章小结 | 第27-29页 |
第三章 气体电子崩发展的蒙特卡罗计算模型 | 第29-46页 |
3.1 蒙特卡罗方法简介 | 第29-30页 |
3.2 气体电子崩发展的蒙特卡罗模拟模型 | 第30-35页 |
3.2.1 单一气体电子崩发展的蒙特卡罗模拟模型 | 第31-34页 |
3.2.2 二元混合气体电子崩发展的蒙特卡罗模拟模型 | 第34-35页 |
3.3 单一气体电子崩发展的蒙特卡罗模型的建立 | 第35-42页 |
3.3.1 模拟电子的初始化 | 第36-37页 |
3.3.2 空碰撞技术(Null Technique) | 第37-38页 |
3.3.3 确定碰撞类型 | 第38-39页 |
3.3.4 碰撞后的运动方向和能量 | 第39-41页 |
3.3.5 记录数据的抽样和计算 | 第41-42页 |
3.4 二元混合气体电子崩发展的蒙特卡罗模型的建立 | 第42-45页 |
3.5 本章小结 | 第45-46页 |
第四章 气体电子崩参数的蒙特卡罗计算 | 第46-82页 |
4.1 碰撞截面的选取及单一气体模拟的电子崩参数 | 第46-66页 |
4.1.1 N_2的碰撞截面 | 第47-48页 |
4.1.2 N_2模拟的电子崩参数 | 第48-49页 |
4.1.3 CF_4的碰撞截面 | 第49-51页 |
4.1.4 CF_4模拟的电子崩参数 | 第51-53页 |
4.1.5 CO_2 的碰撞截面 | 第53-56页 |
4.1.6 CO_2 模拟的电子崩参数 | 第56-57页 |
4.1.7 SF_6 的碰撞截面 | 第57-59页 |
4.1.8 SF_6 模拟的电子崩参数 | 第59-60页 |
4.1.9 c-C_4F_8 的碰撞截面 | 第60-63页 |
4.1.10 c-C_4F_8 模拟的电子崩参数 | 第63-66页 |
4.2 c-C_4F_8 与CF_4, N_2, CO_2 及SF_6/CF_4 混合气体模拟的电子崩参数 | 第66-80页 |
4.2.1 c-C_4F_8/CF_4 混合气体模拟的电子崩参数 | 第66-69页 |
4.2.2 SF_6/CF_4 混合气体模拟的电子崩参数 | 第69-70页 |
4.2.3 c-C_4F_8/N_2 混合气体模拟的电子崩参数 | 第70-74页 |
4.2.4 c-C_4F_8/CO_2 混合气体模拟的电子崩参数 | 第74-77页 |
4.2.5 c-C_4F_8 混合气体耐电强度和温室效应的比较 | 第77-80页 |
4.3 本章小结 | 第80-82页 |
第五章 脉冲汤逊放电法(PT)的原理和实验装置 | 第82-99页 |
5.1 实验原理概述 | 第82-84页 |
5.2 实验装置 | 第84-89页 |
5.3 激光器的选取 | 第89-98页 |
5.3.1 氮分子激光器 | 第90-91页 |
5.3.2 Blumlein 电路简介 | 第91-92页 |
5.3.3 氮分子激光器的设计 | 第92-98页 |
5.4 本章小结 | 第98-99页 |
第六章 实验结果和讨论 | 第99-121页 |
6.1 概述 | 第99-101页 |
6.2 N_2、CO_2、CF_4c、-C_4F_8、N_2O 和CHF_3的电子崩过程 | 第101-117页 |
6.2.1 N_2的电子崩过程 | 第101-104页 |
6.2.2 CO_2 的电子崩过程 | 第104-107页 |
6.2.3 CF_4的电子崩过程 | 第107-109页 |
6.2.4 c-C_4F_8 的电子崩过程 | 第109-111页 |
6.2.5 N_2O 的电子崩过程 | 第111-114页 |
6.2.6 CHF_3 的电子崩过程 | 第114-117页 |
6.3 蒙特卡罗模拟与PT 实验的比较 | 第117-119页 |
6.4 本章小结 | 第119-121页 |
第七章 结论与展望 | 第121-124页 |
7.1 主要结论 | 第121-122页 |
7.2 展望 | 第122-124页 |
参考文献 | 第124-131页 |
致谢 | 第131-132页 |
攻读博士学位期间已发表或录用的论文 | 第132页 |