| 摘要 | 第6-8页 |
| Abstract | 第8-9页 |
| 缩略语表 | 第10-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-28页 |
| 1 碲硒纳米材料 | 第11-12页 |
| 2 三方碲硒 | 第12-16页 |
| 2.1 三方碲硒的晶体结构 | 第12-14页 |
| 2.2 均相三方碲硒 | 第14-16页 |
| 3 可控合成纳米材料的方法 | 第16-18页 |
| 4 碲硒材料合成的发展现状 | 第18-19页 |
| 4.1 溶液法合成不同形貌的碲硒纳米材料 | 第18-19页 |
| 4.2 气相转移法控制碲硒材料形貌 | 第19页 |
| 5 Te/Se晶的发展现状 | 第19-22页 |
| 5.1 溶液法合成不同形貌的Te/Se晶 | 第19-21页 |
| 5.2 光电沉积法合成不同形貌的Te/Se晶 | 第21-22页 |
| 6 碲硒纳米材料的性能及应用 | 第22-26页 |
| 6.1 光学性能 | 第22-24页 |
| 6.2 热电性能 | 第24-25页 |
| 6.3 气敏性 | 第25页 |
| 6.4 其他应用 | 第25-26页 |
| 7 研究论文思路及其意义 | 第26-28页 |
| 第二章 多种形貌Te/Se ANCs的合成 | 第28-46页 |
| 1 前言 | 第28-29页 |
| 2 材料与主要仪器 | 第29页 |
| 2.1 材料 | 第29页 |
| 2.2 主要仪器 | 第29页 |
| 3 试验方法 | 第29-35页 |
| 3.0 Te/Se ANCs的合成 | 第29-30页 |
| 3.1 紫外-可见分光光度计 | 第30页 |
| 3.2 晶格条纹与电子衍射 | 第30-31页 |
| 3.3 晶面指数的标定 | 第31-32页 |
| 3.4 元素比例的检测 | 第32-33页 |
| 3.5 晶胞参数的计算 | 第33-34页 |
| 3.6 拉曼光谱 | 第34-35页 |
| 4 结果与分析 | 第35-45页 |
| 4.1 不同前体比例下Te/Se ANCs的形貌 | 第35-37页 |
| 4.2 t-Te/Se ANCs的紫外 | 第37-38页 |
| 4.3 t-Te/Se ANCs的晶格 | 第38-41页 |
| 4.4 t-Te/Se ANCs的成分分析 | 第41-42页 |
| 4.5 t-Te/Se ANCs的晶体结构分析 | 第42-43页 |
| 4.6 t-Te/Se ANCs的拉曼光谱 | 第43-45页 |
| 5.小结 | 第45-46页 |
| 第三章 t-Te/Se ANCs合成的影响因素及生长机理 | 第46-55页 |
| 1.反应时间 | 第46-49页 |
| 1.1 反应时间对t-Te/Se ATNRs的影响 | 第46-48页 |
| 1.2 反应时间对t-Te/Se ASNRs的影响 | 第48-49页 |
| 2 水合肼浓度 | 第49-50页 |
| 3 温度 | 第50-51页 |
| 4 不同形貌t-Te/Se ANCs的生长机理 | 第51-54页 |
| 4.1 反应初期t-Te/Se ANCs的EDS | 第51页 |
| 4.2 自籽结晶过程 | 第51-54页 |
| 5 小结 | 第54-55页 |
| 全文总结 | 第55-56页 |
| 参考文献 | 第56-68页 |
| 附录 | 第68-69页 |
| 致谢 | 第69页 |
