| 致谢 | 第5-6页 |
| 摘要 | 第6-7页 |
| Abstract | 第7页 |
| 第1章 绪论 | 第12-22页 |
| 1.1 光通信技术的现状和发展趋势 | 第12-15页 |
| 1.2 集成光路技术 | 第15-20页 |
| 1.2.1 混合集成 | 第16-17页 |
| 1.2.2 单片集成 | 第17-20页 |
| 1.3 本文概述 | 第20-22页 |
| 1.3.1 章节安排 | 第20页 |
| 1.3.2 主要创新点 | 第20-22页 |
| 第2章 单片集成技术以及量子阱混杂技术概述 | 第22-42页 |
| 2.1 单片集成技术的要求 | 第22-23页 |
| 2.2 单片集成技术的方法 | 第23-27页 |
| 2.2.1 对接再生长 | 第23-24页 |
| 2.2.2 选择性区域生长 | 第24页 |
| 2.2.3 偏置量子阱 | 第24页 |
| 2.2.4 双量子阱 | 第24页 |
| 2.2.5 量子阱混杂 | 第24-26页 |
| 2.2.6 各种单片集成技术的比较 | 第26-27页 |
| 2.3 量子阱混杂技术回顾 | 第27-42页 |
| 2.3.1 杂质诱导方法 | 第27-28页 |
| 2.3.2 无杂质空位诱导方法 | 第28-30页 |
| 2.3.3 低温生长InP方法 | 第30-32页 |
| 2.3.4 阳极氧化诱导方法 | 第32-33页 |
| 2.3.5 光吸收诱导方法 | 第33-34页 |
| 2.3.6 等离子体轰击方法 | 第34-36页 |
| 2.3.7 溅射轰击方法 | 第36-37页 |
| 2.3.8 离子注入方法 | 第37-40页 |
| 2.3.9 各种量子阱混杂方法的比较 | 第40-42页 |
| 第3章 量子阱混杂技术的理论模拟 | 第42-56页 |
| 3.1 薛定谔方程的数值解法 | 第42-44页 |
| 3.2 Ⅲ-Ⅴ量子阱的能带结构 | 第44-48页 |
| 3.3 扩散模型 | 第48-50页 |
| 3.4 扩散长度对能带结构的影响 | 第50-52页 |
| 3.5 k值对能带结构的影响 | 第52-56页 |
| 第4章 KrF准分子激光器照射实现量子阱混杂技术的工艺研究 | 第56-74页 |
| 4.1 实验原理 | 第56-58页 |
| 4.2 实验结果以及参数优化 | 第58-68页 |
| 4.2.1 实验现象与结果 | 第58-62页 |
| 4.2.2 快速热退火对结果的影响 | 第62-65页 |
| 4.2.3 KrF准分子激光器参数对结果的影响 | 第65-68页 |
| 4.3 利用KrF准分子激光器量子阱混杂制作的简单光器件 | 第68-74页 |
| 4.3.1 FP激光器 | 第68-71页 |
| 4.3.2 无源波导 | 第71-74页 |
| 第5章 基于量子阱混杂技术的V型腔半导体激光器 | 第74-116页 |
| 5.1 V型腔可调谐半导体激光器介绍 | 第74-78页 |
| 5.2 包含量子阱混杂的V型腔激光器的制作过程 | 第78-82页 |
| 5.2.1 制作对准标记 | 第78-79页 |
| 5.2.2 选择性区域量子阱混杂 | 第79-80页 |
| 5.2.3 V型腔激光器的标准制作流程 | 第80-82页 |
| 5.3 单腔混杂方案的测试结果与分析 | 第82-89页 |
| 5.3.1 光致发光谱 | 第82-84页 |
| 5.3.2 I-V性能 | 第84页 |
| 5.3.3 波长调谐性能 | 第84-89页 |
| 5.4 双腔混杂方案的测试结果与分析 | 第89-114页 |
| 5.4.1 光致发光谱 | 第89-91页 |
| 5.4.2 L-I性能 | 第91-92页 |
| 5.4.3 单电极波长调谐性能 | 第92-98页 |
| 5.4.4 增益谱蓝移的讨论 | 第98-102页 |
| 5.4.5 双电极波长调谐性能 | 第102-107页 |
| 5.4.6 量子阱混杂波导长度的讨论 | 第107-110页 |
| 5.4.7 快速波长切换性能 | 第110-114页 |
| 5.5 热调谐和电调谐V型腔激光器的结果对比 | 第114-116页 |
| 第6章 总结和展望 | 第116-120页 |
| 6.1 本文总结 | 第116-117页 |
| 6.2 本文展望 | 第117-120页 |
| 参考文献 | 第120-132页 |
| 作者在学期间所取得的科研成果 | 第132-133页 |