| 中文摘要 | 第3-4页 |
| 英文摘要 | 第4-5页 |
| 1 绪论 | 第8-18页 |
| 1.1 引言 | 第8-9页 |
| 1.2 研究现状 | 第9-15页 |
| 1.2.1 High-k材料的引入要求 | 第9-11页 |
| 1.2.2 High-k材料的研究状况 | 第11-12页 |
| 1.2.3 Gd_2O_3，Nd_2O_3的晶体特性 | 第12-13页 |
| 1.2.4 SrTiO_3氧化物材料 | 第13-15页 |
| 1.3 薄膜的制备方法 | 第15-17页 |
| 1.3.1 原子层沉积（ALD） | 第15页 |
| 1.3.2 化学气相沉积（CVD） | 第15-16页 |
| 1.3.3 脉冲激光沉积（PLD） | 第16页 |
| 1.3.4 物理气相沉积（PVD） | 第16页 |
| 1.3.5 分子束外延法（MBE） | 第16-17页 |
| 1.4 论文研究的主要内容及研究手段 | 第17-18页 |
| 2 斜切基底夹角的快速确定方法 | 第18-26页 |
| 2.1 引言 | 第18-19页 |
| 2.2 计算 | 第19-24页 |
| 2.2.1 θ_1和 θ_2的确定 | 第19-20页 |
| 2.2.2 推导过程 | 第20-22页 |
| 2.2.3 不同情况下的夹角大小 | 第22-24页 |
| 2.3 小结 | 第24-26页 |
| 3 Si基底生长Gd_2O_3纳米薄膜 | 第26-37页 |
| 3.1 引言 | 第26页 |
| 3.2 实验设备及电镜样品的制备 | 第26-29页 |
| 3.2.1 实验设备 | 第26-27页 |
| 3.2.2 电镜样品的制备 | 第27-29页 |
| 3.3 Gd_2O_3薄膜的生长过程及分析 | 第29-32页 |
| 3.3.1 Gd_2O_3与Si基底的取向分析 | 第29-30页 |
| 3.3.2 Gd_2O_3薄膜的制备过程 | 第30-31页 |
| 3.3.3 薄膜的生长理论 | 第31-32页 |
| 3.3.4 薄膜的退火温度 | 第32页 |
| 3.4 Gd_2O_3薄膜的电镜结构表征 | 第32-35页 |
| 3.4.1 Si (110)上生长的Gd_2O_3 | 第32-33页 |
| 3.4.2 Si (100)上生长的Gd_2O_3 | 第33-34页 |
| 3.4.3 Si (111)上生长的Gd_2O_3 | 第34-35页 |
| 3.5 小结 | 第35-37页 |
| 4 SrTi O_3(100)基底上生长Gd_2O_3纳米薄膜 | 第37-44页 |
| 4.1 引言 | 第37页 |
| 4.2 Gd_2O_3薄膜的制备流程 | 第37-38页 |
| 4.3 Gd_2O_3薄膜的结构表征 | 第38-43页 |
| 4.3.1 X射线衍射（XRD） | 第38-39页 |
| 4.3.2 透射电镜表征（TEM） | 第39-42页 |
| 4.3.3 扫描透射电子显微镜表征（STEM） | 第42-43页 |
| 4.4 小结 | 第43-44页 |
| 5 SrTi O_3(100)基底上生长Nd_2O_3纳米薄膜 | 第44-50页 |
| 5.1 引言 | 第44页 |
| 5.2 Nd_2O_3薄膜的制备流程 | 第44-45页 |
| 5.3 Nd_2O_3薄膜的结构表征 | 第45-49页 |
| 5.3.1 X射线衍射（XRD） | 第45-46页 |
| 5.3.2 透射电镜表征（TEM） | 第46-48页 |
| 5.3.3 扫描透射电子显微镜表征（STEM） | 第48-49页 |
| 5.4 小结 | 第49-50页 |
| 6 结论及展望 | 第50-52页 |
| 6.1 主要结论 | 第50-51页 |
| 6.2 后续工作展望 | 第51-52页 |
| 致谢 | 第52-53页 |
| 参考文献 | 第53-58页 |
| 附录 | 第58页 |
| A. 作者攻读硕士学位期间发表的论文 | 第58页 |
