| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-20页 |
| 1.1 二维半导体材料的发展及研究现状 | 第9-10页 |
| 1.2 二维过渡金属硫族三配位化合物的研究现状 | 第10-15页 |
| 1.2.1 二维过渡金属硫族三配位化合物(TMTCS)的制备 | 第12-13页 |
| 1.2.2 二维过渡金属硫族三配位化合物的应用 | 第13-15页 |
| 1.3 本文的主要研究内容 | 第15-16页 |
| 1.4 参考文献 | 第16-20页 |
| 第二章 理论基础与方法 | 第20-31页 |
| 2.1 第一性原理中的两个近似 | 第20-23页 |
| 2.1.1 Born-Oppenheimer绝热近似 | 第20-21页 |
| 2.1.2 Hartee-Fork近似 | 第21-23页 |
| 2.2 密度泛函理论 | 第23-25页 |
| 2.2.1 Hohenberg-Kohn定理 | 第23页 |
| 2.2.2 Kohn-Sham方程 | 第23-25页 |
| 2.3 交换关联泛函 | 第25-27页 |
| 2.3.1 Slater平均交换势 | 第25-26页 |
| 2.3.2 局域密度近似和广义梯度近似 | 第26-27页 |
| 2.4 玻尔兹曼输运理论 | 第27-28页 |
| 2.5 VASP软件包介绍 | 第28-29页 |
| 2.6 参考文献 | 第29-31页 |
| 第三章 弹性应变下单层TiS_3的力学性质和迁移率 | 第31-43页 |
| 3.1 引言 | 第31-32页 |
| 3.2 模型和计算方法 | 第32页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第32-40页 |
| 3.3.1 力学性质 | 第33-36页 |
| 3.3.2 电子结构和迁移率 | 第36-38页 |
| 3.3.3 应变对电子结构和迁移率的影响 | 第38-40页 |
| 3.4 小结 | 第40页 |
| 3.5 参考文献 | 第40-43页 |
| 第四章 三硫化钛纳米带的弯曲效应 | 第43-54页 |
| 4.1 引言 | 第43-44页 |
| 4.2 模型和计算方法 | 第44-45页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第45-50页 |
| 4.3.1 抗弯强度和有效厚度 | 第45-48页 |
| 4.3.2 弯曲形变对三硫化钛电子结构的影响 | 第48-49页 |
| 4.3.3 模型的特点和弯曲的实现 | 第49-50页 |
| 4.4 小结 | 第50页 |
| 4.5 参考文献 | 第50-54页 |
| 第五章 全文总结及展望 | 第54-56页 |
| 致谢 | 第56页 |
