| 摘要 | 第3-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-21页 |
| 1.1 半导体发光的含义 | 第9-13页 |
| 1.2 半导体发光材料的应用 | 第13页 |
| 1.3 硅基发光材料的研究进展 | 第13-21页 |
| 第二章 薄膜的制备技术及表征手段 | 第21-27页 |
| 2.1 薄膜的制备方法 | 第21-23页 |
| 2.1.1 高频等离子体增强化学气相沉积（VHF-PECVD）技术 | 第21-22页 |
| 2.1.2 磁控溅射技术 | 第22-23页 |
| 2.1.3 快速热退火炉设备 | 第23页 |
| 2.2 薄膜的结构和光学性能测试的表征手段 | 第23-27页 |
| 2.2.1 拉曼光谱(Raman)分析 | 第23-24页 |
| 2.2.2 傅里叶红外吸收光谱(FTIR)分析 | 第24页 |
| 2.2.3 X射线光电子能谱(XPS)分析 | 第24-25页 |
| 2.2.4 透射电子显微镜(TEM)分析 | 第25页 |
| 2.2.5 瞬态荧光光谱 | 第25-26页 |
| 2.2.6 光致发光谱(PL)与光致发光激发谱(PLE)分析 | 第26-27页 |
| 第三章 SiC_xO_y薄膜发光特性的研究 | 第27-35页 |
| 3.1 SiC_xO_y薄膜的研究背景 | 第27页 |
| 3.2 SiC_xO_y薄膜可调光发射特性研究 | 第27-34页 |
| 3.2.1 SiC_xO_y薄膜的制备方法及光学与结构性质表征 | 第27-28页 |
| 3.2.2 SiC_xO_y薄膜光发射的调控 | 第28-30页 |
| 3.2.3 SiC_xO_y薄膜微结构的表征 | 第30-32页 |
| 3.2.4 SiC_xO_y薄膜可调光发射机制 | 第32-34页 |
| 3.3 本章小结 | 第34-35页 |
| 第四章 铽掺杂SiC_xO_y发光特性研究 | 第35-47页 |
| 4.1 SiC_xO_y:Tb薄膜的研究背景 | 第35-36页 |
| 4.2 SiC_xO_y:Tb薄膜发光特性研究 | 第36-45页 |
| 4.2.1 SiC_xO_y:Tb薄膜的制备及后处理 | 第36-37页 |
| 4.2.2 SiC_xO_y:Tb薄膜微结构的表征 | 第37-41页 |
| 4.2.3 SiC_xO_y:Tb薄膜中光发射增强机制 | 第41-45页 |
| 4.3 本章小结 | 第45-47页 |
| 第五章 总结与展望 | 第47-49页 |
| 5.1 总结 | 第47页 |
| 5.2 展望 | 第47-49页 |
| 参考文献 | 第49-58页 |
| 致谢 | 第58-59页 |
| 硕士阶段的科研成果 | 第59页 |
