铜互连镀铜添加剂的电化学机理研究
摘要 | 第5-7页 |
ABSTRACT | 第7-8页 |
第一章 绪论 | 第11-34页 |
1.1 前言 | 第11-12页 |
1.2 铜互连的简介 | 第12-19页 |
1.2.1 大马士革工艺 | 第13-17页 |
1.2.2 TSV技术 | 第17-19页 |
1.3 湿法镀铜填孔技术 | 第19-24页 |
1.3.1 填孔过程中电势的分布 | 第19-22页 |
1.3.2 硫酸铜体系镀铜填孔技术 | 第22-23页 |
1.3.3 镀液中各成分的作用 | 第23-24页 |
1.4 各种添加剂的作用机理 | 第24-30页 |
1.4.1 加速剂 | 第25-27页 |
1.4.2 抑制剂 | 第27-28页 |
1.4.3 整平剂 | 第28-30页 |
1.4.4 氯离子 | 第30页 |
1.5 电化学动力学机理介绍 | 第30-32页 |
1.6 本课题的目的和意义 | 第32-34页 |
第二章 实验方法 | 第34-47页 |
2.1 电化学测试方法 | 第34-40页 |
2.1.1 线性扫描伏安法 | 第34-35页 |
2.1.2 循环伏安法 | 第35-37页 |
2.1.3 交流阻抗谱法 | 第37-40页 |
2.2 铜互连镀液基本组成及所研究的添加剂 | 第40-41页 |
2.3 实验装置 | 第41-43页 |
2.3.1 电化学测试的实验装置 | 第41-42页 |
2.3.2 铜互连电镀的实验装置 | 第42-43页 |
2.4 铜互连镀层的表面分析 | 第43-47页 |
2.4.1 红外光谱检测 | 第43-44页 |
2.4.2 XPS检测 | 第44-45页 |
2.4.3 FIB分析 | 第45-47页 |
第三章 四种商用添加剂的性能研究 | 第47-79页 |
3.1 商用添加剂GW系列的研究 | 第47-65页 |
3.1.1 单一添加剂的研究 | 第47-58页 |
3.1.2 两种添加剂间的相互作用 | 第58-62页 |
3.1.3 三种添加剂存在时的相互作用 | 第62-65页 |
3.2 商用添加剂GN1、GN2系列的研究 | 第65-71页 |
3.2.1 单组份添加剂研究 | 第65-69页 |
3.2.2 不同组合添加剂性能研究 | 第69-71页 |
3.3 商用添加剂GN3系列的研究 | 第71-75页 |
3.3.1 单组份添加剂研究 | 第71-73页 |
3.3.2 加速剂和抑制剂间相互作用的研究 | 第73-75页 |
3.4 铜互连芯片实际电镀 | 第75-77页 |
3.5 本章小结 | 第77-79页 |
第四章 基于文献公开添加剂体系的机理研究 | 第79-106页 |
4.1 SPS和PEG竞争吸附关系研究 | 第79-88页 |
4.2 对添加剂GW体系的定量表征及研究 | 第88-95页 |
4.2.1 GW-A含量变化的影响 | 第89-92页 |
4.2.2 GW-S含量变化的影响 | 第92-95页 |
4.3 杂质峰的研究 | 第95-104页 |
4.3.1 杂质峰的电化学方法研究 | 第95-101页 |
4.3.2 杂质峰的红外光谱及XPS分析 | 第101-104页 |
4.4 本章小结 | 第104-106页 |
第五章 全文总结和研究展望 | 第106-109页 |
5.1 全文总结 | 第106-107页 |
5.2 研究展望 | 第107-109页 |
参考文献 | 第109-116页 |
致谢 | 第116-117页 |
攻读硕士期间已发表或录用的论文 | 第117页 |