| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第一章 引言 | 第12-16页 |
| 第二章 文献综述 | 第16-36页 |
| 2.1 ZnO的基本性质 | 第16-21页 |
| 2.1.1 ZnO的晶体结构 | 第16-17页 |
| 2.1.2 ZnO的能带结构 | 第17-18页 |
| 2.1.3 ZnO的物化性质 | 第18-19页 |
| 2.1.4 ZnO的光学性能 | 第19-21页 |
| 2.1.5 ZnO的电学性能 | 第21页 |
| 2.2 ZnO基透明导电薄膜 | 第21-29页 |
| 2.2.1 ZnO基透明导电薄膜的研究现状 | 第22-27页 |
| 2.2.2 柔性ZnO基透明导电薄膜的研究进展 | 第27-29页 |
| 2.3 NiO的基本性质 | 第29-31页 |
| 2.3.1 NiO的晶体结构 | 第29-30页 |
| 2.3.2 NiO的光电特性 | 第30-31页 |
| 2.3.3 NiO薄膜的气敏特性 | 第31页 |
| 2.4 NiMgO薄膜及其异质结的研究进展 | 第31-33页 |
| 2.5 ZnO/NiO异质结的研究进展 | 第33-34页 |
| 2.6 选题依据和研究内容 | 第34-36页 |
| 第三章 实验原理、生长工艺和表征技术 | 第36-44页 |
| 3.1 脉冲激光沉积技术 | 第36-40页 |
| 3.1.1 脉冲激光沉积原理 | 第36-37页 |
| 3.1.2 脉冲激光沉积系统 | 第37-40页 |
| 3.1.3 脉冲激光沉积技术的特点 | 第40页 |
| 3.2 实验工艺过程 | 第40-42页 |
| 3.2.1 靶材制备 | 第40-41页 |
| 3.2.2 衬底清洗 | 第41页 |
| 3.2.3 薄膜制备过程 | 第41-42页 |
| 3.3 薄膜测试与表征 | 第42-43页 |
| 3.4 本章小结 | 第43-44页 |
| 第四章 F掺杂Zn_(1-x)Mg_xO薄膜的制备及其性能研究 | 第44-64页 |
| 4.1 Mg组分含量对ZMOF薄膜的影响 | 第44-49页 |
| 4.1.1 结构性能 | 第45-46页 |
| 4.1.2 表面形貌 | 第46页 |
| 4.1.3 化学态 | 第46-47页 |
| 4.1.4 电学性能 | 第47-48页 |
| 4.1.5 光学性能 | 第48-49页 |
| 4.2 F含量对ZMOF薄膜的影响 | 第49-53页 |
| 4.2.1 结构性能 | 第49-50页 |
| 4.2.2 表面形貌 | 第50-51页 |
| 4.2.3 化学态 | 第51页 |
| 4.2.4 电学性能 | 第51-52页 |
| 4.2.5 光学性能 | 第52-53页 |
| 4.3 衬底温度对ZMOF薄膜的影响 | 第53-57页 |
| 4.3.1 结构性能 | 第53-55页 |
| 4.3.2 表面形貌 | 第55-56页 |
| 4.3.3 电学性能 | 第56-57页 |
| 4.3.4 光学性能 | 第57页 |
| 4.4 沉积压强对ZMOF薄膜的影响 | 第57-61页 |
| 4.4.1 结构性能 | 第58-59页 |
| 4.4.2 表面形貌 | 第59-60页 |
| 4.4.3 电学性能 | 第60页 |
| 4.4.4 光学性能 | 第60-61页 |
| 4.5 溶液法制备绒面ZMOF薄膜 | 第61-63页 |
| 4.6 本章小结 | 第63-64页 |
| 第五章 柔性衬底上F掺杂Zn_(1-x)Mg_xO合金薄膜的制备及其性能研究 | 第64-72页 |
| 5.1 氧偏压对ZMOF薄膜性能的影响 | 第64-67页 |
| 5.1.1 结构性能 | 第64-65页 |
| 5.1.2 表面形貌 | 第65-66页 |
| 5.1.3 电学性能 | 第66-67页 |
| 5.1.4 光学性能 | 第67页 |
| 5.2 缓冲层对ZMOF薄膜特性的影响 | 第67-70页 |
| 5.2.1 结构性能 | 第68页 |
| 5.2.2 表面形貌 | 第68-69页 |
| 5.2.3 电学性能 | 第69-70页 |
| 5.3 本章小结 | 第70-72页 |
| 第六章 H等离子体处理对F掺杂ZnO薄膜的影响 | 第72-88页 |
| 6.1 H等离子体处理对FZO薄膜性能的影响 | 第72-77页 |
| 6.1.1 电学性能 | 第72-74页 |
| 6.1.2 结构性能 | 第74-75页 |
| 6.1.3 表面形貌 | 第75-76页 |
| 6.1.4 光学性能 | 第76-77页 |
| 6.2 退火和H等离子体综合处理对FZO薄膜性能的影响 | 第77-82页 |
| 6.2.1 电学性能 | 第77-78页 |
| 6.2.2 结构性能 | 第78-79页 |
| 6.2.3 组分分布 | 第79-80页 |
| 6.2.4 表面形貌 | 第80页 |
| 6.2.5 光学性能 | 第80-81页 |
| 6.2.6 热稳定性 | 第81-82页 |
| 6.3 H-F共掺杂ZnO的第一性原理计算 | 第82-85页 |
| 6.4 退火和H等离子体综合处理对ZnO基薄膜电学性能的影响 | 第85-86页 |
| 6.5 本章小结 | 第86-88页 |
| 第七章 NiMgO薄膜及ZnO/NiMgO、ZnMgO/NiMgO异质结的制备与研究 | 第88-110页 |
| 7.1 高质量Ni_(1-x)Mg_xO固溶体薄膜的制备 | 第88-93页 |
| 7.1.1 衬底温度对Ni_(1-x)Mg_xO薄膜的影响 | 第89-90页 |
| 7.1.2 氧压对Ni(1-x)Mg_xO薄膜的影响 | 第90-91页 |
| 7.1.3 Mg组分含量对Ni_(1-x)Mg_xO薄膜的影响 | 第91-93页 |
| 7.2 MSM结构光电探测器的制备与特性 | 第93-95页 |
| 7.3 快速退火处理提高Ni_(1-x)Mg_xO薄膜晶体质量 | 第95-99页 |
| 7.3.1 结构性能 | 第95-96页 |
| 7.3.2 表面形貌 | 第96-97页 |
| 7.3.3 光学性能 | 第97-98页 |
| 7.3.4 器件性能 | 第98-99页 |
| 7.4 ZnO/Ni_(1-x)Mg_xO薄膜异质结的制备及能带结构的研究 | 第99-105页 |
| 7.4.1 能带带阶测量方法和原理 | 第99-100页 |
| 7.4.2 实验样品的制备与XPS分析 | 第100-104页 |
| 7.4.3 ZnO/Ni_(1-x)Mg_xO异质结能带图 | 第104-105页 |
| 7.5 Zn_(1-x)Mg_xO/Ni_(1-y)Mg_yO异质结的制备与能带结构研究 | 第105-108页 |
| 7.6 本章小结 | 第108-110页 |
| 第八章 总结 | 第110-114页 |
| 参考文献 | 第114-132页 |
| 致谢 | 第132-134页 |
| 个人简历 | 第134-136页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文与取得的其它研究成果 | 第136-138页 |
