| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-24页 |
| 1.1 引言 | 第10-12页 |
| 1.2 研究现状 | 第12-16页 |
| 1.2.1 国外研究现状 | 第12-14页 |
| 1.2.2 国内研究现状 | 第14-15页 |
| 1.2.3 研究中存在的问题 | 第15-16页 |
| 1.3 虚拟仪器技术 | 第16-23页 |
| 1.3.1 虚拟仪器优势 | 第17-18页 |
| 1.3.2 LabVIEW虚拟软件开发平台 | 第18-21页 |
| 1.3.3 创建LabVIEW虚拟仪器 | 第21-23页 |
| 1.4 论文研究内容及安排 | 第23-24页 |
| 第二章 忆阻器特性分析与理论建模 | 第24-34页 |
| 2.1 忆阻器的电学特性 | 第24-25页 |
| 2.1.1 无源准则 | 第24页 |
| 2.1.2 闭合准则 | 第24-25页 |
| 2.1.3 自由度准则 | 第25页 |
| 2.2 忆阻器的工作机理 | 第25-27页 |
| 2.3 惠普忆阻器模型 | 第27-28页 |
| 2.4 惠普忆阻器建模理论 | 第28-29页 |
| 2.5 基于LabVIEW对忆阻器建模 | 第29-33页 |
| 2.6 本章小结 | 第33-34页 |
| 第三章 忆阻器仿真研究 | 第34-52页 |
| 3.1 引言 | 第34页 |
| 3.2 忆阻器与电阻的电学特性对比 | 第34-36页 |
| 3.3 输入正弦波形电压 | 第36-47页 |
| 3.3.1 采样点数对输入输出结果的影响 | 第36-37页 |
| 3.3.2 输入电压大小对忆阻性能的影响 | 第37-39页 |
| 3.3.3 掺杂区长度对忆阻性能的影响 | 第39-41页 |
| 3.3.4 正弦波下忆阻器磁通控制模型 | 第41-42页 |
| 3.3.5 激励频率对忆阻性能的影响 | 第42-44页 |
| 3.3.6 电阻Ron与Roff大小对忆阻性能的影响 | 第44-47页 |
| 3.4 输入其他波形电压 | 第47-51页 |
| 3.4.1 输入三角波 | 第47-49页 |
| 3.4.2 输入方波 | 第49-51页 |
| 3.5 本章小结 | 第51-52页 |
| 第四章 结论与展望 | 第52-54页 |
| 参考文献 | 第54-60页 |
| 致谢 | 第60页 |