基于单分子荧光闪烁的快速超分辨显微方法和实验研究
| 摘要 | 第3-5页 |
| ABSTRACT | 第5-7页 |
| 第1章 绪论 | 第11-36页 |
| 1.1 引言 | 第11-12页 |
| 1.2 荧光显微技术基础 | 第12-16页 |
| 1.2.1 荧光的产生 | 第12-13页 |
| 1.2.2 荧光显微技术 | 第13-14页 |
| 1.2.3 荧光显微镜的分辨率 | 第14-16页 |
| 1.3 远场超分辨荧光显微方法 | 第16-29页 |
| 1.3.1 STED | 第17-18页 |
| 1.3.2 SIM | 第18页 |
| 1.3.3 SLM | 第18-23页 |
| 1.3.4 SOFI | 第23-29页 |
| 1.4 轴向纳米分辨 | 第29-33页 |
| 1.5 活细胞成像对超分辨荧光显微技术的要求 | 第33-34页 |
| 1.6 快速超分辨荧光显微技术的进展 | 第34-35页 |
| 1.7 本论文的主要工作 | 第35-36页 |
| 第2章 超分辨定位受激辐射显微 | 第36-52页 |
| 2.1 受激辐射显微 | 第37-38页 |
| 2.2 受激辐射信号强度 | 第38-41页 |
| 2.2.1 受激辐射发光速率 | 第38-41页 |
| 2.2.2 受激辐射收集效率 | 第41页 |
| 2.3 单分子受激辐射探测 | 第41-45页 |
| 2.3.1 二维锁相探测器 | 第42-44页 |
| 2.3.2 锁相放大器信噪比 | 第44-45页 |
| 2.4 超分辨定位受激辐射显微原理 | 第45-46页 |
| 2.5 超分辨定位受激辐射显微模拟 | 第46-50页 |
| 2.6 本章总结 | 第50-52页 |
| 第3章 超分辨光学涨落成像统计分析 | 第52-66页 |
| 3.1 SOFI原理 | 第53-54页 |
| 3.2 SOFI统计精度 | 第54-58页 |
| 3.2.1 累积量方差 | 第54-55页 |
| 3.2.2 累积量方差验证 | 第55-57页 |
| 3.2.3 累积量方差与统计重采样对比 | 第57-58页 |
| 3.3 累积量信噪比与荧光闪烁参数的关系 | 第58-61页 |
| 3.3.1 亮态几率 | 第58-59页 |
| 3.3.2 相机帧频与平均闪烁速率之比 | 第59-60页 |
| 3.3.3 序列长度 | 第60页 |
| 3.3.4 光振幅 | 第60-61页 |
| 3.4 SOFI模拟 | 第61-64页 |
| 3.5 本章小结 | 第64-66页 |
| 第4章 超分辨光学涨落成像解卷积优化 | 第66-84页 |
| 4.1 SOFI图像噪声 | 第67-68页 |
| 4.1.1 fSOFI图像噪声 | 第67-68页 |
| 4.1.2 VISion图像噪声 | 第68页 |
| 4.2 解卷积优化 | 第68-69页 |
| 4.3 模拟结果 | 第69-76页 |
| 4.3.1 fSOFI优化 | 第70-72页 |
| 4.3.2 VISion优化 | 第72-76页 |
| 4.4 实验结果 | 第76-83页 |
| 4.4.1 闪烁特性分析 | 第77页 |
| 4.4.2 fSOFI优化 | 第77-81页 |
| 4.4.3 VISion优化 | 第81-83页 |
| 4.5 本章小结 | 第83-84页 |
| 第5章 基于聚合物量子点的超分辨光学涨落成像实验 | 第84-95页 |
| 5.1 实验系统 | 第85页 |
| 5.2 单PDOTS成像 | 第85-90页 |
| 5.2.1 样品制备 | 第86页 |
| 5.2.2 闪烁特性分析 | 第86-88页 |
| 5.2.3 SOFI处理 | 第88-90页 |
| 5.3 HELA细胞微丝成像 | 第90-94页 |
| 5.3.1 Pdots标记Hela细胞 | 第91页 |
| 5.3.2 SOFI处理 | 第91-94页 |
| 5.4 本章小结 | 第94-95页 |
| 第6章 总结与展望 | 第95-97页 |
| 6.1 总结 | 第95-96页 |
| 6.2 展望 | 第96-97页 |
| 参考文献 | 第97-105页 |
| 致谢 | 第105-106页 |
| 攻读博士学位期间的研究成果 | 第106页 |
