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铜互连镀铜添加剂的电化学机理研究

摘要第5-7页
ABSTRACT第7-8页
第一章 绪论第11-34页
    1.1 前言第11-12页
    1.2 铜互连的简介第12-19页
        1.2.1 大马士革工艺第13-17页
        1.2.2 TSV技术第17-19页
    1.3 湿法镀铜填孔技术第19-24页
        1.3.1 填孔过程中电势的分布第19-22页
        1.3.2 硫酸铜体系镀铜填孔技术第22-23页
        1.3.3 镀液中各成分的作用第23-24页
    1.4 各种添加剂的作用机理第24-30页
        1.4.1 加速剂第25-27页
        1.4.2 抑制剂第27-28页
        1.4.3 整平剂第28-30页
        1.4.4 氯离子第30页
    1.5 电化学动力学机理介绍第30-32页
    1.6 本课题的目的和意义第32-34页
第二章 实验方法第34-47页
    2.1 电化学测试方法第34-40页
        2.1.1 线性扫描伏安法第34-35页
        2.1.2 循环伏安法第35-37页
        2.1.3 交流阻抗谱法第37-40页
    2.2 铜互连镀液基本组成及所研究的添加剂第40-41页
    2.3 实验装置第41-43页
        2.3.1 电化学测试的实验装置第41-42页
        2.3.2 铜互连电镀的实验装置第42-43页
    2.4 铜互连镀层的表面分析第43-47页
        2.4.1 红外光谱检测第43-44页
        2.4.2 XPS检测第44-45页
        2.4.3 FIB分析第45-47页
第三章 四种商用添加剂的性能研究第47-79页
    3.1 商用添加剂GW系列的研究第47-65页
        3.1.1 单一添加剂的研究第47-58页
        3.1.2 两种添加剂间的相互作用第58-62页
        3.1.3 三种添加剂存在时的相互作用第62-65页
    3.2 商用添加剂GN1、GN2系列的研究第65-71页
        3.2.1 单组份添加剂研究第65-69页
        3.2.2 不同组合添加剂性能研究第69-71页
    3.3 商用添加剂GN3系列的研究第71-75页
        3.3.1 单组份添加剂研究第71-73页
        3.3.2 加速剂和抑制剂间相互作用的研究第73-75页
    3.4 铜互连芯片实际电镀第75-77页
    3.5 本章小结第77-79页
第四章 基于文献公开添加剂体系的机理研究第79-106页
    4.1 SPS和PEG竞争吸附关系研究第79-88页
    4.2 对添加剂GW体系的定量表征及研究第88-95页
        4.2.1 GW-A含量变化的影响第89-92页
        4.2.2 GW-S含量变化的影响第92-95页
    4.3 杂质峰的研究第95-104页
        4.3.1 杂质峰的电化学方法研究第95-101页
        4.3.2 杂质峰的红外光谱及XPS分析第101-104页
    4.4 本章小结第104-106页
第五章 全文总结和研究展望第106-109页
    5.1 全文总结第106-107页
    5.2 研究展望第107-109页
参考文献第109-116页
致谢第116-117页
攻读硕士期间已发表或录用的论文第117页

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