摘要 | 第5-6页 |
abstract | 第6-7页 |
第一章 绪论 | 第10-17页 |
1.1 新型二维纳米材料的研究进展 | 第10-13页 |
1.2 电子结构调控的方法及其意义 | 第13-14页 |
1.3 磁性纳米材料的应用 | 第14-15页 |
1.4 选题的目的和意义 | 第15-16页 |
1.5 本文的主要研究内容 | 第16-17页 |
第二章 理论基础及研究方法 | 第17-24页 |
2.1 引言 | 第17页 |
2.2 密度泛函理论 | 第17-18页 |
2.3 DFT的两个重要定理 | 第18-19页 |
2.3.1 霍恩伯格-科恩定理 | 第18-19页 |
2.3.2 科恩-沈吕九方程 | 第19页 |
2.4 局部密度近似(LDA)与广义梯度近似(GGA) | 第19-20页 |
2.5 布洛赫定理 | 第20页 |
2.6 超单元近似理论 | 第20页 |
2.7 赝势的基本理论 | 第20-22页 |
2.8 第一性原理包VASP | 第22-23页 |
2.9 计算步骤 | 第23-24页 |
第三章 过渡金属原子替位掺杂对于Mo_2C电子结构的调控研究 | 第24-38页 |
3.1 引言 | 第24页 |
3.2 计算方法 | 第24-25页 |
3.3 参数测试 | 第25-26页 |
3.4 结果和讨论 | 第26-36页 |
3.4.1 纯态的Mo_2C结构 | 第26-29页 |
3.4.2 替位结构的几何特性 | 第29-30页 |
3.4.3 替位结构的替位能 | 第30-31页 |
3.4.4 替位结构的电子结构 | 第31-36页 |
3.4.4.1 结构能量和磁性 | 第31-32页 |
3.4.4.2 结构电荷密度分析 | 第32-33页 |
3.4.4.3 结构态密度分析 | 第33-35页 |
3.4.4.4 结构能带分析 | 第35-36页 |
3.5 本章小结 | 第36-38页 |
第四章 过渡金属原子吸附掺杂对于Mo_2C电子结构的调控研究 | 第38-52页 |
4.1 引言 | 第38页 |
4.2 计算方法 | 第38-39页 |
4.3 结果和讨论 | 第39-50页 |
4.3.1 吸附结构的几何特性 | 第39-41页 |
4.3.2 吸附结构的吸附能 | 第41-42页 |
4.3.3 吸附结构的电子结构 | 第42-50页 |
4.3.3.1 结构能量和磁性 | 第42-44页 |
4.3.3.2 结构电荷密度分析 | 第44-45页 |
4.3.3.3 结构态密度分析 | 第45-47页 |
4.3.3.4 结构能带分析 | 第47-50页 |
4.4 本章小结 | 第50-52页 |
第五章 总结与展望 | 第52-54页 |
5.1 全文总结 | 第52页 |
5.2 工作展望 | 第52-54页 |
致谢 | 第54-55页 |
参考文献 | 第55-63页 |
攻读硕士学位期间取得的成果 | 第63-64页 |