| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第一章 Hodgkin-Huxley模型与Rall电缆模型 | 第11-36页 |
| 1.1 Hodgkin-Huxley模型 | 第11-22页 |
| 1.1.1 模型的实验讨论 | 第11-12页 |
| 1.1.2 膜电流的数学表述 | 第12-22页 |
| 1.2 电缆模型和房室模型 | 第22-34页 |
| 1.2.1 树突计算 | 第23-26页 |
| 1.2.2 Rall电缆模型 | 第26-30页 |
| 1.2.3 房室模型 | 第30-32页 |
| 1.2.4 树突检测 | 第32-34页 |
| 1.3 本文主要内容 | 第34-36页 |
| 第二章 高维神经元模型的降维与动力学分析 | 第36-49页 |
| 2.1 神经元单房室模型 | 第37-38页 |
| 2.2 多巴胺能神经元模型降维 | 第38-41页 |
| 2.3 双参数对放电模式的影响 | 第41-43页 |
| 2.4 分支分析 | 第43-47页 |
| 2.5 小结 | 第47-49页 |
| 第三章 中等多棘神经元的房室模型分析 | 第49-63页 |
| 3.1 中等多棘神经元的房室模型 | 第50-51页 |
| 3.2 外界刺激树突对胞体放电节律的影响 | 第51-54页 |
| 3.2.1 刺激模式的影响 | 第51-52页 |
| 3.2.2 交流刺激的响应 | 第52-54页 |
| 3.3 离子通道对胞体放电节律的影响 | 第54-59页 |
| 3.3.1 Na~+通道最大电导系数 | 第54-55页 |
| 3.3.2 K~+通道最大电导系数 | 第55-57页 |
| 3.3.3 Ca~(2+)通道电导系数 | 第57-59页 |
| 3.4 树突棘结构的影响 | 第59-61页 |
| 3.5 小结 | 第61-63页 |
| 第四章 皮层-基底核-丘脑回路模型的模拟与分析 | 第63-93页 |
| 4.1 基底核 | 第63-68页 |
| 4.1.1 基底核的结构 | 第63-66页 |
| 4.1.2 基底核的回路连接 | 第66-67页 |
| 4.1.3 脑深部电刺激 | 第67-68页 |
| 4.2 高频刺激与基底核的通路效应 | 第68-83页 |
| 4.2.1 高频刺激回路模型 | 第69-72页 |
| 4.2.2 刺激频率对TH神经元的影响 | 第72-73页 |
| 4.2.3 解除超极化电流后STN神经元的反跳 | 第73页 |
| 4.2.4 正常态与PD态 | 第73-76页 |
| 4.2.5 高频刺激STN,GPe和GPi神经元 | 第76-77页 |
| 4.2.6 对比各类状态 | 第77-78页 |
| 4.2.7 双参数改变对丘脑的影响 | 第78-80页 |
| 4.2.8 直接通路与间接通路对丘脑的影响 | 第80-83页 |
| 4.3 基底核回路模型的突触效应 | 第83-91页 |
| 4.3.1 基底核回路模型 | 第83页 |
| 4.3.2 回路中各神经元的放电模式 | 第83-84页 |
| 4.3.3 PY到STN的兴奋性突触的影响 | 第84-86页 |
| 4.3.4 GPi到TH的抑制性突触的影响 | 第86-89页 |
| 4.3.5 外界刺激STN | 第89-90页 |
| 4.3.6 外界刺激GPi | 第90-91页 |
| 4.4 小结 | 第91-93页 |
| 总结 | 第93-96页 |
| 参考文献 | 第96-117页 |
| 攻读博士学位期间取得的研究成果 | 第117-119页 |
| 致谢 | 第119-120页 |
| 附件 | 第120页 |