SRAM存储单元抗单粒子翻转研究
| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-19页 |
| 1.1 课题背景和意义 | 第8-11页 |
| 1.1.1 辐射环境 | 第9-10页 |
| 1.1.2 电离辐射效应 | 第10-11页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第11-17页 |
| 1.2.1 电路级加固 | 第11-13页 |
| 1.2.2 工艺级加固 | 第13-14页 |
| 1.2.3 版图级加固 | 第14-16页 |
| 1.2.4 系统级加固 | 第16-17页 |
| 1.3 论文主要研究工作 | 第17-18页 |
| 1.4 论文整体结构 | 第18-19页 |
| 第二章 单粒子效应概述 | 第19-29页 |
| 2.1 单粒子效应分类 | 第19-21页 |
| 2.1.1 单粒子瞬态 | 第19页 |
| 2.1.2 单粒子翻转 | 第19-20页 |
| 2.1.3 单粒子闩锁效应 | 第20-21页 |
| 2.1.4 单粒子多位翻转(MBU) | 第21页 |
| 2.2 电荷的产生与收集 | 第21-25页 |
| 2.2.1 电荷的产生 | 第21-22页 |
| 2.2.2 电荷的收集 | 第22-25页 |
| 2.3 单粒子效应建模方法 | 第25-26页 |
| 2.3.1 电路级建模方法 | 第25页 |
| 2.3.2 器件级建模方法 | 第25-26页 |
| 2.3.3 器件与电路混合级建模的方法 | 第26页 |
| 2.4 仿真软件介绍 | 第26-28页 |
| 2.5 本章小结 | 第28-29页 |
| 第三章 单粒子对SRAM存储单元的影响 | 第29-40页 |
| 3.1 SRAM存储单元结构 | 第29-30页 |
| 3.2 单管模型的建立及校准 | 第30-32页 |
| 3.3 存储单元混仿模型建立与验证 | 第32-33页 |
| 3.3.1 存储单元混合仿真模型的建立 | 第32页 |
| 3.3.2 读与写仿真验证 | 第32-33页 |
| 3.4 单粒子效应对存储单元的影响 | 第33-38页 |
| 3.4.1 入射能量下对存储单元的影响 | 第34-36页 |
| 3.4.2 入射角度对存储单元的影响 | 第36-37页 |
| 3.4.3 管间距对临界阈值的影响 | 第37-38页 |
| 3.4.4 工作电压对临界阂值的影响 | 第38页 |
| 3.5 本章小结 | 第38-40页 |
| 第四章 基于工艺参数的抗辐射加固设计 | 第40-51页 |
| 4.1 P~+深阱浓度 | 第40-45页 |
| 4.1.1 模拟设置与仿真 | 第40-41页 |
| 4.1.2 结果分析 | 第41-45页 |
| 4.2 N阱掺杂 | 第45-48页 |
| 4.2.1 模拟设置与仿真 | 第45-46页 |
| 4.2.2 仿真结果分析 | 第46-48页 |
| 4.3 调阈掺杂浓度 | 第48-49页 |
| 4.3.1 模拟设置与仿真 | 第48页 |
| 4.3.2 仿真结果分析 | 第48-49页 |
| 4.4 总结性仿真 | 第49-50页 |
| 4.5 本章小结 | 第50-51页 |
| 第五章 总结与展望 | 第51-53页 |
| 5.1 工作总结 | 第51-52页 |
| 5.2 未来展望 | 第52-53页 |
| 参考文献 | 第53-58页 |
| 图表目录 | 第58-60页 |
| 致谢 | 第60页 |
