摘要 | 第5-7页 |
abstract | 第7-8页 |
第一章 三维拓扑超导体的研究进展 | 第11-41页 |
1.1 拓扑绝缘体与拓扑超导体简介 | 第11-15页 |
1.2 Cu_xBi_2Se_3 | 第15-23页 |
1.3 Sr_xBi_2Se_3 | 第23-33页 |
1.4 其他可能的3D拓扑超导体(Nb_xBi_2Se_3等) | 第33-37页 |
参考文献 | 第37-41页 |
第二章 铋硫基超导体的研究进展 | 第41-75页 |
2.1 铋硫基超导体简介 | 第41-42页 |
2.2 Bi-O-S体系超导体 | 第42-50页 |
2.2.1 Bi_4O_4S_3 | 第42-48页 |
2.2.2 Bi_3O_2S_3 | 第48-49页 |
2.2.3 Bi_2(O,F)S_2 | 第49-50页 |
2.3 Ln(O,F)BiS_2和(La,M)OBiS_2 | 第50-60页 |
2.4 (Sr,Ln)FBiS_2 (Ln=La,Ce,Nd,Pr,Sm) | 第60-65页 |
2.5 EuFBiS_2和Eu_3Bi_2S_4F_4 | 第65-68页 |
参考文献 | 第68-75页 |
第三章 金属锶插层在拓扑绝缘体Bi_2Se_3中诱发超导电性 | 第75-99页 |
3.1 研究背景 | 第75-76页 |
3.2 实验方法 | 第76-77页 |
3.3 结果与讨论 | 第77-94页 |
3.3.1 Sr_xBi_2Se_3的超导电性 | 第77-85页 |
3.3.2 Sr_xBi_2Se_3的SdH振荡分析 | 第85-94页 |
3.4 本章小结 | 第94-95页 |
参考文献 | 第95-99页 |
第四章 Bi_2OS_2淬火后的超导电性和Mn掺杂效应研究 | 第99-113页 |
4.1 研究背景 | 第99-100页 |
4.2 实验方法 | 第100页 |
4.3 结果与讨论 | 第100-109页 |
4.3.1 Bi_2OS_2淬火后的超导电性 | 第100-106页 |
4.3.2 Bi_(2-x)Mn_xOS_2的超导电性与磁性共存 | 第106-109页 |
4.4 本章小结 | 第109-110页 |
参考文献 | 第110-113页 |
在读期间发表的学术论文与取得的研究成果 | 第113-115页 |
致谢 | 第115-116页 |