| 致谢 | 第7-8页 |
| 摘要 | 第8-9页 |
| ABSTRACT | 第9页 |
| 第一章 绪论 | 第14-24页 |
| 1.1 太阳能电池概况 | 第14-18页 |
| 1.1.1 太阳能电池的发展 | 第14-15页 |
| 1.1.2 太阳能电池的工作原理 | 第15页 |
| 1.1.3 太阳能电池的性能表征 | 第15-17页 |
| 1.1.4 太阳能电池的分类 | 第17-18页 |
| 1.2 SnS薄膜材料 | 第18-20页 |
| 1.3 SnS薄膜的制备方法 | 第20-22页 |
| 1.3.1 真空蒸发法 | 第20页 |
| 1.3.2 电沉积法 | 第20-21页 |
| 1.3.3 磁控溅射法 | 第21页 |
| 1.3.4 电子束蒸发法 | 第21页 |
| 1.3.5 喷雾热解法 | 第21页 |
| 1.3.6 化学气相沉积法 | 第21页 |
| 1.3.7 化学水浴法 | 第21-22页 |
| 1.3.8 近空间升华法 | 第22页 |
| 1.3.9 两步法 | 第22页 |
| 1.3.10 脉冲激光沉积法 | 第22页 |
| 1.4 本文的目的与内容 | 第22-24页 |
| 第二章 薄膜制备设备及相关表征仪器 | 第24-31页 |
| 2.1 薄膜和器件制备所用设备 | 第24-26页 |
| 2.1.1 脉冲激光沉积系统 | 第24-25页 |
| 2.1.2 快速退火系统 | 第25页 |
| 2.1.3 电子束蒸发镀膜系统 | 第25-26页 |
| 2.2 薄膜材料和薄膜器件的表征手段 | 第26-30页 |
| 2.2.1 X射线衍射仪 | 第26页 |
| 2.2.2 显微共焦激光拉曼光谱仪 | 第26-27页 |
| 2.2.3 场发射扫描电子显微镜 | 第27-28页 |
| 2.2.4 原子力显微镜 | 第28-29页 |
| 2.2.5 紫外可见近红外分光光度计 | 第29页 |
| 2.2.6 半导体参数分析仪 | 第29-30页 |
| 2.3 本章小结 | 第30-31页 |
| 第三章 快速退火对PLD法制备SnS薄膜性质的影响 | 第31-50页 |
| 3.1 脉冲激光沉积原理 | 第31-33页 |
| 3.1.1 PLD原理 | 第31-32页 |
| 3.1.2 脉冲激光沉积法特点 | 第32页 |
| 3.1.3 影响薄膜生长的主要因素 | 第32-33页 |
| 3.2 实验 | 第33-35页 |
| 3.2.1 靶材制备与衬底清洗 | 第33-34页 |
| 3.2.2 SnS薄膜制备 | 第34-35页 |
| 3.2.3 电极制备 | 第35页 |
| 3.2.4 薄膜表征 | 第35页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第35-48页 |
| 3.3.1 SnS薄膜的XRD分析 | 第35-38页 |
| 3.3.2 SnS薄膜的拉曼光谱分析 | 第38-39页 |
| 3.3.3 SnS薄膜的成分分析 | 第39-41页 |
| 3.3.4 SnS薄膜的形貌分析 | 第41-43页 |
| 3.3.5 SnS薄膜的光学特性 | 第43-47页 |
| 3.3.6 SnS薄膜的电学特性 | 第47-48页 |
| 3.4 本章小结 | 第48-50页 |
| 第四章 基于SnS薄膜异质结器件的制备 | 第50-57页 |
| 4.1 SnS薄膜异质结器件的研究进展 | 第50-51页 |
| 4.2 p-SnS/n-Si异质结器件 | 第51-53页 |
| 4.2.1 p-SnS/n-Si异质结器件结构与制备 | 第51页 |
| 4.2.2 p-SnS/n-Si异质结器件的电极制备 | 第51-52页 |
| 4.2.3 p-SnS/n-Si异质结器件的I-V特性 | 第52-53页 |
| 4.3 p-SnS/n-ZnO异质结器件 | 第53-56页 |
| 4.3.1 ZnO薄膜 | 第53-54页 |
| 4.3.2 p-SnS/n-ZnO异质结器件结构与制备 | 第54-55页 |
| 4.3.3 p-SnS/n-ZnO异质结器件的I-V特性 | 第55-56页 |
| 4.4 本章小结 | 第56-57页 |
| 第五章 结论 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-62页 |
| 攻读硕士学位期间的学术活动及成果情况 | 第62页 |
