| 致谢 | 第4-6页 |
| 摘要 | 第6-8页 |
| ABSTRACT | 第8-9页 |
| 1 引言 | 第13-34页 |
| 1.1 量子阱红外探测器的概述 | 第14-22页 |
| 1.1.1 红外探测器的发展历程 | 第14-16页 |
| 1.1.2 量子阱红外探测器的简介和工作原理 | 第16-19页 |
| 1.1.3 量子阱红外探测器的光耦合模式 | 第19-22页 |
| 1.2 三维卷曲微管的概述 | 第22-26页 |
| 1.3 本论文研究目的和主要内容 | 第26-28页 |
| 参考文献 | 第28-34页 |
| 2 三维管状量子阱红外探测器的设计、制备、表征与数值模拟 | 第34-47页 |
| 2.1 三维管状量子阱红外探测器的材料和结构设计 | 第34-37页 |
| 2.1.1 器件的材料设计与生长 | 第34-36页 |
| 2.1.2 器件的结构与工作原理 | 第36-37页 |
| 2.2 三微管状量子阱红外探测器的工艺流程与制备 | 第37-38页 |
| 2.3 三维管状量子阱红外探测器的性能表征方法 | 第38-42页 |
| 2.3.1 器件的光致发光(PL)光谱测量 | 第38-39页 |
| 2.3.2 器件的伏安(I-V)特性曲线测量 | 第39-40页 |
| 2.3.3 器件的黑体响应谱测量 | 第40-41页 |
| 2.3.4 器件的光电流响应谱测量 | 第41-42页 |
| 2.4 三维管状量子阱红外探测器的数值模拟 | 第42-45页 |
| 2.4.1 电磁场模拟的时域有限差分法 | 第42-44页 |
| 2.4.2 器件模型的建立 | 第44-45页 |
| 2.5 本章小结 | 第45-46页 |
| 参考文献 | 第46-47页 |
| 3 三维管状量子阱红外探测器的光耦合与响应特性分析 | 第47-64页 |
| 3.1 三维管状量子阱红外探测器的电学测试结果 | 第47-51页 |
| 3.1.1 器件的暗电流 | 第47-48页 |
| 3.1.2 器件的黑体响应 | 第48-49页 |
| 3.1.3 器件的光电流响应与成像 | 第49-51页 |
| 3.2 三维管状量子阱红外探测器的宽角度光耦合特性 | 第51-54页 |
| 3.2.1 量子阱红外探测器的探测视角简介 | 第51-53页 |
| 3.2.2 管状器件的宽入射角光耦合 | 第53-54页 |
| 3.3 三维管状量子阱红外探测器的宽带增强响应特性 | 第54-59页 |
| 3.3.1 器件的非波长选择性增强响应 | 第54-56页 |
| 3.3.2 管状空腔的光捕获与响应拟合分析 | 第56-59页 |
| 3.4 三维管状量子阱红外探测器的绕组效应 | 第59-62页 |
| 3.5 本章小结 | 第62-63页 |
| 参考文献 | 第63-64页 |
| 4 三维管状量子阱红外探测器的薄膜应变对子带跃迁影响 | 第64-79页 |
| 4.1 管状器件的子带跃迁量子限制斯塔克效应 | 第64-68页 |
| 4.1.1 子带跃迁量子限制斯塔克效应简介 | 第64-66页 |
| 4.1.2 管状器件的量子限制斯塔克能量位移与分析 | 第66-68页 |
| 4.2 三维管状量子阱红外探测器的薄膜应变效应 | 第68-76页 |
| 4.2.1 管壁薄膜的应变分布计算 | 第68-71页 |
| 4.2.2 应力释放对器件光电流响应影响 | 第71-72页 |
| 4.2.3 薄膜应变影响量子阱子带跃迁的分析 | 第72-76页 |
| 4.3 本章小结 | 第76-77页 |
| 参考文献 | 第77-79页 |
| 5 三维管状谐振腔量子阱红外探测器的设计 | 第79-95页 |
| 5.1 管状微谐振腔的共振模式 | 第79-85页 |
| 5.2 三维管状微腔量子阱红外探测器的设计 | 第85-92页 |
| 5.2.1 管状量子阱红外探测器的无共振态分析 | 第85-90页 |
| 5.2.2 管状微谐振腔量子阱红外探测器的结构设计 | 第90-92页 |
| 5.3 本章小结 | 第92-93页 |
| 参考文献 | 第93-95页 |
| 6 总结和展望 | 第95-100页 |
| 6.1 工作总结 | 第95-97页 |
| 6.2 未来展望 | 第97-99页 |
| 参考文献 | 第99-100页 |
| 作者简介及在学期间发表的学术论文与研究成果 | 第100-101页 |
